存储器及擦除方法与流程

本申请涉及存储，具体涉及一种存储器及擦除方法。

背景技术：

1、在对存储器进行擦除操作时，会出现擦除错误(失败)的情况，而这种擦除错误给存储数据的正确性带来了较大的挑战。

技术实现思路

1、本申请提供一种存储器及擦除方法，以缓解擦除错误位在擦除方法中应用过少的技术问题。

2、第一方面，本申请提供一种存储器的擦除方法，该擦除方法包括：接收擦除指令；判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件；响应于确定符合擦除条件而执行擦除模式。

3、在其中一些实施例中，接收擦除指令与判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件之间，还包括：进行擦除操作。

4、在其中一些实施例中，判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件的步骤，包括：若擦除错误地址被包含于擦除指令对应的擦除地址范围或者擦除指令对应的擦除地址为擦除错误地址、并且擦除错误位表征擦除操作没有通过擦除校验，则符合擦除条件。

5、在其中一些实施例中，响应于确定符合擦除条件而执行擦除模式的步骤包括：设置擦除开始地址、并重置循环次数；执行擦除校验；若擦除校验未通过，则判断循环次数是否为最大；若循环次数为最大值，则存储当前擦除地址为擦除错误地址，并设置擦除错误位用于表征擦除操作在最大循环次数下没有通过擦除校验。

6、在其中一些实施例中，执行擦除校验的步骤之后还包括：若擦除校验通过，判断当前擦除地址是否为最后一个擦除地址；若当前擦除地址为最后一个擦除地址，则清除擦除错误位。

7、在其中一些实施例中，若擦除校验未通过，则判断循环次数是否为最大的步骤之后还包括：若循环次数小于最大值，则根据擦除错误位施加擦除电压；增加循环次数并转到步骤“执行擦除校验”。

8、在其中一些实施例中，若循环次数小于最大值，则根据擦除错误位施加擦除电压的步骤包括：配置擦除电压的第一范围为第一初始电压至第一终止电压；若擦除错误位未表征擦除操作在最大循环次数下没有通过擦除校验，则根据循环次数的增加而赋值第一初始电压的步进结果为擦除电压，直至擦除错误位表征通过擦除校验或第一初始电压的步进结果等于第一终止电压。

9、在其中一些实施例中，若循环次数小于最大值，则根据擦除错误位施加擦除电压的步骤包括：配置擦除电压的第二范围为第二初始电压至第二终止电压；若擦除错误位表征擦除操作在最大循环次数下没有通过擦除校验，则根据循环次数的增加而赋值第二初始电压的步进结果为擦除电压，直至擦除错误位表征通过擦除校验或第二初始电压的步进结果等于第二终止电压，第二初始电压大于或者等于等于第一终止电压。

10、在其中一些实施例中，若擦除校验通过，判断当前擦除地址是否为最后一个擦除地址的步骤之后还包括：若当前擦除地址不为最后一个擦除地址，则调整当前擦除地址为下个擦除地址；对下个擦除地址对应的存储空间“执行擦除校验”。

11、在其中一些实施例中，响应于确定符合擦除条件而执行擦除模式的步骤之后还包括：若在状态寄存器的只读位处于低电平的情况下擦除错误位为低电位，则擦除模式执行成功。

12、在其中一些实施例中，判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件之后，还包括：若不符合擦除条件，则执行预编程模式。

13、在其中一些实施例中，若不符合擦除条件，则执行预编程模式，包括：若不符合擦除条件，则清除擦除错误位并执行预编程模式。

14、第二方面，本申请提供一种存储器，该存储器执行上述至少一实施例中的擦除方法。

15、本申请提供的存储器及擦除方法，通过先接收擦除指令，再判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件，然后响应于确定符合擦除条件而执行擦除模式，可以根据该擦除错误位在该擦除错误地址对应的存储空间上再执行擦除模式，能够更成功地擦除该擦除错误地址对应的存储空间。

16、又，由于根据该擦除错误位在该擦除错误地址对应的存储空间上再执行擦除模式之前，不需要执行预编程模式，可以减少擦除方法的操作步骤，进而提高了擦除效率。

技术特征：

1.一种存储器的擦除方法，其特征在于，所述擦除方法包括：

2.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，所述接收擦除指令与所述判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件之间，还包括：

3.根据权利要求1所述的擦除方法，其特征在于，所述判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的擦除方法，其特征在于，所述响应于确定符合所述擦除条件而执行擦除模式的步骤，包括：

5.根据权利要求4所述的擦除方法，其特征在于，所述执行擦除校验的步骤之后，还包括：

6.根据权利要求5所述的擦除方法，其特征在于，所述若所述擦除校验未通过，则判断循环次数是否为最大的步骤之后，还包括：

7.根据权利要求6所述的擦除方法，其特征在于，所述若所述循环次数小于最大值，则根据所述擦除错误位施加擦除电压的步骤，包括：

8.根据权利要求7所述的擦除方法，其特征在于，所述若所述循环次数小于最大值，则根据所述擦除错误位施加擦除电压的步骤，包括：

9.根据权利要求5所述的擦除方法，其特征在于，所述若所述擦除校验通过，判断当前擦除地址是否为最后一个擦除地址的步骤之后，还包括：

10.根据权利要求1-9任一项所述的擦除方法，其特征在于，所述响应于确定符合所述擦除条件而执行擦除模式的步骤之后，还包括：

11.根据权利要求1-9任一项所述的擦除方法，其特征在于，所述判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件之后，还包括：

12.根据权利要求11所述的擦除方法，其特征在于，所述若不符合所述擦除条件，则执行预编程模式，包括：

13.一种存储器，其特征在于，所述存储器执行如权利要求1-12任一项所述的擦除方法。

技术总结本申请公开了一种存储器及擦除方法，该擦除方法通过先接收擦除指令，再判断擦除错误位、擦除错误地址是否符合擦除条件，然后响应于确定符合擦除条件而执行擦除模式，可以根据该擦除错误位在该擦除错误地址对应的存储空间上再执行擦除模式，能够更成功地擦除该擦除错误地址对应的存储空间；由于根据该擦除错误位在该擦除错误地址对应的存储空间上再执行擦除模式之前，不需要执行预编程模式，可以减少擦除方法的操作步骤，进而提高了擦除效率。技术研发人员：郑钟倍受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/21