存储器装置及其操作方法与流程

本公开的各种实施方式涉及电子装置，更具体地，涉及一种存储器装置和操作该存储器装置的方法。

背景技术：

1、编程操作是增加存储器单元的阈值电压的操作。由于存储器单元的物理特性彼此不同，所以在编程操作期间各个存储器单元的阈值电压增加的程度彼此不同。因此，为了在编程操作期间以窄形状形成具有与目标编程状态相同的编程状态的存储器单元的阈值电压分布，存储器装置基于存储器单元的相应阈值电压的大小将具有不同大小的电压施加到位线。然而，由于用于位线的布线的线之间的距离变得越来越小，所以当具有不同大小的电压被施加到位线时，可能发生归因于位线之间的寄生电容的耦合现象。此外，当发生位线之间的耦合现象时，施加到位线的电压可能没有增加至期望的电平。

技术实现思路

1、本公开的实施方式可提供一种存储器装置。该存储器装置可包括：多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行使用第一验证电压和第二验证电压识别多个存储器单元的阈值电压的验证操作，第二验证电压的电压高于第一验证电压的电压；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路在验证操作终止之后并且在编程电压被施加到多个存储器单元的时段期间，将具有第一电压大小的第一控制信号施加到与多个存储器单元当中的第一存储器单元联接的页缓冲器，第一存储器单元具有高于第一验证电压且低于第二验证电压的阈值电压，并且将具有低于第一电压大小的第二电压大小的第二控制信号施加到页缓冲器。

2、本公开的实施方式可提供一种操作存储器装置的方法。该方法可包括以下步骤：执行使用第一验证电压和第二验证电压识别多个存储器单元的阈值电压的验证操作，第二验证电压的电压高于第一验证电压的电压；在验证操作终止之后并且在编程电压被施加到多个存储器单元的时段期间：将具有第一电压大小的第一控制信号施加到与多个存储器单元当中的第一存储器单元联接的页缓冲器，第一存储器单元具有高于第一验证电压且低于第二验证电压的阈值电压，并且将具有低于第一电压大小的第二电压大小的第二控制信号施加到联接到第一存储器单元的页缓冲器。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路将所述编程使能电压施加到与所述第二存储器单元联接的所述位线，然后将所述第一控制信号施加到与所述第一存储器单元联接的所述页缓冲器。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中，所述编程操作控制器控制所述外围电路将所述第一控制信号施加到与所述第一存储器单元联接的所述页缓冲器，然后将所述编程电压施加到与所述多个存储器单元联接的字线。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，所述编程使能电压是接地电压。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述第二验证电压是与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的阈值电压。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中，所述编程禁止电压是电源电压。

11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中，在施加所述编程电压的时段期间，当在不施加所述第一控制信号的情况下将所述第二控制信号施加到所述页缓冲器时，与所述第一存储器单元联接的所述位线的电压响应于所述第二控制信号而增加至低于所述预充电电压的电压。

12.一种操作存储器装置的方法，该方法包括以下步骤：

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

14.根据权利要求13所述的方法，该方法还包括以下步骤：

15.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤：

16.根据权利要求15所述的方法，其中，

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第二验证电压是与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的阈值电压。

18.根据权利要求12所述的方法，其中，

19.根据权利要求18所述的方法，其中，

20.根据权利要求19所述的方法，其中，在施加所述编程电压的时段期间，当在不施加所述第一控制信号的情况下将所述第二控制信号施加到所述页缓冲器时，与所述第一存储器单元联接的所述位线的电压响应于所述第二控制信号而增加至低于所述预充电电压的电压。

技术总结本文可提供一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置可包括：多个存储器单元；外围电路，其被配置为执行使用第一验证电压和第二验证电压识别多个存储器单元的阈值电压的验证操作；以及编程操作控制器，其被配置为控制外围电路在验证操作终止之后并且在编程电压被施加到多个存储器单元的时段期间，将第一控制信号施加到与具有高于第一验证电压且低于第二验证电压的阈值电压的第一存储器单元联接的页缓冲器，并且将具有低于第一控制信号的电平电压的第二控制信号施加到页缓冲器。技术研发人员：李宗勋,朴世泉受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15