一种短暂保持芯片内存储数据电路及方法与流程

本发明涉及半导体电子领域，具体是一种短暂保持芯片内存储数据电路及方法。

背景技术：

1、在半导体领域中，信息存储类芯片中的静态存储单元sram，既静态随机存取存储器，通常需要保持通电，才能恒常地保持里面储存的数据，当芯片的电源停止供应电力时，静态存储单元sram中存储的数据会消失。目前的半导体存储芯片随着半导体技术的发展，价格低，容量大，性能越来越强；但是因为芯片电源跌落而丢失芯片数据的现象还是难以避免。

2、在日常应用中，会存在物理碰撞等原因造成电源供电不稳定，含存储芯片的电子产品电源跌落，芯片内存储数据丢失，需要改进。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种短暂保持芯片内存储数据电路及方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

3、一种短暂保持芯片内存储数据电路，包括：

4、供电源，用于经过电源供电防跌落单元为存储芯片供电；

5、电源供电防跌落单元，用于在供电源短暂停止供电时，为存储芯片提供电压，避免存储芯片电源跌落；

6、存储芯片，用于工作时存储数据；

7、供电源连接电源供电防跌落单元，电源供电防跌落单元连接存储芯片。

8、作为本发明再进一步的方案：电压供电防跌落单元包括二极管特性器件、电容，二极管特性器件的一端连接供电源，二极管特性器件的另一端连接电容的一端、存储芯片，电容的另一端接地，二极管特性器件为任意具有二极管单向导通特性的半导体器件。

9、作为本发明再进一步的方案：二极管特性器件为pmos管，pmos管的d极连接供电源、pmos管的g极，pmos管的s极连接电容的一端、存储芯片，电容的另一端接地。

10、作为本发明再进一步的方案：电容为存储芯片内的mos管电容。

11、作为本发明再进一步的方案：电容为存储芯片内的极板电容。

12、作为本发明再进一步的方案：存储芯片为静态随机存取存储器sram。

13、一种短暂保持芯片内存储数据方法，应用于如上所述的短暂保持芯片内存储数据电路，包括以下步骤：

14、步骤1，在供电源正常为存储芯片供电时，电容存储电能；

15、步骤2，在供电源短暂停止为存储芯片供电时，电容为存储芯片供电；

16、步骤3，在供电源恢复为存储芯片供电时，电容继续存储电能。

17、与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过设置电源供电防跌落单元，在供电源停止为存储芯片供电后，维持存储芯片工作需求电压，避免存储芯片电源跌落，存储数据丢失；无需采用过多的外围电路器件，避免了繁琐的电路结构，具有稳定、低成本、适用性广泛等优点。

技术特征：

1.一种短暂保持芯片内存储数据电路，其特征在于，该短暂保持芯片内存储数据电路包括：

2.根据权利要求1所述的短暂保持芯片内存储数据电路，其特征在于，电压供电防跌落单元包括二极管特性器件、电容，二极管特性器件的一端连接供电源，二极管特性器件的另一端连接电容的一端、存储芯片，电容的另一端接地，二极管特性器件为任意具有二极管单向导通特性的半导体器件。

3.根据权利要求2所述的短暂保持芯片内存储数据电路，其特征在于，二极管特性器件为pmos管，pmos管的d极连接供电源、pmos管的g极，pmos管的s极连接电容的一端、存储芯片，电容的另一端接地。

4.根据权利要求1所述的短暂保持芯片内存储数据电路，其特征在于，电容为存储芯片内的mos管电容。

5.根据权利要求1所述的短暂保持芯片内存储数据电路，其特征在于，电容为存储芯片内的极板电容。

6.根据权利要求1所述的短暂保持芯片内存储数据电路，其特征在于，存储芯片为静态随机存取存储器sram。

7.一种短暂保持芯片内存储数据方法，应用于权利要求1到6任意一项所述的短暂保持芯片内存储数据电路，其特征在于，所述短暂保持芯片内存储数据方法包括以下步骤：

技术总结本发明公开了一种短暂保持芯片内存储数据电路及方法，涉及半导体电子领域，该短暂保持芯片内存储数据电路包括：供电源，用于经过电源供电防跌落单元为存储芯片供电；电源供电防跌落单元，用于在供电源短暂停止供电时，为存储芯片提供电压，避免存储芯片电源跌落；存储芯片，用于工作时存储数据；供电源连接电源供电防跌落单元，电源供电防跌落单元连接存储芯片；与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过设置电源供电防跌落单元，在供电源停止为存储芯片供电后，维持存储芯片工作需求电压，避免存储芯片电源跌落，存储数据丢失；无需采用过多的外围电路器件，避免了繁琐的电路结构，具有稳定、低成本、适用性广泛等优点。技术研发人员：沈彬,黄年亚,宋霄,辛智敏受保护的技术使用者：无锡靖芯科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/6