存储器装置的制作方法

实施方式涉及一种存储器装置。

背景技术：

1、作为能够将数据非易失地存储的存储器装置，已知有nand(not and，与非)闪速存储器。在该nand闪速存储器之类的存储器装置中，会采用三维存储器结构来实现高集成化、大容量化。

技术实现思路

1、本发明要解决的问题在于提供一种良率得到提高的存储器装置。

2、实施方式的存储器装置具备第1积层体、第2积层体、第3积层体、存储器柱、第1部件及第2部件。所述第1积层体包含沿第1方向排列且相互分开地设置的多个第1绝缘体层。所述第2积层体及所述第3积层体分别包含多个导电体层，且相互分开地设置，所述多个导电体层与所述多个第1绝缘体层分别在同一层且相互分开地设置。所述存储器柱在所述第3积层体内沿所述第1方向延伸，与所述多个导电体层的每一个交叉的部分作为存储单元发挥功能。所述第1部件在所述第1积层体与所述第2积层体之间和所述第1积层体及所述第2积层体相接，且沿与所述第1方向交叉的第2方向延伸。所述第2部件在所述第2积层体与所述第3积层体之间和所述第2积层体及所述第3积层体相接，沿所述第2方向延伸，且与所述第1部件排列在和所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上。

技术特征：

1.一种存储器装置，具备：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其还具备第3部件，

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其中

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其还具备第4部件，

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中

8.根据权利要求4所述的存储器装置，其中

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中

10.根据权利要求1所述的存储器装置，其中

11.根据权利要求1所述的存储器装置，其中

12.根据权利要求1所述的存储器装置，其中

13.根据权利要求12所述的存储器装置，其中

14.根据权利要求12所述的存储器装置，其中

15.根据权利要求1所述的存储器装置，其中

16.一种存储器装置，具备：

17.根据权利要求16所述的存储器装置，其中

18.根据权利要求17所述的存储器装置，其中

19.一种存储器装置，具备：

20.根据权利要求19所述的存储器装置，其中

技术总结实施方式提供一种良率得到提高的存储器装置。实施方式的存储器装置具备：第1积层体，包含沿第1方向排列且相互分开地设置的多个第1绝缘体层；第2积层体及第3积层体，分别包含多个导电体层，且相互分开地设置，所述多个导电体层与多个第1绝缘体层分别在同一层且相互分开地设置；存储器柱，在第3积层体内沿第1方向延伸，与多个导电体层的每一个交叉的部分作为存储单元发挥功能；第1部件，在第1与第2积层体之间和第1及第2积层体相接，且沿与第1方向交叉的第2方向延伸；及第2部件，在第2与第3积层体之间和第2及第3积层体相接，沿第2方向延伸，且与第1部件排列在和第1方向及第2方向交叉的第3方向上。技术研发人员：长谷川航,今野拓也,伊藤祥代,古林贤受保护的技术使用者：铠侠股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/2/25