一种硅片缓存机构的制作方法

本申请涉及硅片加工领域，具体而言，涉及一种用于硅片缓存载具的缓存机构。

背景技术：

1、硅片在缓存临时放置，其表面洁净度在整个硅电池制备领域中极其重要。如果缓存齿表面存在污染物、磨损过度或者碎片会对硅片造成一定的影响，其中缓存齿表面附着污染物接触硅片会增加少子复合增加缺陷，缓存齿pvc材质使用一定次数后会产生毛刺以及粗糙表面对接触的硅片表面造成一定的摩擦损伤，平面的pvc接触面使得制程中碎片无法完全脱落，部分残留在缓存齿内会在硅片运输过程中对硅片造成划伤以及卡片等异常，造成缺陷和大量返工片，部分带有缺陷的硅片即使经过湿法去除表面缺陷但内部缺陷也会造成el以及电性能异常。本发明是改进车间机台缓存结构和材质，将扁平的pvc材质的接触面改进成陶瓷材质圆柱状，利用接触面光滑度降低碎片残留以及颗粒污染物残留，保持硅片表面不接触颗粒污染物，减少表面污染对硅片的影响，同时陶瓷圆柱耐磨材质解决的pvc材质因长期使用产生毛刺粗糙面对硅片的摩擦划伤影响，极大的提高了成品率，而且对硅片整体的电性能提升也有优势。

2、目前业内车间缓存大都是扁平面pvc材质，pvc材质虽然制造成本低，扁平面接触面积大，能够给予硅片更大的接触承托；但是pvc材质耐磨程度受限，时间久了摩擦造成毛刺以及粗糙表面，扁平面容易残留制程中碎片以及其它颗粒污染物；扁平面的缓存清理过程中也受间距影响难清理。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本申请提供了一种新的用于硅片缓存载具的缓存机构。

2、本申请的技术方案如下：

3、一种硅片缓存机构，其特征在于，包括：

4、两个缓存支架，所述两个缓存支架相对设置且间隔固定距离；以及

5、多个圆柱状缓存齿，所述多个圆柱状缓存齿间隔设置在所述缓存支架上，所述圆柱状缓存齿与沿缓存支架竖直向上的方向呈85°夹角。

6、进一步的，在两个所述缓存支架的相对一侧上间隔设置有缓存齿，所述缓存齿设置有n行，其中10≤n≤20，n为正整数，每一行平行设置有2或3个缓存齿，每行所设置的缓存齿数量相同。

7、进一步的，在两个所述缓存支架之间，每一行缓存齿用于共同搭载一片硅片，用于搭载硅片的空间形成为容纳槽。

8、进一步的，其特征在于，所述容纳槽的长度范围是18～22mm。

9、进一步的，所述容纳槽能够容纳3mm及以下尺寸的硅片。

10、进一步的，其特征在于，每一行所述缓存齿相隔的高度范围是8～12mm。

11、进一步的，所述缓存齿的直径范围是3～5mm。

12、进一步的，所述缓存齿的材质为99氧化铝陶瓷。

13、更进一步的，其应用于链式湿刻机、pecvd、管式高温设备、ald设备的上下料过程。

14、本申请的有益效果为：

15、本申请所提供的缓存机构，利用光滑的圆柱状缓存齿最大限度降低污染物、碎片附着在缓存齿表面，同时使圆柱状缓存齿与沿缓存支架竖直向上的方向呈85°夹角可以在不影响硅片存放的前提下，更大程度的降低污染物残留在缓存齿的可能，增大缓存齿使用寿命的同时降低了生产过程中损坏硅片的风险；陶瓷材质可以解决业内因pvc等其它材质缓存摩擦造成粗糙面对硅片的损伤；同时，可以降低因硅片接触缓存附着污染物以及碎片造成的外观缺陷、el缺陷以及电性能异常，从而提高良率降低成本。

技术特征：

1.一种硅片缓存机构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的机构，其特征在于，在两个所述缓存支架的相对一侧上间隔设置有缓存齿，所述缓存齿设置有n行，其中10≤n≤20，n为正整数，每一行平行设置有2或3个缓存齿，每行所设置的缓存齿数量相同。

3.根据权利要求2所述的机构，其特征在于，在两个所述缓存支架之间，每一行缓存齿用于共同搭载一片硅片，用于搭载硅片的空间形成为容纳槽。

4.根据权利要求3所述的机构，其特征在于，所述容纳槽的长度范围是18～22mm。

5.根据权利要求3所述的机构，其特征在于，所述容纳槽能够容纳3mm及以下尺寸的硅片。

6.根据权利要求2所述的机构，其特征在于，每一行所述缓存齿相隔的高度范围是8～12mm。

7.根据权利要求1所述的机构，其特征在于，所述缓存齿的直径范围是3～5mm。

8.根据权利要求1所述的机构，其特征在于，所述缓存齿的材质为99氧化铝陶瓷。

技术总结本申请公开的一种用于硅片缓存载具的缓存机构涉及硅片加工领域，该机构包括两个缓存支架，两个缓存支架相对设置且间隔固定距离；以及多个圆柱状缓存齿，所述多个圆柱状缓存齿间隔设置在所述缓存支架上，所述圆柱状缓存齿与沿缓存支架竖直向上的方向呈85°夹角，两个所述缓存支架的相对一侧上间隔设置有缓存齿，缓存齿有若干行，每一行平行设置有多个缓存齿，在两个缓存支架之间，每一行缓存齿用于共同搭载一片硅片，用于搭载硅片的空间为容纳槽用于容纳硅片，利用光滑的圆柱状缓存齿最大限度降低污染物、碎片附着在缓存齿表面，陶瓷材质的缓存齿可以降低因硅片接触污染物以及碎片造成的外观缺陷、EL缺陷以及电性能异常，从而提高良率降低成本。技术研发人员：李亚兵,罗烨栋受保护的技术使用者：新疆中部合盛硅业有限公司技术研发日：20230728技术公布日：2024/7/29