存储器系统、存储器装置和操作存储器装置的方法与流程

本文描述的本公开的一个或更多个实施方式涉及存储器装置，更具体地，涉及一种用于将数据条目编程在非易失性存储器装置中的设备和方法。

背景技术：

1、数据处理系统包括存储器系统或数据存储装置。可开发数据处理系统以将更大容量的数据存储在数据存储装置中，更快地将数据存储在数据存储装置中，并且更快地读取存储在数据存储装置中的数据。存储器系统或数据存储装置可包括用于存储数据的非易失性存储器单元和/或易失性存储器单元。

技术实现思路

1、本文描述的实施方式提供了一种数据处理系统和操作该数据处理系统的方法。该数据处理系统包括诸如存储器系统和主机的组件和资源，并且能够基于组件和资源的使用动态地分配用于组件之间的数据通信的多个数据路径。

2、本公开的实施方式可提供一种能够改进存储器装置的数据输入/输出速度的设备和方法。

3、另外，本公开的实施方式可提供一种用于执行数据编程操作的设备和方法，其可减少或避免在数据编程操作期间在非易失性存储器装置中出现的编程扰动或错误。

4、在实施方式中，一种存储器装置可包括：多个存储器单元，各个存储器单元能够存储与擦除状态和多个编程状态对应的多比特数据；以及控制电路，其被配置为将被执行以将多比特数据存储在多个存储器单元中的多个编程循环分成多个编程组并且将与多个编程组中的每一个对应的不同编程脉冲施加到多个存储器单元。

5、存储器装置还可包括电压供应电路，电压供应电路被配置为在多个编程循环中的每一个期间将编程脉冲施加到多个存储器单元。

6、多个编程循环中的每一个可包括：第一操作，其控制联接到多个存储器单元的位线；第二操作，其将与多个编程状态中的一个对应的编程脉冲施加到多个存储器单元；以及第三操作，其验证多个存储器单元的编程状态，该编程状态与编程脉冲对应。

7、控制电路可被配置为将多个编程循环执行为一个或更多个奇数编程循环和一个或更多个偶数编程循环。

8、控制电路还可被配置为在一个或更多个奇数编程循环期间将关于包括多个编程状态当中的最接近擦除状态的编程状态的第一编程状态组的编程脉冲施加到多个存储器单元，并且在一个或更多个偶数编程循环期间将关于包括多个编程状态当中的最远离擦除状态的编程状态的第二编程状态组的另一编程脉冲施加到多个存储器单元。

9、第一编程状态组和第二编程状态组可为互斥的。

10、设定为对与多比特数据当中的lsb数据“1”对应的编程状态进行编程的编程脉冲可在一个或更多个奇数编程循环期间施加到多个存储器单元。设定为对与多比特数据当中的lsb数据“0”对应的编程状态进行编程的另一编程脉冲可在一个或更多个偶数编程循环期间施加到多个存储器单元。

11、控制电路还可被配置为：在将多个编程循环分成多个编程组之前，将多个存储器单元分成第一存储器单元组和第二存储器单元组，其中，第一存储器单元组包括具有处于擦除状态的阈值电压的存储器单元，并且第二存储器单元组包括具有处于多个编程状态之一的阈值电压的存储器单元；并且将与多个编程状态当中的最接近擦除状态的编程状态对应的公共编程脉冲施加到第二存储器单元组。

12、控制电路还被配置为：在将公共编程脉冲施加到第二存储器单元组之后，执行关于公共编程脉冲的验证；并且基于验证的结果确定第二存储器单元组是否有缺陷。

13、与在划分多个编程循环的多个编程组中的每一个期间施加的编程脉冲对应的编程状态的数量可相同。

14、在另一实施方式中，一种存储器系统可包括：控制器，其被配置为确定与写数据条目对应的物理地址并且将写数据条目传送到与物理地址对应的位置中；以及存储器装置，其被配置为将被执行以将包括在写数据条目中的多比特数据存储在多个存储器单元中的多个编程循环分成多个编程组，并且将与多个编程组中的每一个对应的不同编程脉冲施加到多个存储器单元。

15、存储器装置还可被配置为在多比特数据被完全编程在多个存储器单元中之后，向控制器传送完成通知。控制器还可被配置为生成将写数据的逻辑地址和物理地址关联的映射数据条目。

16、多个编程循环中的每一个可包括：第一操作，其控制联接到多个存储器单元的位线；第二操作，其将与多个编程状态之一对应的编程脉冲施加到多个存储器单元；以及第三操作，其验证多个存储器单元的编程状态，该编程状态与编程脉冲对应。

17、存储器装置可被配置为将多个编程循环执行为一个或更多个奇数编程循环和一个或更多个偶数编程循环。

18、存储器装置还可被配置为在一个或更多个奇数编程循环期间将关于包括多个编程状态当中的最接近擦除状态的编程状态的第一编程状态组的编程脉冲施加到多个存储器单元，并且在一个或更多个偶数编程循环期间将关于包括多个编程状态当中的最远离擦除状态的编程状态的第二编程状态组的另一编程脉冲施加到多个存储器单元。

19、第一编程状态组和第二编程状态组可为互斥的。

20、设定为对与多比特数据当中的lsb数据“1”对应的编程状态进行编程的编程脉冲可在一个或更多个奇数编程循环期间施加到多个存储器单元。设定为对与多比特数据当中的lsb数据“0”对应的编程状态进行编程的另一编程脉冲可在一个或更多个偶数编程循环期间施加到多个存储器单元。

21、存储器装置还可被配置为：在将多个编程循环分成多个编程组之前，将多个存储器单元分成第一存储器单元组和第二存储器单元组，其中，第一存储器单元组包括具有处于擦除状态的阈值电压的存储器单元，并且第二存储器单元组包括具有处于多个编程状态之一的阈值电压的存储器单元；并且将与多个编程状态当中的最接近擦除状态的编程状态对应的公共编程脉冲施加到第二存储器单元组。

22、存储器装置还可被配置为：在将公共编程脉冲施加到第二存储器单元组之后，执行关于公共编程脉冲的验证；并且基于验证的结果确定第二存储器单元组是否有缺陷。

23、在另一实施方式中，一种操作存储器装置的方法可包括以下步骤：将被配置为存储与擦除状态和多个编程状态对应的多比特数据的多个存储器单元分成第一存储器单元组和第二存储器单元组，其中，第一存储器单元组包括具有与擦除状态对应的阈值电压的存储器单元，并且第二存储器单元组包括具有与多个编程状态之一对应的阈值电压的存储器单元；将公共编程脉冲施加到第二存储器单元组；将被执行以将多比特数据存储在第二存储器单元组中的多个编程循环分成多个编程组；将与多个编程组中的每一个对应的不同编程脉冲施加到第二存储器单元组；以及在多个编程组中的验证成功之后，终止关于多比特数据的编程操作。

24、在另一实施方式中，一种在存储器装置中执行编程操作的方法可包括以下步骤：将公共编程脉冲施加到被配置为被编程为多个编程状态的存储器单元组；以及通过施加不同的编程脉冲来交替地执行奇数编程循环和偶数编程循环。奇数编程循环对应于多个编程状态的第一编程组，并且偶数编程循环对应于多个编程状态的第二编程组。

25、交替地执行奇数编程循环和偶数编程循环可包括交替地在奇数编程循环期间施加高电位编程脉冲并在偶数编程循环期间施加低电位编程脉冲。

26、交替地执行奇数编程循环和偶数编程循环可包括交替地在奇数编程循环期间施加长时间编程脉冲并在偶数编程循环期间施加短时间编程脉冲。