一种自整定调节的射频功放控制装置的制作方法

本技术涉及射频功放电子控制，特别是涉及一种自整定调节的射频功放控制装置。

背景技术：

1、功放模块在射频系统中是非常重要的一个环节，随着射频系统的集成化和小型化发展，射频功放芯片的应用也越来越广泛。目前，常用的射频功放芯片大多为场效应管(mosfet)，其使用需要注意以下几个条件：合适的漏极电压，栅极控制电压的范围，静态漏极电流以及上电顺序和下电顺序。

2、在原子重力仪的系统中，需要用到不同频率的射频信号，这些射频信号所采用的射频功放芯片也不一样。而不同射频功放芯片的vdd电压，vgg电压范围，id电流(静态漏极电流)不同以及上、下电时序也会有差别，现有技术大多只能一次对一个型号的功放芯片的参数进行调整，当功放芯片更换时，需要重新调节工作参数，以使其正常工作，操作相对较为复杂。故而为了简化设计，采用一套可以兼容多种功放芯片的自整定调节射频功放控制系统是很有必要的。

3、鉴于此，克服该现有技术所存在的缺陷是本技术领域亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题是：如何提供一种可以兼容多种功放芯片的工作参数的自整定调节的射频功放控制装置。

2、本实用新型采用如下技术方案：

3、本实用新型提供了一种自整定调节的射频功放控制装置，包括：控制模块、存储模块、电压控制模块和电流检测模块，所述存储模块中存储有不同功放芯片的工作参数；

4、所述控制模块分别与所述存储模块、所述电压控制模块和所述电流检测模块连接，所述电压控制模块和所述电流检测模块分别与相应的功放芯片连接；

5、所述控制模块用于从所述存储模块中获取所述功放芯片的工作参数；

6、所述控制模块用于根据工作参数调整所述电压控制模块输出给所述功放芯片的vdd电压和vgg电压，还用于根据所述电流检测模块的电流检测结果调整所述电压控制模块输出给所述功放芯片的vgg电压，直至所述功放芯片的静态漏极电流满足要求。

7、优选的，所述存储模块包括存储芯片，所述存储芯片的数据引脚与所述控制模块的数据引脚连接，所述存储模块的控制引脚与所述控制模块的控制引脚连接。

8、优选的，所述电压控制模块包括vdd设置单元，所述vdd设置单元包括升压芯片、数字电位器和开关单元；

9、所述升压芯片的电压输出引脚与分压电阻的一端连接；所述分压电阻的另一端与所述数字电位器连接；

10、所述数字电位器的电阻调节引脚与所述控制模块连接；

11、所述升压芯片的反馈引脚与所述分压电阻与所述数字电位器之间的分压点连接；

12、所述开关单元的输入端与所述分压电阻的一端连接，所述开关单元的输出端与所述功放芯片的vdd接收引脚连接；所述开关单元的控制端与所述控制模块连接。

13、优选的，所述开关单元包括三极管和mos管，所述三极管的基极与所述控制模块连接，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极与所述分压电阻的一端连接，所述分压电阻的一端还与mos管的源极连接，mos管的栅极与所述三极管的集电极连接，mos管的漏极与所述功放芯片的vdd接收引脚连接。

14、优选的，所述电流检测模块包括ad芯片、放大器芯片和采样电阻；

15、所述采样电阻的一端与所述功放芯片的vdd接收引脚连接，所述采样电阻的另一端与所述vdd设置单元连接；

16、所述放大器芯片的正极输入端与负极输入端分别连接在所述采样电阻的两端；

17、所述放大器芯片的输出端与所述ad芯片的输入端连接；

18、所述ad芯片的数据输出引脚与所述控制模块连接，用于将探测到的电流信号传输至所述控制模块。

19、优选的，所述电压控制模块还包括vgg设置单元，所述vgg设置单元包括数模转换器芯片、第一级放大器和第二级放大器；

20、所述数模转换器芯片的控制引脚与所述控制模块连接，所述数模转换器芯片的电压输出引脚经过所述第一级放大器和所述第二级放大器后，与所述功放芯片的vgg接收引脚连接；

21、所述控制模块用于控制所述数模转换器芯片产生并输出正负电压，所述第一级放大器和所述第二级放大器用于将所述正负电压进行放大后，输入至所述功放芯片的vgg接收引脚。

22、优选的，所述射频功放控制装置还包括vgg检测单元，所述vgg检测单元包括第二ad芯片和第二放大器芯片；

23、所述第二放大器芯片的输入端与所述功放芯片的vgg接收引脚连接，用于检测所述功放芯片的栅极电压；

24、所述第二ad芯片的输出端与所述第二放大器芯片的输入端连接；

25、所述第二ad芯片的数据输出引脚与所述控制模块连接，用于将探测到的栅极电压信号传输至所述控制模块。

26、优选的，所述射频功放控制装置还包括射频信号产生模块，所述射频信号产生模块包括频率合成芯片和变压器芯片，所述频率合成芯片的正向输出端和负向输出端与所述变压器芯片的接收端连接；

27、所述频率合成芯片的控制端与所述控制模块连接，所述控制模块用于控制所述频率合成芯片的所述正向输出端和负向输出端产生差分射频信号；

28、所述变压器芯片用于将所述差分射频信号转换为单端射频信号，并将所述单端射频信号输入至所述功放芯片。

29、优选的，所述存储模块可以为eeprom芯片或flash芯片。

30、优选的，所述控制模块可以为mcu芯片和/或fpga芯片。

31、与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于：

32、本实用新型通过在存储模块中存储不同功放芯片的工作参数，并通过控制模块根据上位机的指令获取存储模块中功放芯片的工作参数，控制模块根据工作参数，调整所述电压控制模块输出给所述功放芯片的vdd电压和vgg电压，还用于根据所述电流检测模块的电流检测结果调整所述电压控制模块输出给所述功放芯片的vgg电压，直至所述功放芯片的静态漏极电流满足要求。基于本实用新型的电路结构设计，配套现有的控制机制，本实用新型可以根据功放芯片的类型作为指令传输给控制模块，可以自适应的调节电压控制模块所输出的电压信号，可以兼容多种功放芯片的工作参数。

技术特征：

1.一种自整定调节的射频功放控制装置，其特征在于，包括：控制模块、存储模块、电压控制模块和电流检测模块，所述存储模块中存储有不同功放芯片的工作参数；

2.根据权利要求1所述的自整定调节的射频功放控制装置，其特征在于，所述存储模块包括存储芯片，所述存储芯片的数据引脚与所述控制模块的数据引脚连接，所述存储模块的控制引脚与所述控制模块的控制引脚连接。

3.根据权利要求1所述的自整定调节的射频功放控制装置，其特征在于，所述电压控制模块包括vdd设置单元，所述vdd设置单元包括升压芯片、数字电位器和开关单元；

4.根据权利要求3所述的自整定调节的射频功放控制装置，其特征在于，所述开关单元包括三极管和mos管，所述三极管的基极与所述控制模块连接，所述三极管的发射极接地，所述三极管的集电极与所述分压电阻的一端连接，所述分压电阻的一端还与mos管的源极连接，mos管的栅极与所述三极管的集电极连接，mos管的漏极与所述功放芯片的vdd接收引脚连接。

5.根据权利要求3所述的自整定调节的射频功放控制装置，其特征在于，所述电流检测模块包括ad芯片、放大器芯片和采样电阻；

6.根据权利要求1所述的自整定调节的射频功放控制装置，其特征在于，所述电压控制模块还包括vgg设置单元，所述vgg设置单元包括数模转换器芯片、第一级放大器和第二级放大器；

7.根据权利要求1所述的自整定调节的射频功放控制装置，其特征在于，所述射频功放控制装置还包括vgg检测单元，所述vgg检测单元包括第二ad芯片和第二放大器芯片；

8.根据权利要求1所述的自整定调节的射频功放控制装置，其特征在于，所述射频功放控制装置还包括射频信号产生模块，所述射频信号产生模块包括频率合成芯片和变压器芯片，所述频率合成芯片的正向输出端和负向输出端与所述变压器芯片的接收端连接；

9.根据权利要求1-8任一项所述的自整定调节的射频功放控制装置，其特征在于，所述存储模块为eeprom芯片或flash芯片。

10.根据权利要求1-8任一项所述的自整定调节的射频功放控制装置，其特征在于，所述控制模块为mcu芯片和/或fpga芯片。

技术总结本技术涉及射频功放电子控制技术领域，特别是涉及一种自整定调节的射频功放控制装置，包括：控制模块、存储模块、电压控制模块和电流检测模块，存储模块中存储有不同功放芯片的工作参数；控制模块分别与存储模块、电压控制模块和电流检测模块连接，电压控制模块和电流检测模块分别与相应的功放芯片连接；控制模块用于从存储模块中获取功放芯片的工作参数；控制模块用于根据工作参数调整电压控制模块输出给功放芯片的VDD电压和VGG电压。基于本实施例的电路结构，可以自适应的调节电压控制模块所输出的电压信号，可以兼容多种功放芯片的工作参数。技术研发人员：刘敏,范蓓,吴俊杰,肖勇,刘志勇受保护的技术使用者：中科酷原量子科技（武汉）有限公司技术研发日：20231219技术公布日：2024/7/9