一种电磁屏蔽芯片结构的封装工艺方法与流程

本发明涉及一种芯片封装工艺，具体涉及一种有电磁屏蔽功能结构的芯片封装工艺，属于半导体封装。

背景技术：

1、在集成电路中，为了保证电路板上的电子组件正常工作，一般需要对电子组件做电磁屏蔽，一是符合电磁兼容（emc）规范，二是避免电子组件受到外部的电磁波干扰（emi）或避免电子组件产生的电磁波向外辐射。

2、传统方式是将金属屏蔽罩安装在封装基板上，通过与封装基板上的接地端相连构建“法拉第笼”，起到有效的电磁屏蔽效果。

3、当前电磁屏蔽加工方法为：在封装基板上完成晶圆粘贴、焊线、植球等封装工序后，产品切成单颗转贴到pi膜上，用片环固定，再放到溅镀载具上，溅镀设备采用真空溅镀技术，利用电浆对靶材进行离子轰击，将靶材表面的离子撞击出来，这些靶材原子以气体分子形式发射出来，到达沉积的基板上，经过附着、吸附、表面迁移、成核等过程后在半导体器件上形成一层金属层，即屏蔽层。

4、但是，溅镀工艺成本较高。

技术实现思路

1、为解决现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种电磁屏蔽芯片结构的封装工艺方法。

2、为了实现上述目标，本发明采用如下的技术方案：

3、一种电磁屏蔽芯片结构的封装工艺方法，在基板完成晶圆的粘贴、封胶、植球、包封，包括以下步骤：

4、s1、于包封的塑封料面，将产品沿切割道划开；

5、s2、于塑封料面，覆盖金属膜；

6、s3、沿切割道将产品切割为芯片单品。

7、上述步骤s1中划开的切割道通透基板。

8、上述步骤s2中金属膜的覆盖区域包括切割道的道内。

9、进一步的，上述步骤s2中金属膜的覆盖区域包括基板的侧面。

10、上述金属膜的覆盖采用压膜工艺。

11、上述金属膜为可导电金属膜，一般为铝膜、铜膜、金膜、银膜。

12、上述金属膜的厚度为3-6微米。

13、本发明的有益之处在于：

14、本发明的一种电磁屏蔽芯片结构的封装工艺方法，采用金属膜作为屏蔽层，在芯片用塑封料包封后，以膜压的金属膜替代溅镀工艺，在芯片除基板下表面外形成金属膜包裹层，达到电磁屏蔽的效果。

15、本发明的封装工艺方法，简化了工艺步骤，无需封装后将产品转贴在pi膜上再溅镀，可以直接在切割膜上进行压膜和后续切割，大大降低了成本，提高了制造效率，具有很强的实用性和广泛地适用性。

技术特征：

1.一种电磁屏蔽芯片结构的封装工艺方法，在基板完成晶圆的粘贴、封胶、植球、包封，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的封装工艺方法，其特征在于，所述步骤s1中划开的切割道通透基板。

3.根据权利要求1所述的封装工艺方法，其特征在于，所述步骤s2中金属膜的覆盖区域包括切割道的道内。

4.根据权利要求2所述的封装工艺方法，其特征在于，所述步骤s2中金属膜的覆盖区域包括基板的侧面。

5.根据权利要求1所述的封装工艺方法，其特征在于，所述金属膜的覆盖采用压膜工艺。

6.根据权利要求1所述的封装工艺方法，其特征在于，所述金属膜包括铝膜、铜膜、金膜、银膜。

7.根据权利要求1所述的封装工艺方法，其特征在于，所述金属膜的厚度为3-6微米。

技术总结本发明的一种电磁屏蔽芯片结构的封装工艺方法，在基板完成晶圆的粘贴、封胶、植球、包封；于包封的塑封料面，将产品沿切割道划开；于塑封料面，覆盖金属膜；沿切割道将产品切割为芯片单品。其采用金属膜作为屏蔽层，在芯片用塑封料包封后，以膜压的金属膜替代溅镀工艺，在芯片除基板下表面外形成金属膜包裹层，达到电磁屏蔽的效果。本发明的封装工艺方法，简化了工艺步骤，无需封装后将产品转贴在PI膜上再溅镀，可以直接在切割膜上进行压膜和后续切割，大大降低了成本，提高了制造效率，具有很强的实用性和广泛地适用性。技术研发人员：陈晗玥受保护的技术使用者：江苏芯德半导体科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29