存储器设备及操作其的方法与流程

本公开涉及一种存储器设备及操作其的方法，更具体地，涉及一种具有三维结构的存储器设备及操作其的方法。

背景技术：

1、存储器设备可以包括：存储器单元阵列，其中存储有数据；外围电路，被配置为执行编程、读取或擦除操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路。

2、存储器单元阵列可以包括多个存储器块，并且多个存储器块中的每一个可以包括多个存储器单元。具有三维结构的存储器设备可以包括堆叠在衬底上的存储器单元。因此，包括存储器单元的串可以自衬底在垂直方向上形成。

3、随着存储器设备的集成程度增加，被包括在存储器块中的串的数目增加。因此，随着串之间的距离减小，串中可能出现电气缺陷。

技术实现思路

1、根据本公开的一个实施例，一种存储器设备，包括：存储器块，包括由多个存储器单元配置的页；外围电路，被配置为对页之中的被选择的页执行读取操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路以在读取操作期间，在被选择的页中的第一逻辑页和第二逻辑页之中，对第一逻辑页执行第一读取操作，然后对第二逻辑页执行第二读取操作。控制逻辑被配置为控制外围电路以在第一读取操作结束之后根据第一逻辑页调整通道初始化时间，并且在第二读取操作期间在通道初始化时间期间执行通道初始化操作。

2、根据本公开的一个实施例，一种操作存储器设备的方法，包括：对被选择的页中的第一逻辑页执行第一读取操作；当第一读取操作结束时，根据第一逻辑页来调整通道初始化时间；在通道初始化时间期间，对被包括在被选择的页中的存储器单元执行通道初始化操作；以及当通道初始化操作结束时，对被存储在被选择的页中的第二逻辑页执行第二读取操作。

3、根据本公开的一个实施例，一种存储器设备，包括：存储器块，包括由多个存储器单元配置的页；外围电路，被配置为对页之中的被选择的页执行读取操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路以在读取操作期间，在第一逻辑页和第二逻辑页之中，对第一逻辑页执行第一读取操作，然后对第二逻辑页执行第二读取操作。控制逻辑被配置为控制外围电路以根据被选择的页的累积提升电平来调整通道初始化时间，并且在第一读取操作期间在通道初始化时间期间执行通道初始化操作。

4、根据本公开的一个实施例，一种操作存储器设备的方法，包括：设置被选择的页的提升参考值；检查被选择的页的读取操作的累积次数；当读取操作的累积次数等于或大于提升参考值时，设置比默认时间更长的通道初始化时间；在通道初始化时间期间对包括被选择的页的串执行通道初始化操作；以及以逻辑页单位读取被选择的页中的数据。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第一逻辑页和所述第二逻辑页是被包括在所述被选择的页中的所述多个存储器单元中的每个存储器单元中的数据。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在所述第一读取操作期间，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以通过使用至少一个读取电压感测被包括在所述第一逻辑页中的数据来执行读取步骤。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在所述第二读取操作期间，所述控制逻辑被配置为控制所述外围电路以通过使用至少一个读取电压感测被包括在所述第二逻辑页中的数据来执行读取步骤。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，当所述第一逻辑页的电平比所述第二逻辑页的电平更高时，所述控制逻辑被配置为将所述通道初始化时间设置为第一通道初始化时间，以及

6.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

7.根据权利要求6所述的方法，其中被包括在所述被选择的页中的所述存储器单元存储所述第一逻辑页和所述第二逻辑页的数据。

8.根据权利要求6所述的方法，其中执行所述第一读取操作包括：

9.根据权利要求6所述的方法，其中根据将参考电压与在所述第一读取操作中使用的读取电压之中的最低电压进行比较的结果，所述通道初始化时间被调整。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述参考电压是在所述第二读取操作中使用的读取电压之中的最低电压。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，当在所述第一读取操作中使用的所述读取电压之中的所述最低电压比所述参考电压更高时，所述通道初始化时间被设置为第一通道初始化时间，以及

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述通道初始化时间通过使用包括与所述被选择的页中的每个逻辑页相对应的时间的表而被调整。

13.根据权利要求12所述的方法，其中在被存储在所述表中的信息之中，所述通道初始化时间被设置为与所述第一逻辑页相对应的时间。

14.根据权利要求6所述的方法，其中所述第二读取操作包括：

15.根据权利要求14所述的方法，其中执行所述通道初始化操作包括：在所述通道初始化时间期间将包括所述存储器单元的串的通道层放电。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在执行所述通道初始化操作中：

17.根据权利要求14所述的方法，其中将所述位线预充电包括：

18.根据权利要求14所述的方法，其中，当执行所述通道初始化操作并且将被连接到所述存储器单元的位线预充电时，通过电压被施加到被连接到未被选择的页的未被选择的字线和所述被选择的字线。

19.根据权利要求14所述的方法，其中执行与所述第二逻辑页相对应的所述读取操作包括：

20.一种存储器设备，包括：

21.根据权利要求20所述的存储器设备，其中所述控制逻辑包括监测单元，所述监测单元被配置为检查已经对所述被选择的页执行所述读取操作的次数作为所述累积提升电平。

22.根据权利要求21所述的存储器设备，其中所述监测单元包括：

23.根据权利要求22所述的存储器设备，其中当读取操作的所述累积次数被改变时，所述操作组件将读取操作的所述累积次数更新并存储在所述寄存器中。

24.根据权利要求22所述的存储器设备，其中所述控制逻辑根据将预设提升参考值与读取操作的所述累积次数进行比较的结果来调整所述通道初始化时间。

25.根据权利要求24所述的存储器设备，其中当在所述多个存储器单元中发生热载流子注入时，所述提升参考值被设置为与通道电位相对应的值。

26.根据权利要求24所述的存储器设备，其中所述提升参考值通过测试操作而被计算出，并且所述提升参考值是被存储在所述控制逻辑中的固定值。

27.根据权利要求24所述的存储器设备，其中，当读取操作的所述累积次数比所述提升参考值更低时，所述通道初始化时间被设置为第一通道初始化时间，以及

28.一种操作存储器设备的方法，所述方法包括：

29.根据权利要求28所述的方法，其中所述提升参考值被设置为与当热载流子注入发生在被包括在所述被选择的页中的存储器单元中时的通道电位相对应的值。

30.根据权利要求28所述的方法，其中读取操作的所述累积次数是通过对在所述被选择的页中已经以所述逻辑页单位执行的读取操作的次数求和来获得的值。

31.根据权利要求28所述的方法，其中在以所述逻辑页单位执行的读取操作之中的第一读取操作开始之前，执行所述通道初始化操作。

32.根据权利要求31所述的方法，其中，在所述第一读取操作已经被执行之后，读取操作的所述累积次数被重置。

33.根据权利要求31所述的方法，其中在以所述逻辑页单位执行的所述读取操作之中的第二读取操作期间，所述通道初始化操作被执行并且持续所述默认时间。

34.根据权利要求31所述的方法，其中所述通道初始化操作从以所述逻辑页单位执行的所述读取操作之中的第二读取操作被省略。

35.根据权利要求28所述的方法，其中，当读取操作的所述累积次数比所述提升参考值更低时，所述通道初始化操作在所述默认时间期间被执行。

36.根据权利要求28所述的方法，其中，当读取操作的所述累积次数比所述提升参考值更低时，所述通道初始化操作被省略。

技术总结本技术包括存储器设备及操作其的方法。该存储器设备包括：存储器块，包括由多个存储器单元配置的页；外围电路，被配置为对页之中的被选择的页执行读取操作；以及控制逻辑，被配置为控制外围电路以在读取操作期间，在被选择的页中的第一逻辑页和第二逻辑页之中，对第一逻辑页执行第一读取操作，然后对第二逻辑页执行第二读取操作。控制逻辑被配置为控制外围电路以在第一读取操作结束之后根据第一逻辑页调整通道初始化时间，并且在第二读取操作期间在通道初始化时间期间执行通道初始化操作。技术研发人员：金钟旭受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/25