一种多合一UV光源的制作方法
- 国知局
- 2024-07-31 18:18:36
本技术涉及紫外封装,具体涉及一种多合一uv光源。
背景技术:
1、6565型灯珠搭配4合1透镜是一种uv光源的封装形式,主要应用于杀菌医疗uv油墨固化及曝光机领域。
2、但是,市面上现有的产品,灯珠内部的led芯片多为两并两串的线路,无法有效的稳定每颗芯片的负载电流,造成两路led芯片电流不一致,一路电流高,一路电流低,从而影响光源的出光一致性。
3、同时,目前的在实现灯珠内部的led芯片的连接中,多通过纤细且长度适配的金线或银线,焊接在金属层之间实现led芯片之间的串并联,金线和银线相对较脆,容易受到外力或温度变化的影响,可能导致线断裂或连接失效,从而影响led芯片的性能和可靠性。
技术实现思路
1、解决的技术问题
2、针对现有技术所存在的上述缺点,本实用新型提供了一种多合一uv光源,能够有效地解决现有的多合一灯珠光源的出光不一致,以及容易受到外力或温度变化的影响,可能导致线断裂或连接失效的问题。
3、技术方案
4、为实现以上目的,本实用新型通过以下技术方案予以实现:
5、本实用新型提供一种多合一uv光源,包括陶瓷基板,其表面固定有用于焊接led芯片的金属层,所述金属层在一侧被分割为多个相互绝缘的金属焊盘,所述金属焊盘之间形成有凹陷的绝缘槽;
6、以及多个所述led芯片,所述led芯片一一对应焊接在所述金属焊盘上,依次在相邻所述led芯片正、负极所处的所述绝缘槽内填充可固化的导电件,将多个所述led芯片之间串联在一起。
7、进一步地,所述导电件的主体为类球体结构,所述导电件的底部固定在所述陶瓷基板上,其上部分别两侧的金属焊盘连接在一起。
8、进一步地,所述陶瓷基板上分布有多个凹槽体,所述凹槽体预置在所述绝缘槽分布的线路上。
9、进一步地,所述凹槽体为半球形槽体,所述半球形槽体的直径大于所述绝缘槽的槽体宽度,所述金属焊盘的边缘遮盖了部分所述半球形槽体。
10、进一步地,所述金属焊盘在遮盖所述半球形槽体的部分实体上开设有条形槽。
11、进一步地,所述导电件的材质为金锡合金或金铜合金。
12、进一步地,所述led芯片为uva正装芯片,所述led芯片的波长为250-460nm。
13、进一步地,所述陶瓷基板的边长为6.5mm,所述陶瓷基板为氮化铝材质。
14、进一步地,还包括透镜体,所述透镜体胶结封装在所述led芯片的上侧,所述透镜体形成多个与所述led芯片一一对应的球面。
15、有益效果
16、本实用新型提供的技术方案,与已知的公有技术相比,具有如下有益效果:
17、本产品的多合一灯珠,通过在绝缘槽内填充可固化的导电件,将多个led芯片之间全部串联在一起,led芯片的电压差异不影响电流,避免抢电状况发生,确保线路内的芯片,每颗都能通过相同的电流,确保出光一致性。同时,可固化的导电件的较现有技术中金线和银线连接方式,可以有效地避免受到外力或温度变化的影响,导致线断裂或连接失效的情况发生,保证灯珠性能和可靠性。
技术特征:1.一种多合一uv光源,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的一种多合一uv光源,其特征在于,所述导电件的主体为类球体结构,所述导电件的底部固定在所述陶瓷基板上,其上部分别两侧的金属焊盘连接在一起。
3.根据权利要求2所述的一种多合一uv光源,其特征在于,所述陶瓷基板上分布有多个凹槽体,所述凹槽体预置在所述绝缘槽分布的线路上。
4.根据权利要求3所述的一种多合一uv光源,其特征在于,所述凹槽体为半球形槽体,所述半球形槽体的直径大于所述绝缘槽的槽体宽度,所述金属焊盘的边缘遮盖了部分所述半球形槽体。
5.根据权利要求4所述的一种多合一uv光源,其特征在于,所述金属焊盘在遮盖所述半球形槽体的部分实体上开设有条形槽。
6.根据权利要求5所述的一种多合一uv光源,其特征在于,所述导电件的材质为金锡合金或金铜合金。
7.根据权利要求1所述的一种多合一uv光源,其特征在于,所述led芯片为uva正装芯片,所述led芯片的波长为250-460nm。
8.根据权利要求1所述的一种多合一uv光源,其特征在于,所述陶瓷基板的边长为6.5mm,所述陶瓷基板为氮化铝材质。
9.根据权利要求1所述的一种多合一uv光源,其特征在于,还包括透镜体,所述透镜体胶结封装在所述led芯片的上侧,所述透镜体形成多个与所述led芯片一一对应的球面。
技术总结本技术涉及紫外封装技术领域,具体涉及一种多合一UV光源,包括陶瓷基板,其表面固定有用于焊接LED芯片的金属层,所述金属层在一侧被分割为多个相互绝缘的金属焊盘,所述金属焊盘之间形成有凹陷的绝缘槽;以及多个所述LED芯片,所述LED芯片一一对应焊接在所述金属焊盘上,依次在相邻所述LED芯片正、负极所处的所述绝缘槽内填充可固化的导电件,将多个所述LED芯片之间串联在一起。本技术能够有效地解决现有的多合一灯珠光源的出光不一致,以及容易受到外力或温度变化的影响,可能导致线断裂或连接失效的问题。技术研发人员:杨斌,蔡俊受保护的技术使用者:山西华微紫外半导体科技有限公司技术研发日:20231114技术公布日:2024/7/25本文地址:https://www.jishuxx.com/zhuanli/20240731/178703.html
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