存储器设备及其刷新方法与流程

本公开涉及存储器设备及其刷新方法。

背景技术：

1、易失性存储器设备，诸如动态随机访问存储器(dram)，使用刷新操作来维持存储的数据。为此，存储器控制器可以在正常访问模式下周期性地向存储器设备提供刷新命令以刷新存储器设备，并且在功耗低的自刷新时段中，存储器设备可以被内部刷新。

技术实现思路

1、一个或多个实施例提供了一种存储器设备，其中通过缩短从退出自刷新到有效命令的时间来降低功耗。

2、根据示例实施例的一个方面，一种存储器设备包括：包括多个行的第一存储器单元阵列，该多个行包括第一行和第二行；以及自刷新电路，其被配置为响应于第一自刷新进入信号来控制刷新，并且响应于自刷新退出信号在刷新第一行之后停止对第二行的刷新。

3、根据示例实施例的一个方面，一种存储器设备包括：命令解码电路，其配置为解码命令，并输出自刷新进入信号和自刷新退出信号；自刷新电路，其被配置为响应于自刷新进入信号输出自刷新控制信号和刷新行地址，并且响应于自刷新退出信号停止自刷新控制信号和刷新行地址的输出；以及行地址复用器，其被配置为响应于自刷新控制信号的高电平输出刷新行地址，并且响应于自刷新控制信号的低电平输出操作行地址。刷新行地址指示要刷新的行，而操作行地址指示要被写入、要从其读取或要擦除的行。

4、根据示例实施例的一个方面，提供了一种存储器设备的刷新方法，该存储器设备包括存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个行，该多个行包括第一行和第二行。该刷新方法包括：接收自刷新进入信号；响应于自刷新进入信号输出与第一行相对应的刷新行地址；接收自刷新退出信号；以及在接收到自刷新退出信号的时间点刷新到多个行中的第一行，并且在刷新第一行之后停止对第二行的刷新。

技术特征：

1.一种存储器设备，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，第一行是在接收到自刷新退出信号的时间点被确定为要被刷新的行。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述自刷新电路包括：

4.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，所述信号生成器还被配置为基于自刷新控制信号在预定时段内处于使能电平，向刷新计数器输出计数器控制信号，并且

5.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，基于自刷新控制信号在预定时段内处于使能电平，所述刷新行地址指示预定数量的行。

6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中，所述刷新计数器包括：

7.根据权利要求5所述的存储器设备，其中，所述刷新计数器被配置为基于自刷新控制信号在预定时段内处于使能电平，输出所述刷新行地址，以依次刷新所述预定数量的行。

8.根据权利要求5所述的存储器设备，其中，所述刷新计数器被配置为基于自刷新控制信号在预定时段内处于使能电平，输出所述刷新行地址，以同时刷新所述预定数量的行。

9.根据权利要求3所述的存储器设备，其中，所述自刷新电路被配置为在自刷新控制信号的第一时段中输出所述刷新行地址，并且在自刷新控制信号的第二时段中输出行锤地址，并且

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述自刷新电路被配置为在输出所述行锤地址之后，重置具有最大访问次数的行的访问次数。

11.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，第一时段在时间上先于第二时段。

12.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，第二时段在时间上先于第一时段。

13.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括第二存储器单元阵列，

14.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括第二存储器单元阵列、第三存储器单元阵列和第四存储器单元阵列，

15.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述自刷新电路被配置为响应于在自刷新退出信号之后接收到的第二自刷新进入信号，控制刷新从第一行开始刷新。

16.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述自刷新电路被配置为响应于在自刷新退出信号之后接收到的第二自刷新进入信号，控制刷新从第二行开始刷新。

17.一种存储器设备，包括：

18.根据权利要求17所述的存储器设备，其中，所述自刷新电路被配置为基于自刷新控制信号在预定时段内处于高电平来递增所述刷新行地址。

19.根据权利要求17所述的存储器设备，其中，所述自刷新电路被配置为在自刷新控制信号的第一时段中输出所述刷新行地址，并且在自刷新控制信号的第二时段中输出行锤地址，并且

20.一种包括存储器单元阵列的存储器设备的刷新方法，所述存储器单元阵列包括多个行，所述多个行包括第一行和第二行，所述刷新方法包括：

技术总结提供了一种存储器设备。该存储器设备包括：包括第一行和第二行的第一存储器单元阵列；以及自刷新电路，被配置为响应于第一自刷新进入信号来控制刷新，并且响应于自刷新退出信号在刷新第一行之后停止对第二行的刷新。技术研发人员：孙钟弼受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/1/25