存储器装置中的读取验证节奏及时序的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体来说，涉及关于存储器子系统中的存储器装置中的编程操作的读取验证操作的时序及节奏。

背景技术：

1、存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统来将数据存储在存储器装置处及从存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、本公开的实施例提供一种用于对存储器装置中的存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：执行多遍次编程操作的第一遍次以对所述存储器装置的第一字线进行粗略编程；执行所述多遍次编程操作的第二遍次以对所述存储器装置的第二字线进行粗略编程，其中所述第二字线与所述第一字线邻近；执行所述多遍次编程操作的第三遍次以对所述存储器装置的所述第一字线进行精细编程；执行所述多遍次编程操作的第四遍次以对所述存储器装置的第三字线进行粗略编程，其中所述第三字线与所述第二字线邻近；执行所述多遍次编程操作的第五遍次以对所述存储器装置的所述第二字线进行精细编程；及响应于确定至少所述第二字线已被精细编程，对与所述第一字线相关联的一或多个存储器单元执行读取验证操作。

2、本公开的另一实施例提供一种系统，其包括：存储器装置；及处理装置，其与所述存储器装置可操作地耦合以执行包括以下项的操作：执行多遍次编程操作的第一遍次以对所述存储器装置的第一字线进行粗略编程；执行所述多遍次编程操作的第二遍次以对所述存储器装置的第二字线进行粗略编程，其中所述第二字线与所述第一字线邻近；执行所述多遍次编程操作的第三遍次以对所述存储器装置的所述第一字线进行精细编程；执行所述多遍次编程操作的第四遍次以对所述存储器装置的第三字线进行粗略编程，其中所述第三字线与所述第二字线邻近；执行所述多遍次编程操作的第五遍次以对所述存储器装置的所述第二字线进行精细编程；及响应于确定至少所述第二字线已被精细编程，对与所述第一字线相关联的一或多个存储器单元执行读取验证操作。

3、本公开的又一实施例提供一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下项的操作：执行多遍次编程操作的第一遍次以对存储器装置的第一字线进行粗略编程；执行所述多遍次编程操作的第二遍次以对所述存储器装置的第二字线进行粗略编程，其中所述第二字线与所述第一字线邻近；执行所述多遍次编程操作的第三遍次以对所述存储器装置的所述第一字线进行精细编程；及在对与所述第一字线相关联的一或多个存储器单元执行读取验证操作之前引起延迟。

技术特征：

1.一种用于对存储器装置中的存储器单元进行编程的方法，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述多遍次编程操作的所述第一遍次包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其中执行所述多遍次编程操作的所述第三遍次包括：

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述读取验证操作是基于位线放电过程，所述位线放电过程基于时序信息、基于放电电压信息或基于所述一或多个存储器单元的当前值。

5.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述粗略编程、精细编程及读取验证操作的粒度包括块、字线、页面或页面堆叠。

6.根据权利要求1所述的方法，其中与所述第一字线相关联的所述存储器单元经配置为能够每单元存储两个位的多电平单元mlc。

7.根据权利要求1所述的方法，其中与所述第二及第三字线相关联的所述存储器单元经配置为能够每单元存储四个位的四电平单元qlc。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第二副本具有比所述主机数据的第一副本更低的固有数据完整性。

10.一种系统，其包括：

11.根据权利要求10所述的系统，其中执行所述多遍次编程操作的所述第一遍次包括：

12.根据权利要求10所述的系统，其中执行所述多遍次编程操作的所述第三遍次包括：

13.根据权利要求10所述的系统，其中所述读取验证操作是基于位线放电过程，所述位线放电过程基于时序信息、基于放电电压信息或基于所述一或多个存储器单元的当前值。

14.根据权利要求10所述的系统，其中执行所述粗略编程、精细编程及读取验证操作的粒度包括块、字线、页面或页面堆叠。

15.根据权利要求10所述的系统，其中与所述第一字线相关联的所述存储器单元经配置为能够每单元存储两个位的多电平单元mlc，且与所述第二及第三字线相关联的所述存储器单元经配置为能够每单元存储四个位的四电平单元qlc。

16.一种包括指令的非暂时性计算机可读存储媒体，所述指令在由处理装置执行时致使所述处理装置执行包括以下项的操作：

17.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中引起所述延迟进一步包括：

18.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中执行所述多遍次编程操作的所述第一遍次进一步包括：

19.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中执行所述多遍次编程操作的所述第三遍次包括：

20.根据权利要求16所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述读取验证操作是于位线放电过程，所述位线放电过程基于时序信息、基于放电电压信息或基于所述一或多个存储器单元的当前值。

技术总结本申请涉及存储器装置中的读取验证节奏及时序。一种存储器子系统中的处理装置执行多遍次编程操作的第一遍次以对第一字线进行粗略编程，执行多遍次编程操作的第二遍次以对与所述第一字线邻近的第二字线进行粗略编程，执行多遍次编程操作的第三遍次以对所述第一字线进行精细编程，执行多遍次编程操作的第四遍次以对与所述第二字线邻近的第三字线进行粗略编程，执行多遍次编程操作的第五遍次以对所述第二字线进行精细编程，且响应于确定至少所述第二字线已被精细编程，对与所述第一字线相关联的一或多个单元执行读取验证操作。技术研发人员：M·温特费尔德,B·D·哈里斯,T·耶于肯思,李娟娥,朱方芳受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/2/25