单片LED阵列及其制造方法与流程

本公开的实施例总体上涉及发光器件及其制造方法。更特别地，实施例涉及一种发光二极管阵列，该发光二极管阵列包括未封装的发光二极管，这些未封装的发光二极管布置在网格中并通过反射涂层材料和光吸收材料固定就位(fixed in place)。

背景技术：

1、发光二极管(led)是一种半导体光源，当电流流过它时，其发射可见光。led组合了p型半导体与n型半导体。led通常使用iii族化合物半导体。iii族化合物半导体在比使用其他半导体的器件更高的温度下提供稳定的操作。iii族化合物通常形成在由蓝宝石或碳化硅(sic)形成的衬底上。

2、对于在高亮度应用中使用的led阵列，来自led的侧面光发射需要被高反射涂层阻挡。反射侧涂层的厚度和led放置工艺的精度要求发光区域之间的距离在500μm到600μm的数量级。发光区域之间的大距离导致在投射的光束中的非常明显的暗线，这干扰led阵列的应用。附加地，led放置的旋转精度可以导致投射的光束失真，并且可以降低投射的光束的最大强度。

3、因此，需要在发光区域之间具有最小暗间隙的发光二极管(led)阵列。

技术实现思路

1、本公开的实施例针对发光器件。在一个实施例中，一种发光器件包括：布置在网格中的多个未封装的发光二极管，每个未封装的发光二极管被反射涂层材料包围，其中网格中的每个未封装的发光二极管被反射涂层材料固定就位。

2、本公开的实施例针对制造发光二极管(led)器件的方法。在一个或多个实施例中，一种制造发光二极管(led)器件的方法包括：将多个未封装的发光二极管附接到支撑材料；在多个未封装的发光二极管中的每一个周围形成反射涂层材料；在多个未封装的发光二极管中的每一个之间的反射涂层材料中形成开口，该开口延伸穿过反射涂层材料；在开口中沉积光吸收材料；以及从支撑材料移除多个未封装的发光二极管以形成发光二极管(led)阵列。

技术特征：

1.一种发光器件，包括布置在网格中的多个未封装的发光二极管，每个未封装的发光二极管被反射涂层材料包围，其中所述网格中的每个未封装的发光二极管被所述反射涂层材料固定就位。

2.根据权利要求1所述的发光器件，还包括分隔所述多个未封装的发光二极管的光吸收材料层。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述光吸收材料部分地分隔所述多个未封装的发光二极管。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述多个未封装的发光二极管中的每一个包括至少一个电接触、蓝宝石衬底、和光转换层。

5.根据权利要求1所述的发光器件，还包括印刷电路板(pcb)，其中led阵列安装在所述pcb上。

6.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述光转换层包括磷光体，并且其中所述至少一个电接触包括铜(cu)、镍(ni)、铝(al)和金(au)中的一种或多种。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述磷光体选自陶瓷磷光体板或硅树脂中的磷光体。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射涂层材料包括硅树脂、二氧化硅(sio2)、氧化钛(tio2)、氧化锆(zro2)、氧化铝(al2o3)和其他金属氧化物中的一种或多种。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中光吸收材料包括硅树脂、碳颗粒或金属材料中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的发光器件，其中多个未封装的发光二极管(led)管芯中的每一个与相邻的多个未封装的发光二极管(led)管芯分隔在约10μm至约500μm范围内的距离。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射涂层材料的反射率在从80％至100％的范围内。

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射涂层材料的厚度在从10μm至500μm的范围内。

13.一种制造发光二极管(led)器件的方法，所述方法包括：

14.根据权利要求13所述的方法，还包括平面化所述光吸收材料。

15.根据权利要求14所述的方法，还包括锯切所述发光二极管(led)阵列。

16.根据权利要求14所述的方法，还包括将所述发光二极管(led)阵列焊接到印刷电路板(pcb)。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述开口部分地延伸穿过所述反射涂层材料。

技术总结描述了一种发光器件及其制造方法。发光器件包括布置在网格中的未封装的发光二极管。未封装的发光二极管通过反射涂层材料固定就位。多个未封装的发光二极管中的每一个都被反射涂层材料包围，并且可以被光吸收材料层分隔。技术研发人员：G·巴辛,M·富斯曼,N·莱斯奇受保护的技术使用者：亮锐有限责任公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29