存储器模块的制作方法

本公开涉及一种存储器模块。

背景技术：

1、已知一种包括多个非易失性可重写存储器单元格的存储器模块。每个存储器单元格设置有电阻性ram(reram)，其中通过单元格的电阻值的状态来记录信息，该单元格的电阻值随着电压的施加而变化。这种存储器模块设置有多个存储器单元格阵列。每个存储器单元格阵列是在多条字线和多条位线的每个交叉点处设置存储器单元格的交叉点型(例如，参见ptl 1)。

2、引文列表

3、专利文献

4、ptl 1：日本未审专利申请公开no.2011-204297

技术实现思路

1、顺便提及，要求上述存储器模块使删除(复位)或写入(置位)信息的时间(时延)尽可能短。因此，期望提供一种使得能够减少时延的存储器模块。

2、根据本公开的一方面的存储器模块包括多个存储器单元格阵列单元以及存储器控制器。存储器控制器控制从多个存储器单元格阵列单元读取数据以及向多个存储器单元格阵列单元写入数据。每个存储器单元格阵列单元包括多条第一布线、多条第二布线以及包括存储器单元格的存储器单元格阵列。存储器单元格一对一地在多条第一布线和多条第二布线的每个交叉点处设置。每个存储器单元格阵列单元还包括控制单元。控制单元基于存储器控制器的控制来控制从存储器单元格阵列读取数据和向存储器单元格阵列写入数据。存储器单元格包括可变电阻器和选择器元件。可变电阻器是通过电阻值的高或低状态来记录一位信息的电阻器。选择器元件串联耦合到可变电阻器。控制单元对存储器单元格执行检测操作以检测存储器单元格的状态，并且此后，当选择器元件通过检测操作被接通时，控制单元对接通的存储器单元格执行复位操作以使接通的存储器单元格从低电阻状态改变为高电阻状态。

3、在根据本公开的一方面的存储器模块中，对存储器单元格执行用于检测存储器单元格的状态的检测操作，并且此后，当选择器元件通过检测操作被接通时，对接通的存储器单元格执行复位操作，以使接通的存储器单元格从低电阻状态改变为高电阻状态。这使得有可能防止对不打算进行复位操作的存储器单元格进行复位操作。此外，有可能在一个存储器模块中执行置位操作的时段中在另一个存储器模块中执行一系列检测操作和复位操作。因此有可能省略执行复位操作和置位操作之前的预读取。

技术特征：

1.一种存储器模块，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器模块，其中在检测操作中，控制单元向存储器单元格输出第一电压，当可变电阻器处于高电阻状态时，该第一电压不允许选择器元件接通。

3.根据权利要求2所述的存储器模块，其中

4.根据权利要求2所述的存储器模块，其中控制单元对多个所述存储器单元格中的多个第一存储器单元格执行检测操作，所述多个第一存储器单元格耦合到与接通的存储器单元格共用的第一布线或第二布线。

5.根据权利要求1所述的存储器模块，其中当选择器元件未通过检测操作接通时，控制单元停止向未接通的存储器单元格施加电压。

6.根据权利要求1所述的存储器模块，其中

7.根据权利要求6所述的存储器模块，其中在复位操作中，控制单元根据接通的存储器单元格的位置来改变第一内部电阻或第二内部电阻的电阻值。

8.根据权利要求2所述的存储器模块，其中控制单元将第一电压改变为比平常更高的值，以接通其中选择器元件通常不接通的存储器单元格的选择器元件，并且对接通的存储器单元格执行复位操作。

技术总结根据本公开的一方面的存储器模块包括多个存储器单元格阵列单元。每个存储器单元格阵列单元包括存储器单元格阵列，该存储器单元格阵列包括存储器单元格。存储器单元格一对一地设置在多条第一布线和多条第二布线的每个交叉点处。每个存储器单元格阵列单元还包括控制单元，其控制从存储器单元格阵列读取数据和向存储器单元格阵列写入数据。存储器单元格包括可变电阻器和选择器元件。可变电阻器是其中通过电阻值的高或低状态来记录一位信息的电阻器。选择器元件串联耦合到可变电阻器。控制单元对存储器单元格执行检测操作以检测存储器单元格的状态，并且此后，当选择器元件通过检测操作被接通时，控制单元对接通的存储器单元格执行复位操作以使接通的存储器单元格从低电阻状态改变为高电阻状态。技术研发人员：森阳太郎,西野理市,柴原祯之受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司技术研发日：技术公布日：2024/3/24