一种硅晶片热退火处理装置的制作方法

本技术涉及硅晶片加工，尤其涉及一种硅晶片热退火处理装置。

背景技术：

1、硅晶片又称晶圆片，由硅锭加工制成，并可通过特定的工艺方法在硅晶片表面刻蚀出数以百万计的晶体管，被广泛应用于集成电路的制造，在硅晶片的加工制程中，需要对硅晶片进行热退火处理，通过将硅晶片加热到一定温度，并在此温度下保持一段时间，接着以受控的速度冷却，以改善硅晶片材料的微观结构和性能，进而提高硅晶片的稳定性和可靠性、提高硅晶片的质量及优化晶体器件的性能和可靠性。对于热退火处理所依赖的热处理装置，为了保证硅晶片热退火处理的效果，现有技术中大多在热处理装置中装配一个上盖板，且设置于硅晶片的上方，可在加热器加温时，使得整个硅晶片的受热面积更加均匀。在高温制程中，溅镀在硅晶片的金属材料会因高温而产生散逸的现象，附着在热处理装置内部腔体上导致腔体发生污染问题，上盖板也可减缓腔体的污染现象；同时，上盖板还可防止腔体内硅晶片上的金属材料会发出的气体影响腔体内的氮气流动，以进一步保证硅晶片热退火处理的效果。

2、由于前述上盖板的设计，从热处理装置中取出热处理后的硅晶片时，需要增加取出上盖板的步骤。现有技术中大多采用吸取的方式予以实现，即，通过吸力对上盖板吸取，而此种方式存在取片过程繁琐的问题，并具体而言，用户需要基于上盖板的重量、材质等因素对吸力进行精准控制，若吸力不足，则会出现由于未取出上盖板导致取片失败的问题，若吸力较大，则会出现上盖板与硅晶片一同被吸取导致硅晶片受污染的问题。同时，此种方式需要在硅晶片降温后进行上盖板的吸取操作，而设置于硅晶片上方的上盖板会存在影响硅晶片散热的问题，并由此导致取片耗时较长的缺陷。

3、有鉴于此，有必要对现有技术中的硅晶片的热处理装置予以改进，以解决上述问题。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于解决现有的热处理装置中由于上盖板设置于硅晶片的上方且需要在硅晶片降温后进行上盖板的吸取操作所存在的影响硅晶片散热的问题与取片耗时较长的问题，以及取出上盖板过程中需要对吸力进行精准控制所存在的取片过程繁琐的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型揭示了一种硅晶片热退火处理装置，包括：

3、壳体、纵向依次设置于壳体内的盖板、支撑板以及分离组件；

4、所述分离组件包括：设置于所述支撑板底部且由至少两个纵向设置的第一顶柱构成的第一顶柱组与驱动所述第一顶柱组的驱动组件；

5、所述驱动组件向所述第一顶柱组施加纵向方向的驱动力，驱动所述第一顶柱组纵向移动，以由所述第一顶柱推动所述盖板纵向移动使得所述盖板与所述支撑板所放置的硅晶片在贴合状态与分离状态之间予以切换；

6、其中，所述盖板由内向外被构造出与所述硅晶片贴合的第一导热区与第一边缘区。

7、作为本实用新型的进一步改进，所述分离组件还包括：设置于所述支撑板底部且与所述第一顶柱组共同被所述驱动组件所驱动以仅推动硅晶片纵向移动的第二顶柱组；

8、所述第二顶柱组由至少一个纵向设置的第二顶柱构成，所述支撑板开设供所述第二顶柱贯穿的第一贯穿孔。

9、作为本实用新型的进一步改进，所述支撑板由内向外被构造出与所述硅晶片贴合的第二导热区与第二边缘区，所述第一贯穿孔开设于所述第二导热区。

10、作为本实用新型的进一步改进，所述第二边缘区开设供所述第一顶柱贯穿的第二贯穿孔。

11、作为本实用新型的进一步改进，所述壳体包括：设置于支撑板底部且与所述壳体固定连接的固定架；

12、所述固定架通过至少一个锁紧件与所述支撑板形成可拆卸装配。

13、作为本实用新型的进一步改进，所述固定架凸设第一限位件与第二限位件，且第一限位件、第二限位件分别与所述盖板、所述支撑板形成接触以分别限制盖板的横向位置、支撑板的横向位置。

14、作为本实用新型的进一步改进，所述第一边缘区开设供所述第一限位件贯穿的第一限位孔，所述第二边缘区开设供所述第二限位件贯穿的第二限位孔。

15、作为本实用新型的进一步改进，所述第一顶柱组由至少三个第一顶柱构成，且自硅晶片的中轴线呈均匀分布。

16、作为本实用新型的进一步改进，所述第二顶柱组由至少三个第二顶柱构成，且自硅晶片的中轴线呈均匀分布。

17、作为本实用新型的进一步改进，所述硅晶片热退火处理装置还包括：取片组件；

18、所述壳体侧部开设供所述取片组件伸入夹取并取出所述硅晶片的出口。

19、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

20、通过驱动组件同时驱动第一顶柱与第二顶柱纵向向上移动时，可分别将盖板与硅晶片推动至不同的水平位置，由此硅晶片与盖板、支撑板均形成分离，从而更一步加快硅晶片的冷却速度，减少硅晶片的冷却时间；同时，于壳体侧部开设供取片组件伸入夹取并取出硅晶片的出口，由取片组件自出口伸入以夹取仅被第二顶柱组所支撑的硅晶片，而不需要执行盖板的取出操作，由此直接实现对硅晶片的取片，从而解决现有技术中需要对盖板进行吸取与需要对吸力进行精准控制所导致的取片过程繁琐的问题。

技术特征：

1.一种硅晶片热退火处理装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述分离组件还包括：设置于所述支撑板底部且与所述第一顶柱组共同被所述驱动组件所驱动以仅推动硅晶片纵向移动的第二顶柱组；

3.根据权利要求2所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述支撑板由内向外被构造出与所述硅晶片贴合的第二导热区与第二边缘区，所述第一贯穿孔开设于所述第二导热区。

4.根据权利要求3所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述第二边缘区开设供所述第一顶柱贯穿的第二贯穿孔。

5.根据权利要求3所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述壳体包括：设置于支撑板底部且与所述壳体固定连接的固定架；

6.根据权利要求5所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述固定架凸设第一限位件与第二限位件，且第一限位件、第二限位件分别与所述盖板、所述支撑板形成接触以分别限制盖板的横向位置、支撑板的横向位置。

7.根据权利要求6所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述第一边缘区开设供所述第一限位件贯穿的第一限位孔，所述第二边缘区开设供所述第二限位件贯穿的第二限位孔。

8.根据权利要求1所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述第一顶柱组由至少三个第一顶柱构成，且自硅晶片的中轴线呈均匀分布。

9.根据权利要求2所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述第二顶柱组由至少三个第二顶柱构成，且自硅晶片的中轴线呈均匀分布。

10.根据权利要求2所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述硅晶片热退火处理装置还包括：取片组件；

技术总结本技术提供了一种硅晶片热退火处理装置，该装置包括：壳体、纵向依次设置于壳体内的盖板、支撑板以及分离组件；分离组件包括：设置于支撑板底部且由至少两个纵向设置的第一顶柱构成的第一顶柱组与驱动第一顶柱组的驱动组件；驱动组件向第一顶柱组施加纵向方向的驱动力，驱动第一顶柱组纵向移动，以由第一顶柱推动盖板纵向移动使得盖板与支撑板所放置的硅晶片在贴合状态与分离状态之间予以切换；其中，盖板由内向外被构造出与硅晶片贴合的第一导热区与第一边缘区。通过本技术，减少硅晶片的冷却时间，并简化了取片过程。技术研发人员：许志宏,林文玮,赖政志,林锦辉,李奕攸,萧志斌受保护的技术使用者：苏州芯默科技有限公司技术研发日：20231031技术公布日：2024/7/25