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内部存储器的故障修复方法及设备与流程

  • 国知局
  • 2024-07-31 19:44:27

本公开实施例涉及半导体,尤其涉及一种内部存储器的故障修复方法及设备。

背景技术:

1、内部存储器是各种计算设备的核心部件,内部存储器可以划分为多种:dram(dynamic random access memory,动态随机存储器)、nand闪存等。内部存储器可以通过主阵列存储数据,主阵列可以包括m行n列存储单元,每个存储单元用于存储一位数据,从而主阵列可以存储m×n位数据

2、现有技术中,在内部存储器的生产过程中,需要通过测试检测主阵列中存在故障的所有存储单元,以通过冗余阵列中的第一冗余单元对所有故障单元进行修复。例如,如果主阵列中存在5个故障单元,那么需要使用5个第一冗余单元分别对5个故障单元进行修复。

3、然而,上述修复方案对内部主阵列的良率提升有限。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种内部存储器的故障修复方法及设备,以降低内部存储器的故障率,提高良率。

2、第一方面,本公开实施例提供一种内部存储器的故障修复方法,所述方法包括:

3、在纠错功能开启的情况下,对所述内部存储器的主阵列进行测试,得到所述主阵列中未纠正的第一故障单元;

4、通过所述主阵列对应的第一冗余阵列中的第一冗余单元对所述第一故障单元进行修复。

5、在一些实施方式中,所述在纠错功能开启的情况下,对所述内部存储器的主阵列进行测试,得到所述主阵列中未纠正的第一故障单元,包括:

6、对所述内部存储器的主阵列进行测试,得到所述主阵列中的所有第二故障单元;

7、对于所述主阵列中的任一纠错编码块,若所述纠错编码块中包括的所述第二故障单元是所述纠错编码块不可纠正的故障单元,则将所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元确定为所述纠错编码块未纠正的第一故障单元。

8、在一些实施方式中,所述将所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元确定为所述纠错编码块未纠正的第一故障单元,包括:

9、确定所述纠错编码块可纠正的最大故障数量;

10、若所述纠错编码块中包括的所述第二故障单元的总数量大于所述最大故障数量,则将所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元确定为所述纠错编码块未纠正的第一故障单元。

11、在一些实施方式中,所述方法还包括:

12、若所述纠错编码块中包括的所述第二故障单元是所述纠错编码块可纠正的故障单元,则对所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元进行纠正。

13、在一些实施方式中,所述若所述纠错编码块中包括的所述第二故障单元是所述纠错编码块可纠正的故障单元,则对所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元进行纠正,包括:

14、确定所述纠错编码块可纠正的最大故障数量;

15、若所述纠错编码块中包括的所述第二故障单元的总数量小于或等于所述最大故障数量,则对所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元进行纠正。

16、在一些实施方式中,所述对所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元进行纠正之后,还包括:

17、输出所述主阵列的故障位图,纠正后的所述第二故障单元在所述故障位图中对应的测试结果标记指示纠正后的所述第二故障单元测试通过。

18、在一些实施方式中,未纠正的所述第一故障单元在所述故障位图中对应的测试结果标记指示所述第一故障单元测试未通过。

19、在一些实施方式中,所述通过所述主阵列对应的第一冗余阵列中的第一冗余单元对所述第一故障单元进行修复,包括:

20、确定所述故障位图中所述测试结果标记为测试未通过的故障单元;

21、通过所述主阵列对应的第一冗余阵列中的第一冗余单元对所述测试未通过的故障单元进行修复。

22、在一些实施方式中,所述通过所述主阵列对应的第一冗余阵列中的第一冗余单元对所述第一故障单元进行修复之后,还包括:

23、输出压缩测试结果,所述压缩测试结果中包括每个所述纠错编码块的压缩结果标记,用于表示所述纠错编码块中的第二故障位元的数量是否超出所述纠错编码块可纠正的最大故障数量。

24、在一些实施方式中,所述对所述内部存储器的主阵列进行测试,包括:

25、对所述内部存储器的主阵列进行多次测试,不同测试对应的测试条件不同。

26、在一些实施方式中,多次所述测试对应的所述测试条件包括以下至少一项:电压和等待时长,所述电压大于或等于预设电压,所述等待时长大于或等于预设时长。

27、在一些实施方式中,所述在纠错功能开启的情况下,对所述内部存储器的主阵列进行测试,得到所述主阵列中未纠正的第一故障单元之前,还包括:

28、对所述内部存储器的纠错阵列进行测试,得到所述纠错阵列中的第三故障单元;

29、通过所述纠错阵列对应的第二冗余阵列中的第二冗余单元对所述第三故障单元进行修复。

30、第二方面,本公开实施例提供一种内部存储器的故障修复装置,包括:

31、测试模块,用于在纠错功能开启的情况下,对所述内部存储器的主阵列进行测试,得到所述主阵列中未纠正的第一故障单元;

32、修复模块,用于通过所述主阵列对应的第一冗余阵列中的第一冗余单元对所述第一故障单元进行修复。

33、在一些实施方式中,所述测试模块还用于:

34、对所述内部存储器的主阵列进行测试,得到所述主阵列中的所有第二故障单元;

35、对于所述主阵列中的任一纠错编码块,若所述纠错编码块中包括的所述第二故障单元是所述纠错编码块不可纠正的故障单元,则将所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元确定为所述纠错编码块未纠正的第一故障单元。

36、在一些实施方式中,所述测试模块还用于:

37、确定所述纠错编码块可纠正的最大故障数量;

38、若所述纠错编码块中包括的所述第二故障单元的总数量大于所述最大故障数量,则将所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元确定为所述纠错编码块未纠正的第一故障单元。

39、在一些实施方式中,所述装置还包括:

40、纠正模块,用于若所述纠错编码块中包括的所述第二故障单元是所述纠错编码块可纠正的故障单元,则对所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元进行纠正。

41、在一些实施方式中,所述纠正模块还用于:

42、确定所述纠错编码块可纠正的最大故障数量;

43、若所述纠错编码块中包括的所述第二故障单元的总数量小于或等于所述最大故障数量,则对所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元进行纠正。

44、在一些实施方式中,还包括:

45、故障位图输出模块,用于对所述纠错编码块中的所有所述第二故障单元进行纠正之后,输出所述主阵列的故障位图,纠正后的所述第二故障单元在所述故障位图中对应的测试结果标记指示纠正后的所述第二故障单元测试通过。

46、在一些实施方式中,未纠正的所述第一故障单元在所述故障位图中对应的测试结果标记指示所述第一故障单元测试未通过。

47、在一些实施方式中,所述修复模块还用于:

48、确定所述故障位图中所述测试结果标记为测试未通过的故障单元;

49、通过第一冗余单元对所述测试未通过的故障单元进行修复。

50、在一些实施方式中,所述装置还包括:

51、压缩测试结果输出模块,用于通过所述主阵列对应的第一冗余阵列中的第一冗余单元对所述第一故障单元进行修复之后,输出压缩测试结果,所述压缩测试结果中包括每个所述纠错编码块的压缩结果标记,用于表示所述纠错编码块中的第二故障位元的数量是否超出所述纠错编码块可纠正的最大故障数量。

52、在一些实施方式中,所述测试模块还用于:

53、对所述内部存储器的主阵列进行多次测试,不同测试对应的测试条件不同。

54、在一些实施方式中,多次所述测试对应的所述测试条件包括以下至少一项:电压和等待时长,所述电压大于或等于预设电压,所述等待时长大于或等于预设时长。

55、在一些实施方式中,所述装置还包括:

56、第三故障单元确定模块,用于在纠错功能开启的情况下,对所述内部存储器的主阵列进行测试,得到所述主阵列中未纠正的第一故障单元之前,对所述内部存储器的纠错阵列进行测试,得到所述纠错阵列中的第三故障单元;

57、第三故障单元修复模块,用于通过所述纠错阵列对应的第二冗余阵列中的第二冗余单元对所述第三故障单元进行修复。

58、第三方面,本公开实施例还提供一种电子设备,包括:至少一个处理器和存储器;

59、所述存储器存储计算机执行指令;

60、所述至少一个处理器执行所述存储器存储的计算机执行指令,使得所述电子设备实现第一方面所述的方法。

61、第四方面,本公开实施例还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令,当计算设备执行所述计算机执行指令时,使计算设备实现如第一方面所述的方法。

62、第五方面,本公开实施例还提供一种计算机程序产品,所述计算机程序产品用于执行第一方面所述的方法。

63、本公开实施例提供的内部存储器的故障修复方法及设备,包括:在纠错功能开启的情况下,对内部存储器的主阵列进行测试,得到主阵列中未纠正的第一故障单元;通过第一冗余单元对第一故障单元进行修复。本公开实施例可以通过测试确定未纠正的第一故障单元进行修复,以减少修复所需要的第一冗余单元数量,有助于节约第一冗余单元,为后续测试得到的其余故障单元提供更多的修复机会,可以降低故障率,提高内部存储器的整体良率。还可以节约修复所需要的时长,进一步节省ate(automatic test equipment,自动测试设备)对内部存储器的测试时间,降低修复所需要的计算复杂度。此外,如果存在其余故障单元,节约出来的第一冗余单元还可以修复其余故障单元,有助于提高内部存储器的良率。

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