一种sic功率器件的制作方法

本发明涉及家具设备，具体为一种sic功率器件。

背景技术：

1、sic(碳化硅)是一种由si(硅)和c(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是si的10倍，带隙是si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越si极限的功率器件材料；sic的绝缘击穿场强是si的10倍，因此与si器件相比，能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600v～数千v的高耐压功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移层的阻抗组成，因此采用sic可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。

2、超结结构是半导体功率器件领域中的重大发明，它极大地优化了比导通电阻(ron,sp)和击穿电压(bv)的折中关系。但是超结结构存在着一些缺点，其中一个很重要的缺点就是如果电荷不平衡会导致bv降低。为了解决该问题，高k耐压层结构应运而生，这是在超结中的p柱和n柱的基础上，把p柱换成高k绝缘体的技术，这样不仅可以极大地优化ron,sp和bv的折中关系，还避免了超结结构当中电荷不平衡的问题。但是高k绝缘体所需要的介电常数很大，不适合高速开关应用。因此对于高k耐压层结构来说，找到一个合适的高k绝缘体材料是一个关键的问题。不论是超结耐压层结构的sicmosfet，还是高k耐压层结构的sicmosfet，它们的体pn结二极管的导通压降都为2.7v，因此它们的反向续流能力受到限制。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种通过活动靠背为人们提供乘坐，同时通过活动靠背背面的杯架和充电槽方便人们对手机进行充电的sic功率器件,以解决了上述背景技术中提出的问题。

2、为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种sic功率器件，包括：衬底；漏极金属层，所述漏金属层设置于所述衬底下；源极金属层，源极金属层与漏极金属层平行布置且设在漏极金属层上方；

3、源极沟槽，所述源极沟槽设在源极金属层下端；

4、漂移层，所述漂移区设置于所述衬底顶端；

5、电流扩展层，所述电流扩展层设置于所述漂移层顶端。

6、进一步的，所述漂移层一侧设有高k绝缘层，高k绝缘层宽度小于沟槽的宽度。

7、进一步的，所述高k绝缘层与漂移层相对面设有p柱。

8、进一步的，所述源极沟槽内设有钛层，在源极沟槽侧壁与电流扩展层形成肖特基接触。

9、进一步的，所述沟槽的宽深比为1-5。

10、本发明对于现有技术,具有以下有益效果:

11、1.本发明的高k绝缘体的介电常数比较低，可以扩大材料范围，同时n型漂移区的掺杂浓度还可进一步提升，使得ron,sp和bv的折中关系较好，通过集成的sbd，使得本发明的功率器件有较好的反向恢复时间、反向恢复峰值电流和反向恢复电荷。

技术特征：

1.一种sic功率器件，其特征在于，包括：衬底；漏极金属层，所述漏金属层设置于所述衬底下；源极金属层，源极金属层与漏极金属层平行布置且设在漏极金属层上方；

2.根据权利要求1所述的sic功率器件，其特征在于：所述漂移层一侧设有高k绝缘层，高k绝缘层宽度小于沟槽的宽度。

3.根据权利要求2所述的sic功率器件，其特征在于：所述高k绝缘层与漂移层相对面设有p柱。

4.根据权利要求1所述的sic功率器件，其特征在于：所述源极沟槽内设有钛层，在源极沟槽侧壁与电流扩展层形成肖特基接触。

5.根据权利要求1所述的sic功率器件，其特征在于：所述沟槽的宽深比为1-5。

技术总结本发明涉及半导体设备领域，具体公开了一种sic功率器件，包括：衬底；漏极金属层，所述漏金属层设置于所述衬底下；源极金属层，源极金属层与漏极金属层平行布置且设在漏极金属层上方；源极沟槽，所述源极沟槽设在源极金属层下端；漂移层，所述漂移区设置于所述衬底顶端；电流扩展层，所述电流扩展层设置于所述漂移层顶端，本发明提出结构在反向导通时，电流扩展层没有完全耗尽，因此该集成的SBD是开启的，电子就会通过肖特基接触，经过电流扩展层，N型漂移区，然后到达漏极金属层，从而实现了很好的反向续流能力。技术研发人员：张祁祁受保护的技术使用者：张祁祁技术研发日：技术公布日：2024/7/25