具有接头结构的封装结构的制作方法

本技术的实施例涉及一种封装结构，且特别是涉及一种具有接头结构的封装结构。

背景技术：

1、半导体组件使用于各种电子应用，例如个人计算机、手机、数字相机以及其他电子设备。半导体组件通常通过在半导体衬底上依序沉积绝缘层或介电层、导电层以及半导体材料层，并使用微影工艺对各种材料层进行图案化以在其上形成电路构件与组件来制造。许多集成电路通常是在单一个半导体晶圆上制造的，晶圆上的各个管芯通过沿着切割道在集成电路之间进行锯切来进行单体化。一般来说，单独的管芯个别封装，举例来说，可封装在多芯片模块中，或在其他类型的封装体中。

2、已开始发展新的封装技术，例如堆叠封装(package-on-package，pop)，其中将带有组件管芯的顶部封装体与带有另一个组件管芯的底部封装体接合在一起。通过采用这些新的封装技术，可以将具有不同或相似功能的各种封装体整合在一起。

3、尽管现有的封装结构与制造封装结构的方法通常足以满足它们的预期目的，但并非在所有方面都能完全令人满意。

技术实现思路

1、本实用新型的实施例提供一种具有接头结构的封装结构。接头结构包括：第一凸块下金属(under bump metallurgy，ubm)结构，配置在第一介电层上，其中第一ubm结构至少包括：阻障层，内埋在第一介电层中；以及上金属层，配置在阻障层上，其中阻障层的侧壁相对于上金属层的侧壁在侧向上向外偏移，且阻障层的顶面的一部分外露于第一介电层；以及焊料层，配置在第一ubm结构上且接触上金属层。

2、本实用新型的实施例提供一种具有接头结构的封装结构。接头结构包括：ubm凸块下金属(ubm)结构，配置在介电层上，其中ubm结构包括：第一金属层，内埋在介电层中；第二金属层，配置在第一金属层上；以及阻障层，垂直配置在第一金属层与第二金属层之间，其中阻障层的侧壁突出于第二金属层的侧壁至一非零距离，且阻障层经组态为具有比第二金属层更难以形成介金属化合物(intermetallic compound，imc)的金属材料；焊料层，上覆第二金属层的顶面与侧壁；以及imc层，配置在焊料层与第二金属层之间且接触焊料层与第二金属层。

3、基于上述，本实施例的封装结构包括较宽的阻障层被用以当作挡坝结构以防止焊料层接触下方的重分布层与介电层。阻障层经组态为具有比金属层更难与焊料层形成介金属化合物的金属材料。如此一来，可避免介电分层的问题，进而提升封装结构的接头结构的可靠度与良率。

4、为让本实用新型的实施例的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

技术特征：

1.一种具有接头结构的封装结构，其特征在于，所述接头结构包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，其中所述阻障层的所述侧壁与所述上金属层的所述侧壁之间具有一非零距离，且所述非零距离介于0.5微米至20微米。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，更包括：

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，其中所述阻障层的材料不同于所述下金属层以及/或所述上金属层的材料。

5.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，其中所述阻障层包括：

6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，更包括：介金属化合物层配置在所述焊料层与所述上金属层之间。

7.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，更包括：

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，更包括：

9.一种具有接头结构的封装结构，其特征在于，所述接头结构包括：

10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，其中所述非零距离介于0.5微米至20微米。

技术总结本技术的实施例提供一种具有接头结构的封装结构。封装结构包括：第一凸块下金属(under bump metallurgy，UBM)结构，配置在第一介电层上，其中第一UBM结构至少包括：阻障层，内埋在第一介电层中；以及上金属层，配置在阻障层上，其中阻障层的侧壁相对于上金属层的侧壁在侧向上向外偏移，且阻障层的顶面的一部分外露于第一介电层；以及焊料层，配置在第一UBM结构上且接触上金属层。封装结构包括较宽的阻障层被用以当作挡坝结构以防止焊料层接触下方的重分布层与介电层。技术研发人员：吴志伟,邱文智,施应庆受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司技术研发日：20231024技术公布日：2024/7/25