一种COB模组双路控制结构的制作方法

本技术涉及紫外封装，具体涉及一种cob模组双路控制结构。

背景技术：

1、紫外陶瓷cob集成模组是一种常用的封装形式，多个led芯片被密集地集成在同一个基板上，形成一个整体的光源，主要应用于uv油墨固化及曝光机领域。市面上现有的cob模组产品，多为单路输出，无法根据生产使用中的实际需求调整工作状态，造成能源浪费。

技术实现思路

1、解决的技术问题

2、针对现有技术所存在的上述缺点，本实用新型提供了一种cob模组双路控制结构，能够有效地解决现有的cob模组产品，多为单路输出，无法根据生产使用中的实际需求调整工作状态，造成能源浪费的问题。

3、技术方案

4、为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：

5、本实用新型提供一种cob模组双路控制结构，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有两个框架，所述框架内形成有开口的安装槽，所述安装槽内形成有焊盘区；

6、cob模组，cob模组包括多个led芯片，每组所述cob模组分别设置在所述安装槽内，多个led芯片连接在所述焊盘区上；

7、其中，位于所述的框架的外侧的陶瓷基板上设有两对正、负极触点，每组所述cob模组对应一对所述正、负极触点，所述正、负极触点与对应的cob模组之间通过可拆卸线路进行导通。

8、进一步地，所述焊盘区分割有多个相互绝缘的金属焊盘，多个led芯片呈矩阵分布焊接在金属焊盘之间，实现led芯片中间的串联或并联连接。

9、进一步地，所述框架为矩形框架，所述安装槽为矩形槽，每组所述cob模组的多个led芯片在所述安装槽内的连接线路为27串4并。

10、进一步地，所述led芯片为uva正装芯片，所述led芯片的波长为250-460nm。

11、进一步地，所述安装槽的上侧开口处胶结固定有矩形的石英片。

12、进一步地，所述正、负极触点为一个凸台体，所述凸台体的顶面上形成有两个条形槽，其中，两个所述条形槽呈直角分布，且所述条形槽一端贯穿所述凸台体。

13、进一步地，所述正、负极触点通过铜箔片与所述焊盘区导通连接，所述铜箔片贴附在陶瓷基板的表面上。

14、进一步地，所述陶瓷基板为氮化铝材质，所述陶瓷基板上均布有多个连接孔。

15、有益效果

16、本实用新型提供的技术方案，与已知的公有技术相比，具有如下有益效果：

17、本产品通过新的结构设计，对现有cob模组只能单路控制的缺点进行优化，产品通过采用双框架和双独立焊盘区的对称结构设计，同时配合每个cob模组对应独立的正、负极触点，形成一个双电路、双输出的cob控制电路，使用端的需求，可以单路单独工作或者双路同时工作，单独控制，无须强制双路同时工作，以达到节能的目的。

技术特征：

1.一种cob模组双路控制结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种cob模组双路控制结构，其特征在于，所述焊盘区分割有多个相互绝缘的金属焊盘，多个led芯片呈矩阵分布焊接在金属焊盘之间，实现led芯片中间的串联或并联连接。

3.根据权利要求2所述的一种cob模组双路控制结构，其特征在于，所述框架为矩形框架，所述安装槽为矩形槽，每组所述cob模组的多个led芯片在所述安装槽内的连接线路为27串4并。

4.根据权利要求3所述的一种cob模组双路控制结构，其特征在于，所述led芯片为uva正装芯片，所述led芯片的波长为250-460nm。

5.根据权利要求1所述的一种cob模组双路控制结构，其特征在于，所述安装槽的上侧开口处胶结固定有矩形的石英片。

6.根据权利要求1所述的一种cob模组双路控制结构，其特征在于，所述正、负极触点为一个凸台体，所述凸台体的顶面上形成有两个条形槽。

7.根据权利要求6所述的一种cob模组双路控制结构，其特征在于，两个所述条形槽呈直角分布，且所述条形槽一端贯穿所述凸台体。

8.根据权利要求7所述的一种cob模组双路控制结构，其特征在于，所述正、负极触点通过铜箔片与所述焊盘区导通连接，所述铜箔片贴附在所述陶瓷基板的表面上。

9.根据权利要求1所述的一种cob模组双路控制结构，其特征在于，所述陶瓷基板为氮化铝材质，所述陶瓷基板上均布有多个连接孔。

技术总结本技术涉及紫外封装技术领域，具体涉及一种COB模组双路控制结构，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板上设有两个框架，所述框架内形成有开口的安装槽，所述安装槽内形成有焊盘区，以及COB模组，COB模组包括多个LED芯片，每组所述COB模组分别设置在所述安装槽内，多个LED芯片连接在所述焊盘区上；其中，位于所述的框架的外侧的陶瓷基板上设有两对正、负极触点，每组所述COB模组对应一对所述正、负极触点，所述正、负极触点与对应的COB模组之间通过可拆卸线路进行导通。本技术能够有效地解决现有的COB模组产品，多为单路输出，无法根据生产使用中的实际需求调整工作状态，造成能源浪费的问题。技术研发人员：杨斌,蔡俊受保护的技术使用者：山西华微紫外半导体科技有限公司技术研发日：20231114技术公布日：2024/7/25