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一种双色COB喷粉钢网防溅结构的制作方法

  • 国知局
  • 2024-07-31 18:11:00

本技术涉及cob光源,特别涉及一种双色cob喷粉钢网防溅结构。

背景技术:

1、cob(即chip on board),板上芯片封装,cob光源通常包括基板,基板上设置有发光区、冷光正极焊盘、冷光负极焊盘、暖光正极焊盘、暖光负极焊盘和导电线路等;cob光源以寿命长、无污染、光效高等特点而得到广泛的应用。双色cob光源一般是在基板上设置有暖光(w)和冷光(c)两组芯片,两组芯片之间交替均匀分布,其中生产过程中暖光芯片为喷粉实现,冷光芯片为点粉实现,在喷粉时喷粉设备将荧光粉、胶水、稀释剂三者合一的组合剂通过雾化喷头将组合剂喷于芯片表面,在喷暖光芯片的过程中,现有的cob光源由于暖光芯片和冷光芯片没有设置隔断结构,组合剂难免会溅射到冷光芯片上,从而导致光斑效果较差,且存在杂色,使得良品率较低。

技术实现思路

1、本实用新型要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种双色cob喷粉钢网防溅结构,通过在暖光芯片与冷光芯片之间设置有隔断钢网结构,喷粉时可以防止组合剂溅射到冷光芯片上,从而能够实现更好的光斑效果且无杂色,提高生产时的良品率,良品率较高。

2、为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:

3、一种双色cob喷粉钢网防溅结构,包括cob基板,所述cob基板上设置有电源正极焊盘、若干个负极焊盘、若干个交替均匀分布的暖光芯片及冷光芯片,所述暖光芯片及冷光芯片均分别与所述电源正极焊盘及负极焊盘电性连接,所述cob基板上设置有若干个隔断钢网结构,所述隔断钢网结构设置于所述暖光芯片与冷光芯片之间。

4、优选地,所述隔断钢网结构包括若干个暖光芯片隔断钢网结构及若干个冷光芯片隔断钢网结构。

5、优选地,所述暖光芯片隔断钢网结构围设于所述暖光芯片的外侧,所述冷光芯片隔断钢网结构围设于所述冷光芯片的外侧。

6、优选地,所述cob基板上设置有若干个均匀分布的芯片焊盘,所述暖光芯片及冷光芯片均交替焊接于所述芯片焊盘上。

7、优选地,所述负极焊盘包括暖光负极焊盘及冷光负极焊盘,所述暖光负极焊盘及冷光负极焊盘分别与所述暖光芯片及冷光芯片电性连接。

8、优选地,所述电源正极焊盘及负极焊盘分别设置于所述cob基板的对角处。

9、采用上述技术方案,本实用新型提供的一种双色cob喷粉钢网防溅结构,具有以下有益效果:该双色cob喷粉钢网防溅结构中的cob基板上设置有电源正极焊盘、若干个负极焊盘、若干个交替均匀分布的暖光芯片及冷光芯片,该暖光芯片及冷光芯片均分别与该电源正极焊盘及负极焊盘电性连接,该cob基板上设置有若干个隔断钢网结构,该隔断钢网结构设置于该暖光芯片与冷光芯片之间,通过在暖光芯片与冷光芯片之间设置有隔断钢网结构,喷粉时可以防止组合剂溅射到冷光芯片上,从而能够实现更好的光斑效果且无杂色,大大提高了生产过程中的良品率,良品率较高。

技术特征:

1.一种双色cob喷粉钢网防溅结构,包括cob基板,所述cob基板上设置有电源正极焊盘、若干个负极焊盘、若干个交替均匀分布的暖光芯片及冷光芯片,所述暖光芯片及冷光芯片均分别与所述电源正极焊盘及负极焊盘电性连接,其特征在于:所述cob基板上设置有若干个隔断钢网结构,所述隔断钢网结构设置于所述暖光芯片与冷光芯片之间。

2.根据权利要求1所述的双色cob喷粉钢网防溅结构,其特征在于:所述隔断钢网结构包括若干个暖光芯片隔断钢网结构及若干个冷光芯片隔断钢网结构。

3.根据权利要求2所述的双色cob喷粉钢网防溅结构,其特征在于:所述暖光芯片隔断钢网结构围设于所述暖光芯片的外侧,所述冷光芯片隔断钢网结构围设于所述冷光芯片的外侧。

4.根据权利要求1所述的双色cob喷粉钢网防溅结构,其特征在于:所述cob基板上设置有若干个均匀分布的芯片焊盘,所述暖光芯片及冷光芯片均交替焊接于所述芯片焊盘上。

5.根据权利要求1所述的双色cob喷粉钢网防溅结构,其特征在于:所述负极焊盘包括暖光负极焊盘及冷光负极焊盘,所述暖光负极焊盘及冷光负极焊盘分别与所述暖光芯片及冷光芯片电性连接。

6.根据权利要求1所述的双色cob喷粉钢网防溅结构,其特征在于:所述电源正极焊盘及负极焊盘分别设置于所述cob基板的对角处。

技术总结本技术涉及COB光源技术领域,具体公开了一种双色COB喷粉钢网防溅结构,包括COB基板,所述COB基板上设置有电源正极焊盘、若干个负极焊盘、若干个交替均匀分布的暖光芯片及冷光芯片,所述暖光芯片及冷光芯片均分别与所述电源正极焊盘及负极焊盘电性连接,所述COB基板上设置有若干个隔断钢网结构,所述隔断钢网结构设置于所述暖光芯片与冷光芯片之间。本技术通过在暖光芯片与冷光芯片之间设置有隔断钢网结构,喷粉时可以防止组合剂溅射到冷光芯片上,从而能够实现更好的光斑效果且无杂色,提高生产时的良品率,良品率较高。技术研发人员:陶洪波,曲文亮,杨武受保护的技术使用者:广东犀朗光电科技有限公司技术研发日:20231125技术公布日:2024/7/25

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