多变量的NandFlashEcc变化预测方法、设备及存储介质与流程

本发明涉及数据处理领域，尤其涉及一种多变量的nand flash ecc变化预测方法、设备及存储介质。

背景技术：

1、在nand flash中，由于每一个存储芯片内部的cell的特性有所不同，因此就有可能出现一些位错误。ecc是某一阶段nand flash出错情况的一种数值表现，直接关系到纠错解码的成功与否。

2、传统的机器学习方法中，默认ecc的机制，获取速度最快，但ecc数值最大；最优ecc机制，获取速度最慢，但ecc数值最小；retry ecc机制，获取速度适中，ecc数值适中，实用性强。这些传统的机器学习方法对ecc的预测精度仍有待提高。

技术实现思路

1、本发明的主要目的在于解决ecc的预测精度仍有待提高的技术问题。

2、本发明第一方面提供了一种多变量的nand flash ecc变化预测方法，所述多变量的nand flash ecc变化预测方法包括：

3、接收到nand flash的预测请求时，解析出所述预测请求携带的初始ecc数值、时间参数、编程次数、擦除参数以及温度参数；

4、基于所述初始ecc数值、所述时间参数、所述编程次数、所述擦除参数以及所述温度参数，执行多重预测操作，得到第一预测结果、第二预测结果以及第三预测结果；

5、对所述第一预测结果、所述第二预测结果以及所述第三预测结果执行多变量影响的预测操作，得到所述nand flash对应的目标预测结果。

6、可选的，在本发明第一方面的第一种实现方式中，所述基于所述初始ecc数值、所述时间参数、所述编程次数、所述擦除参数以及所述温度参数，执行多重预测操作，得到第一预测结果、第二预测结果以及第三预测结果的步骤包括：

7、对所述初始ecc数值、所述时间参数执行预测操作，得到所述第一预测结果；

8、对所述初始ecc数值、所述编程次数以及所述擦除参数执行预测操作，得到所述第二预测结果；

9、对所述初始ecc数值、所述温度参数执行预测操作，得到所述第三预测结果。

10、可选的，在本发明第一方面的第二种实现方式中，所述对所述第一预测结果、所述第二预测结果以及所述第三预测结果执行多变量影响的预测操作，得到目标预测结果的步骤包括：

11、对所述第一预测结果、所述第二预测结果以及所述第三预测结果执行归一化操作，得到标准化的多维度预测结果；

12、对所述多维度预测结果执行多变量影响的预测操作，得到所述目标预测结果。

13、可选的，在本发明第一方面的第三种实现方式中，所述对所述第一预测结果、所述第二预测结果以及所述第三预测结果执行多变量影响的预测操作，得到目标预测结果的步骤包括：

14、调用预先训练的第四预设模型，对所述第一预测结果、所述第二预测结果以及所述第三预测结果输入执行多变量影响的预测操作，得到目标预测结果。

15、可选的，在本发明第一方面的第四种实现方式中，所述调用预先训练的第四预设模型，对所述第一预测结果、所述第二预测结果以及所述第三预测结果输入执行多变量影响的预测操作，得到目标预测结果的步骤之前，所述方法还包括：

16、生成待训练的深度学习模型，并获取特定样片的参数作为训练数据；

17、基于所述训练数据，对所述深度学习模型执行模型训练操作，得到所述第四预设模型。

18、可选的，在本发明第一方面的第五种实现方式中，所述对所述第一预测结果、所述第二预测结果以及所述第三预测结果执行多变量影响的预测操作，得到所述nand flash对应的目标预测结果的步骤之后，所述方法还包括：

19、对所述目标预测结果进行数值检测，以判断所述目标预测结果是否超出标准范围；

20、若所述目标预测结果超出所述标准范围，输出提示信息。

21、可选的，在本发明第一方面的第六种实现方式中，所述基于所述初始ecc数值、所述时间参数、所述编程次数、所述擦除参数以及所述温度参数，执行多重预测操作，得到第一预测结果、第二预测结果以及第三预测结果的步骤包括：

22、根据预先训练的第一预设模型对所述初始ecc数值、所述时间参数执行预测操作，得到所述第一预测结果；

23、根据预设训练的第二预设模型对所述初始ecc数值、所述编程次数以及所述擦除参数执行预测操作，得到所述第二预测结果；

24、根据预设训练的第三预设模型对所述初始ecc数值、所述温度参数执行预测操作，得到所述第三预测结果。

25、可选的，在本发明第一方面的第七种实现方式中，所述根据预先训练的第一预设模型对所述初始ecc数值、所述时间参数执行预测操作，得到所述第一预测结果的步骤之前，所述方法还包括：

26、对待训练模型执行模型训练操作，得到目标模型；

27、在所述目标模型的latent空间进行时间序列变换，得到所述第一预设模型。

28、本发明第二方面提供了一种多变量的nand flash ecc变化预测设备，包括：存储器和至少一个处理器，所述存储器中存储有指令，所述存储器和所述至少一个处理器通过线路互连；所述至少一个处理器调用所述存储器中的所述指令，以使得所述多变量的nandflash ecc变化预测设备执行上述的多变量的nand flash ecc变化预测方法。

29、本发明的第三方面提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述的多变量的nand flash ecc变化预测方法。

30、在本发明实施例中，使用多重预测操作，结合多个输入参数，可以更全面地考虑多个因素对nand flash的影响，提高预测的准确性。多重预测操作可以基于时间参数和编程次数等信息，对nand flash的性能进行长期预测。通过考虑擦除参数和时间参数的影响，可以更好地预测出现的问题，并提前采取措施进行修复或调整。使用多变量影响的预测操作可以考虑多个预测结果之间的关联性和相互作用。例如，温度参数可能对初始ecc数值和编程次数的影响存在交互作用，使用多变量预测可以更准确地捕捉这种关系，提高预测精度。通过执行多变量影响的预测操作，将多个预测结果综合起来，可以得到更加准确的目标预测结果。这样可以综合考虑不同预测结果的优势，减少单个预测结果的偏差和误差，传统方法可能只依赖少量的输入特征或者采用简单的线性模型进行预测，限制了预测的准确性。因此，相对于传统方法，可提高nand flash ecc的预测精度。

技术特征：

1.一种多变量的nand flash ecc变化预测方法，其特征在于，所述多变量的nandflash ecc变化预测方法包括：

2.根据权利要求1所述的多变量的nand flash ecc变化预测方法，其特征在于，所述基于所述初始ecc数值、所述时间参数、所述编程次数、所述擦除参数以及所述温度参数，执行多重预测操作，得到第一预测结果、第二预测结果以及第三预测结果的步骤包括：

3.根据权利要求1所述的多变量的nand flash ecc变化预测方法，其特征在于，所述基于所述初始ecc数值、所述时间参数、所述编程次数、所述擦除参数以及所述温度参数，执行多重预测操作，得到第一预测结果、第二预测结果以及第三预测结果的步骤包括：

4.根据权利要求1所述的多变量的nand flash ecc变化预测方法，其特征在于，所述对所述第一预测结果、所述第二预测结果以及所述第三预测结果执行多变量影响的预测操作，得到目标预测结果的步骤包括：

5.根据权利要求4所述的多变量的nand flash ecc变化预测方法，其特征在于，所述调用预先训练的第四预设模型，对所述第一预测结果、所述第二预测结果以及所述第三预测结果输入执行多变量影响的预测操作，得到目标预测结果的步骤之前，所述方法还包括：

6.根据权利要求1所述的多变量的nand flash ecc变化预测方法，其特征在于，所述对所述第一预测结果、所述第二预测结果以及所述第三预测结果执行多变量影响的预测操作，得到所述nand flash对应的目标预测结果的步骤之后，所述方法还包括：

7.根据权利要求1所述的多变量的nand flash ecc变化预测方法，其特征在于，所述基于所述初始ecc数值、所述时间参数、所述编程次数、所述擦除参数以及所述温度参数，执行多重预测操作，得到第一预测结果、第二预测结果以及第三预测结果的步骤包括：

8.根据权利要求7所述的多变量的nand flash ecc变化预测方法，其特征在于，所述根据预先训练的第一预设模型对所述初始ecc数值、所述时间参数执行预测操作，得到所述第一预测结果的步骤之前，所述方法还包括：

9.一种多变量的nand flash ecc变化预测设备，其特征在于，所述多变量的nandflash ecc变化预测设备包括：存储器和至少一个处理器，所述存储器中存储有指令，所述存储器和所述至少一个处理器通过线路互连；

10.一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的多变量的nandflash ecc变化预测方法。

技术总结本发明涉及数据处理领域，公开了一种多变量的Nand Flash Ecc变化预测方法、设备及存储介质。该方法包括：接收到Nand Flash的预测请求时，解析出预测请求携带的初始Ecc数值、时间参数、编程次数、擦除参数以及温度参数；基于初始Ecc数值、时间参数、编程次数、擦除参数以及温度参数，执行多重预测操作，得到第一预测结果、第二预测结果以及第三预测结果；对第一预测结果、第二预测结果以及第三预测结果执行多变量影响的预测操作，得到Nand Flash对应的目标预测结果。在本发明实施例中，提高了Nand Flash Ecc的预测精度。技术研发人员：潘治锟,吴大畏,李晓强受保护的技术使用者：深圳市硅格半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/25