压力测试电路以及半导体存储装置的制作方法

本发明有关压力测试电路以及半导体存储装置。

背景技术：

1、传统上，在例如动态随机存储器(dram)或静态随机存取存储器(sram)等的半导体存储装置的封装工程前后，实施烧机测试(burn-in test)以进行集成电路的信赖性检查。具体而言，烧机测试例如是通过长时间将施加于位线的预充电电压设定为外部电源的电压或更高的高电压(简称为压力电压)后，再判别集成于芯片的存储单元的良莠。为此，在测试装置或半导体存储装置设置压力测试电路，用以供给烧机用的压力电压(例如：特开平5-325547号公报)。

2、另外，已知的位线的预充电电路包括一个以上的晶体管(例如：n型或p型的金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor，mosfet)等)，且被配置为在烧机测试中，通过使一个以上的晶体管成为导通状态，将所输出的位线的预充电电压设定为压力电压。

3、然而，由于位线的预充电电路所供应的压力电压的大小取决于其中的晶体管的阈值电压及反向偏压效应，有可能发生实际供应的压力电压小于预期的压力电压的情况。如此一来，恐怕难以在烧机测试中供给充分的压力电压。

技术实现思路

1、有鉴于上述课题，本发明的目的为提供可以供给适当的压力电压的压力测试电路以及半导体存储装置。

2、本发明提供一种压力测试电路，包括：控制电路，在测试模式中，控制供给电压，该供给电压为被供给到半导体存储装置内的包含晶体管的预充电电路的电压；其中，前述控制电路，基于外部电源的电压，以及包含于前述预充电电路的晶体管的阈值电压，控制前述供给电压。

3、根据上述发明，因为可基于外部电源的电压，及/或基于预充电电路的晶体管的阈值电压控制供给电压，即使在晶体管的阈值电压发生变化时，也可以在烧机测试中依据该阈值电压供给充分的供给电压给预充电电路。借此，可以供给适当的压力电压。

4、根据上述发明，可以供给适当的压力电压给半导体存储装置，以对半导体存储装置进行信赖性检查。

技术特征：

1.一种压力测试电路，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的压力测试电路，其特征在于，该预充电电路被配置为预充电半导体存储装置内的位线。

3.如权利要求1所述的压力测试电路，其特征在于，随着该外部电源的电压提升，该控制电路控制该供给电压提升。

4.如权利要求1所述的压力测试电路，其特征在于，随着该阈值电压提升，该控制电路控制该供给电压提升。

5.如权利要求1所述的压力测试电路，其特征在于，还包括：

6.如权利要求5所述的压力测试电路，其特征在于，该控制电路还包括：

7.如权利要求6所述的压力测试电路，其特征在于，该第一晶体管被施加反向偏压，该反向偏压与施加在该预充电电路的晶体管上的反向偏压相等。

8.如权利要求6或7所述的压力测试电路，其中，该第一晶体管具有与该预充电电路的晶体管相等的尺寸。

9.如权利要求2至7中任一项所述的压力测试电路，其特征在于：

10.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：

技术总结本发明公开了一种压力测试电路以及半导体存储装置，该压力测试电路包括控制电路。控制电路在测试模式中控制供给电压，该供给电压为被供给到半导体存储装置内的包含晶体管的预充电电路的电压。其中控制电路基于外部电源的电压，以及包含于预充电电路的晶体管的阈值电压控制供给电压。技术研发人员：大平信裕受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/1/15