提供对封装存储器的细粒度访问的制作方法

背景技术：

1、现代半导体封装技术经常寻求增加管芯到管芯连接的数量。常规技术实现了所谓的2.5d解决方案，利用硅中介层和硅通孔(through silicon via，tsv)，使用具有针对集成电路的典型密度和速度的互连，在最小的占地面积中连接管芯。然而，布局和制造技术中存在复杂性。进一步地，当寻求将存储器管芯嵌入在公共封装中时，由于消耗方资源与存储器管芯之间的分离(因为它们可以通过在硅中介层的不同部分上的适配而彼此被分离)，可能会存在等待时间。

技术实现思路

技术特征：

1.一种用于存储信息的装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个核心中的所述至少一些核心包括转译后备缓冲器tlb，以将虚拟地址映射到仅所述dram的所述本地部分的物理地址。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述tlb用于使用所述dram的地址空间的部分地址比特来将所述虚拟地址映射到仅所述dram的所述本地部分的所述物理地址。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述本地存储器接口电路用于访问仅所述dram的所述本地部分。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述dram的所述多个本地部分中的每一个本地部分具有至少1024字的宽度。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的装置，其中，所述多个核心中的每一个核心进一步包括接口电路，所述接口电路用于将所述核心耦合到第一最近邻核心和第二最近邻核心。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述接口电路用于将第一经处理的数据发送到所述第一最近邻核心，其中，所述第一最近邻核心用于对所述第一经处理的数据进行进一步处理。

8.根据权利要求1-5中的任一项所述的装置，其中，所述装置包括具有所述第一管芯和所述第二管芯的集成电路封装，其中，所述dram是用于所述集成电路封装被包括在其中的系统的系统存储器。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述多个核心中的每一个核心进一步包括本地缓存，并且其中，所述集成电路封装包括平坦存储器层次体系，所述平坦存储器层次体系仅具有所述本地缓存和所述dram。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第二管芯包括：

11.根据权利要求1所述的装置，其中，所述多个核心中的所述至少一些核心通过多个硅通孔tsv直接耦合到所述dram的所述对应的本地部分。

12.一种处置存储器访问请求的方法，包括：

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括：

14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括通过所述第一管芯的第一多个硅通孔tsv和所述第二管芯的第二多个tsv将所述经处理的第一数据发送到所述第一本地部分。

15.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：当所述目的地位置是所述多个核心中的第二核心时，将所述经处理的第一数据从所述第一本地部分传输到与所述第二核心相关联的第二本地部分，所述第二本地部分是所述第一本地部分的相邻本地部分并且所述第二核心是所述第一核心的相邻核心。

16.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：当所述目的地位置是所述多个核心中的第二核心时，经由消息传递接口将所述经处理的第一数据发送到所述第二核心，所述第二核心是所述第一核心的相邻核心。

17.一种计算机程序产品，包括指令，所述指令当由处理器执行时，使所述处理器执行根据权利要求12至16中的任一项所述的方法。

18.一种用于存储信息的封装，包括：

19.根据权利要求18的封装，其中，所述多个核心中的所述至少一些核心包括转译后备缓冲器tlb，以利用所述dram的地址空间的部分地址将虚拟地址映射到仅用于所述dram的所述本地部分的物理地址。

20.根据权利要求18的封装，进一步包括第三管芯，所述第三管芯包括第二dram，所述第二dram包括多个第二本地部分，所述多个第二本地部分中的每一个第二本地部分包括第三多个tsv，其中，所述多个核心中的至少一些核心通过所述第一多个tsv和所述第三多个tsv的互连直接耦合到所述第二dram的对应的第二本地部分。

21.根据权利要求20的封装，其中，当所述封装在缺少外部系统存储器的系统中被实现时，所述第二管芯包括缓存存储器并且所述第三管芯包括系统存储器。

22.一种用于存储信息的设备，包括：

23.根据权利要求22所述的设备，其中，所述多个核心装置中的所述至少一些核心装置包括用于将虚拟地址映射到仅所述dram装置的所述本地部分的物理地址的转译后备缓冲器tlb装置，所述tlb装置使用所述dram的地址空间的部分地址比特来将虚拟地址映射到仅所述dram装置的所述本地部分的物理地址。

24.根据权利要求22所述的设备，其中，所述本地存储器接口装置用于访问仅所述dram装置的所述本地部分。

25.根据权利要求22所述的设备，其中，所述多个核心装置中的每一个核心装置进一步包括用于将所述核心装置耦合到第一最近邻核心装置和第二最近邻核心装置的接口装置。

技术总结本发明公开了提供对封装存储器的细粒度访问。在一个实施例中，集成电路封装包括：第一管芯，该第一管芯具有多个核心，该多个核心中的每一个核心具有本地存储器接口电路以访问动态随机存取存储器(DRAM)的本地部分；以及第二管芯，该第二管芯包括DRAM，其中多个核心中的至少一些核心通过第一管芯和第二管芯的堆叠直接耦合到DRAM的对应的本地部分。其他实施例被描述以及被要求保护。技术研发人员：A·A·夏尔马,W·戈梅斯,R·科杜里,P·拉纳德受保护的技术使用者：英特尔公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15