用于非易失性存储器的内部参考电阻器的制作方法

本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说涉及用于非易失性存储器的内部参考电阻器。

背景技术：

1、存储器子系统可以包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

1、描述了一种包含内部参考电阻器的设备。所述设备包括：存储器单元阵列和存储器控制器。所述存储器控制器耦合到所述阵列且包括内部参考电阻器组件，其中所述存储器控制器被配置成：监测所述阵列和所述存储器控制器的存储器特性；以及基于存储器特性修整内部参考电阻器组件以产生目标电阻值。

2、描述了一种使用内部参考电阻器的方法。所述方法包括：监测存储器子系统的多个存储器组件的存储器特性；确定对应于所述存储器组件中的至少一个的存储器特性已达到阈值温度或阈值电压；以及基于确定所述存储器特性已达到阈值温度或阈值电压而修整所述存储器子系统的存储器控制器内的内部参考电阻器组件。

3、描述了一种包含内部参考电阻器的系统。所述系统包括：多个非易失性存储器组件、内部参考电阻器组件和处理装置。所述处理装置耦合到所述多个非易失性存储器组件和内部参考电阻器组件。所述处理装置被配置成执行包括以下各项的操作：监测所述多个非易失性存储器组件中的每一个的温度值和电压值；确定对应于所述多个非易失性存储器组件中的至少一个的温度值或电压值中的至少一个已达到阈值温度值或阈值电压值；基于与所述多个非易失性存储器组件相关联的对应温度值或对应电压值而存取指示内部参考电阻器组件的电阻器配置的数据；以及基于所述确定而修整处理装置内的内部参考电阻器组件。

技术特征：

1.一种包含内部参考电阻器的设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器特性包括所述阵列的温度、所述存储器控制器的温度，或所述阵列的电压中的至少一个。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器控制器被配置成存储与所述存储器特性相关联的多个内部参考电阻器值。

4.根据权利要求1所述的设备，其中所述内部参考电阻器组件包括多个内部参考电阻器区段。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述内部参考电阻器包括至少一个开关以启用或停用所述内部参考电阻器区段中的至少一个。

6.根据权利要求4所述的设备，其中所述存储器控制器被配置成：

7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的设备，其中所述存储器控制器被配置成响应于所述存储器特性的改变来调整所述内部参考电阻器组件的所述修整。

8.一种使用内部参考电阻器的方法，其包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述存储器特性为所述多个存储器组件中的至少一个的温度或所述多个存储器组件中的至少一个的电压中的一个。

10.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括存储与所确定的存储器特性相关联的所述内部参考电阻器组件的修整值。

11.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：

12.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的方法，其进一步包括：

13.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的方法，其进一步包括基于所述存储器特性的改变来重新修整所述内部参考电阻器组件。

14.一种包含内部参考电阻器的系统，其包括：

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述多个非易失性存储器组件包括多个nand存储器裸片。

16.根据权利要求14至15中任一权利要求所述的系统，其中所述处理装置用以执行操作，包括响应于为与所述系统相关联的物理层提供电阻参考而使用第一电阻值和响应于为所述多个非易失性存储器组件提供电阻参考而使用第二电阻值。

技术总结本申请的实施例涉及一种用于非易失性存储器的内部参考电阻器。实例设备包含存储器单元阵列。所述实例设备包含耦合到所述阵列的存储器控制器。所述存储器控制器可包含内部参考电阻器。所述存储器控制器可被配置成监测所述阵列和所述存储器控制器的存储器特性。所述存储器控制器可被配置成基于所述存储器特性来修整所述内部参考电阻器以产生目标电阻值。技术研发人员：N·皮特里,Y·温博格受保护的技术使用者：美光科技公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15