太阳能电池及光伏组件的制作方法

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

背景技术：

1、光伏太阳能电池是一种扁平的半导体元件，其中借助入射电磁辐射产生载流子对并随后被分离，从而在太阳能电池的至少两个金属接触结构之间出现电势，并且可通过与该接触结构相连的外部电路量取太阳能电池的电功率。载流子分离在pn结处进行，在基极掺杂型硅衬底中进行与之相反的掺杂型掺杂以形成发射极。为了将入射电磁辐射转化为电能，采用了以下模块，其包括多个光伏太阳能电池。当安装到光伏模块中时，这些太阳能电池串联组装成所谓的行列。一个模块一般包括多个行列。当这样的模块运行时，可能出现热斑效应所带来的热问题。

2、太阳能电池的遮蔽是在现场因固有遮蔽物体(例如电线杆或树木)和/或因落在模块上的碎片或模块上累积的污物所导致的正常发生的事件。遮蔽太阳能电池的一部分可导致二极管进入反向偏压，这样可导致其耗散功率而非产生功率，并且可导致冷却液太阳能电池发热。这样会降低系统的性能，可导致电池击穿，并且如果产生热点则还可导致潜在的可靠性危险。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，至少有利于改善由于热斑效应所致的热问题且保证太阳能电池的美观性。

2、根据本申请一些实施例，本申请实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底具有相对设置的第一表面以及第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有至少一个侧面；第一掺杂半导体层，所述第一掺杂半导体层位于所述第一表面上；第二掺杂半导体层，所述第二掺杂半导体层位于所述第二表面上；所述第一掺杂半导体层内的第一掺杂元素与所述第二掺杂半导体层内的第二掺杂元素的导电类型不同；钝化层，所述钝化层位于所述第一掺杂半导体层表面、第二掺杂半导体层表面以及所述侧面；至少一个导电结构，所述导电结构位于所述侧面上，所述导电结构其中一端延伸至所述第一表面并与所述第一掺杂半导体层电接触，所述导电结构的另一端延伸至所述第二表面并与所述第二掺杂半导体层电接触；第一电极以及第二电极，所述第一电极与所述第一掺杂半导体层电接触；所述第二电极与所述第二掺杂半导体层电接触。

3、在一些实施例中，所述导电结构包括本体部以及至少一个延伸部，所述延伸部的一端与所述本体部连续，所述延伸部的另一端与所述第一掺杂半导体层或者所述第二掺杂半导体层的一者电接触。

4、在一些实施例中，与所述第一掺杂半导体层接触的部分所述延伸部作为第一部，与所述第二掺杂半导体层接触的部分所述延伸部作为第二部；沿所述第一部朝向所述本体部的方向，所述第一部的截面积递减；和/或，沿所述第二部朝向所述本体部的方向，所述第二部的截面积递减。

5、在一些实施例中，同一所述导电结构中，所述延伸部的个数与所述导电结构最小截面积的关系满足：每20μm2内的导电结构的延伸部的数量为1个～5个。

6、在一些实施例中，所述至少一个导电结构的总面积占所述侧面的总面积的1％-100％。

7、在一些实施例中，沿第一方向，每单位面积的所述侧面内，所述导电结构的截面积之间的差值与所述导电结构的比值范围小于或等于0.3，所述第一方向垂直于所述基底的厚度方向。

8、在一些实施例中，所述导电结构包括第一导电层以及第二导电层，所述第一导电层与所述第一掺杂半导体层电接触，所述第二导电层与所述第二掺杂半导体层电接触；所述第一导电层的侧面与所述第二导电层的侧面电接触；或者，沿所述第一导电层的厚度方向，所述第一导电层位于所述第二导电层与所述侧面之间。

9、在一些实施例中，所述第一导电层具有第一本体部以及至少一个第一延伸部，所述第一延伸部与所述第一本体部相接触，所述第一延伸部或者所述第一本体部的其中一者与所述第一掺杂半导体层接触，所述第一延伸部或者所述第一本体部的另一者与所述第二导电层接触。

10、在一些实施例中，所述第二导电层具有第二本体部以及至少一个第二延伸部，所述第二延伸部与所述第二本体部相接触，所述第二延伸部或者所述第二本体部的其中一者与所述第二掺杂半导体层接触，所述第二延伸部或者所述第二本体部的另一者与所述第一导电层接触。

11、在一些实施例中，所述第一导电层具有第一本体部以及至少一个第一延伸部，所述第一延伸部与所述第一本体部相接触；且所述第二导电层具有第二本体部以及至少一个第二延伸部，所述第二延伸部与所述第二本体部相接触；所述第二延伸部与所述第一本体部或者所述第一延伸部接触；或者，所述第二本体部与所述第一本体部与所述第一延伸部接触。

12、在一些实施例中，所述导电结构的材料包括金属材料或者半导体材料。

13、在一些实施例中，所述导电结构的材料与所述第一电极或所述第二电极的至少一者的材料相同。

14、在一些实施例中，所述导电结构的材料与所述第一掺杂半导体层或所述第二掺杂半导体层的至少一者的材料相同。

15、根据本申请一些实施例，本申请实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，由多个如上述实施例中任一项所述的太阳能电池连接而成；封装胶膜，用于覆盖所述电池串的表面；盖板，用于覆盖所述封装胶膜背离所述电池串的表面。

16、本申请实施例提供的技术方案至少具有以下优点：

17、本申请实施例提供一种太阳能电池，设置基底的第一表面具有第一掺杂半导体层，第二表面具有第二掺杂半导体层，且设置导电结构，分别与第一掺杂半导体层与第二掺杂半导体层电接触，如此，太阳能电池的p区与n区之间具有一个导电通道，当太阳能电池自身具有缺陷(例如热斑效应)从而变成较大的负载损害整个太阳能电池的电流时，导电结构所在的导电通道可以使电池串中相邻的太阳能电池的电流可以通过，进而整个太阳能电池自身的电池功率以及电池效率也不会有较大的损坏。

18、其次，导电结构所在的导电通道可以促使相邻的太阳能电池的电流从此处经过，而少量的电流经由第一电极以及第二电极经过，则对于太阳能电池的负载所分的电压以及电流也会对应减少，从而可以降低电流对太阳能电池所造成的局部发热的问题，进而保证了太阳能电池的安全性以及使用寿命。

技术特征：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电结构包括本体部以及至少一个延伸部，所述延伸部的一端与所述本体部连续，所述延伸部的另一端与所述第一掺杂半导体层或者所述第二掺杂半导体层的一者电接触。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，与所述第一掺杂半导体层接触的部分所述延伸部作为第一部，与所述第二掺杂半导体层接触的部分所述延伸部作为第二部；沿所述第一部朝向所述本体部的方向，所述第一部的截面积递减；和/或，沿所述第二部朝向所述本体部的方向，所述第二部的截面积递减。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，同一所述导电结构中，所述延伸部的个数与所述导电结构最小截面积的关系满足：每20μm2内的导电结构的延伸部的数量为1个～5个。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述至少一个导电结构的总面积占所述侧面的总面积的1％-100％。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，沿第一方向，每单位面积的所述侧面内，所述导电结构的截面积之间的差值与所述导电结构的比值范围小于或等于0.3，所述第一方向垂直于所述基底的厚度方向。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电结构包括第一导电层以及第二导电层，所述第一导电层与所述第一掺杂半导体层电接触，所述第二导电层与所述第二掺杂半导体层电接触；所述第一导电层的侧面与所述第二导电层的侧面电接触；或者，

8.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层具有第一本体部以及至少一个第一延伸部，所述第一延伸部与所述第一本体部相接触，所述第一延伸部或者所述第一本体部的其中一者与所述第一掺杂半导体层接触，所述第一延伸部或者所述第一本体部的另一者与所述第二导电层接触。

9.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二导电层具有第二本体部以及至少一个第二延伸部，所述第二延伸部与所述第二本体部相接触，所述第二延伸部或者所述第二本体部的其中一者与所述第二掺杂半导体层接触，所述第二延伸部或者所述第二本体部的另一者与所述第一导电层接触。

10.根据权利要求7所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一导电层具有第一本体部以及至少一个第一延伸部，所述第一延伸部与所述第一本体部相接触；且所述第二导电层具有第二本体部以及至少一个第二延伸部，所述第二延伸部与所述第二本体部相接触；所述第二延伸部与所述第一本体部或者所述第一延伸部接触；或者，所述第二本体部与所述第一本体部与所述第一延伸部接触。

11.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电结构的材料包括金属材料或者半导体材料。

12.根据权利要求1或11所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电结构的材料与所述第一电极或所述第二电极的至少一者的材料相同。

13.根据权利要求1或11所述的太阳能电池，其特征在于，所述导电结构的材料与所述第一掺杂半导体层或所述第二掺杂半导体层的至少一者的材料相同。

14.一种光伏组件，其特征在于，包括：

技术总结本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面、侧面以及第二表面；第一掺杂半导体层，第一掺杂半导体层位于第一表面上；第二掺杂半导体层，第二掺杂半导体层位于第二表面上；第一掺杂半导体层内的第一掺杂元素与第二掺杂半导体层内的第二掺杂元素的导电类型不同；钝化层，钝化层位于第一掺杂半导体层表面、第二掺杂半导体层表面以及侧面；至少一个导电结构，导电结构位于侧面上，导电结构其中一端延伸至第一表面并与第一掺杂半导体层电接触，导电结构的另一端延伸至第二表面并与第二掺杂半导体层电接触；第一电极以及第二电极，第一电极与第一掺杂半导体层电接触；第二电极与第二掺杂半导体层电接触。技术研发人员：郑晶茗,王钊,郑霈霆,杨洁,张昕宇受保护的技术使用者：晶科能源（上饶）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/29