监控分栅存储器串扰性能的方法与流程

本发明涉及半导体，尤其是涉及一种监控分栅存储器串扰性能的方法。

背景技术：

1、存储器阵列具有很多排列成块的存储器单元。每个存储器单元被制造成具有控制栅和浮栅的场效应晶体管。浮栅用于保留电荷，并且通过薄氧化层与包含在衬底中的源极和漏极区域分离。这种存储器单元能够执行各种操作，包括编程、读取和擦除等。

2、同一行的存储器单元共用一条字线，同一列的存储器单元共用一条位线。字线选中一行时，对不同的位线施加电压可以有效选中存储器单元。与选中的存储器单元共用位线的同一列的其他存储器单元因字线未施加相应的电压而未被选中，与选中的存储器单元共用字线的同一行的其他存储器单元因位线未施加相应的电压而未被选中。

3、然而，为了获得更小面积同时更大容量的闪存，分栅存储器的最小尺寸需要进一步缩小，随着分栅存储器结构的缩小以及容量的增大，存储器单元之间的串扰也越来越成为制约分栅存储器可靠性的关键因素，因此提前监控存储器单元之间的串扰非常有必要。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种监控分栅存储器串扰性能的方法，可以提前监控存储器单元之间的串扰，从而可以提高分栅存储器的可靠性。

2、为了达到上述目的，本发明提供了一种监控分栅存储器串扰性能的方法，用于监控存储阵列中存储器单元的串扰性能，包括：

3、提供监控分栅存储器串扰性能的结构，所述监控分栅存储器串扰性能的结构包括：多个金属焊垫，用于连接存储阵列中的多个位线、多个字线、多个第一控制线和多个第二控制线，其中，一个金属焊垫连接一个位线或一个字线或一个第一控制线或一个第二控制线；

4、通过其中五个所述金属焊垫向同一个存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加工作电压，以实现对存储器单元的读操作和写操作；

5、测试与加压存储器单元位于相同字线上的非加压存储器单元的沟道电流，以判断非加压存储器单元在加压存储器单元进行读操作后的串扰性能，以及，测试与加压存储器单元位于相同位线上的非加压存储器单元的沟道电流，以判断非加压存储器单元在加压存储器单元进行写操作后的串扰性能；

6、其中，同时通过多个金属焊垫分别向多个存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加不同的工作电压，同时判断与多个加压存储器单元分别位于相同字线上的非加压存储器单元在加压存储器单元进行读操作后的串扰性能，以及，同时判断与多个加压存储器单元分别位于相同位线上的非加压存储器单元在加压存储器单元进行写操作后的串扰性能。

7、可选的，在所述的监控分栅存储器串扰性能的方法中，所述存储阵列包括多个成阵列排布的存储器单元。

8、可选的，在所述的监控分栅存储器串扰性能的方法中，所述存储阵列包括多条互相平行的位线、平行排列于所述位线上且与所述位线垂直的字线以及分别位于所述字线的两侧且与所述字线平行的第一控制线和第二控制线，每条所述位线在列方向上连接所有所述存储器单元的源极或漏极，每条所述字线在行方向上连接所有所述存储器单元的栅极，所述第一控制线和第二控制线分别连接所有所述存储器单元的两行控制栅。

9、可选的，在所述的监控分栅存储器串扰性能的方法中，所述监控分栅存储器串扰性能的结构包括：第一组金属焊垫、第二组金属焊垫和第三组金属焊垫，每组金属焊垫包括五个金属焊垫。

10、可选的，在所述的监控分栅存储器串扰性能的方法中，所述第一组金属焊垫的五个金属焊垫分别连接第一存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加工作电压以实现对存储器单元的读操作和写操作；

11、所述第二组金属焊垫的五个金属焊垫分别连接第二存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加工作电压以实现对存储器单元的读操作和写操作；

12、所述第三组金属焊垫的五个金属焊垫分别连接第三存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加工作电压以实现对存储器单元的读操作和写操作。

13、可选的，在所述的监控分栅存储器串扰性能的方法中，对加压存储器单元进行读操作后，若所述位于相同字线上的非加压存储器单元的沟道电流在第一设定值之外时，则判断所述非加压存储器单元在加压存储器单元在进行读操作后的串扰性能大；

14、对加压存储器单元进行写操作后，若所述位于相同位线上的非加压存储器单元的沟道电流在第二设定值之外时，则判断所述非加压存储器单元在加压存储器单元在进行写操作后的串扰性能大。

15、可选的，在所述的监控分栅存储器串扰性能的方法中，通过其中五个金属焊垫向第一存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线施加2v～5v、0v～3v、3v～9v、0v～1v和0.5v～1.5v的工作电压，以实现对所述第一存储器单元的读取；

16、通过其中五个金属焊垫向第二存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线施加2v～5v、3v～9v、0v～3v、0.5v～1.5v和0v～1v的工作电压，以实现对所述第二存储器单元的读取，其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元共用同一条字线。

17、可选的，在所述的监控分栅存储器串扰性能的方法中，通过其中五个金属焊垫向第一存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加1v～2v、6v～12v、3v～9v、2.5v～6v和0v～0.6v的工作电压，以实现对所述第一存储器单元的编程；

18、通过其中五个金属焊垫向第二存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线施加1v～2v、3v～9v、6v～12v、0v～0.6v和2.5v～6v的工作电压，以实现对所述第二存储器单元的编程，其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元共用同一条字线。

19、可选的，在所述的监控分栅存储器串扰性能的方法中，还包括：

20、通过其中五个金属焊垫向同一个存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加工作电压，以实现对所述存储器单元的擦除。

21、可选的，在所述的监控分栅存储器串扰性能的方法中，通过其中五个金属焊垫向任意一个存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加5v～12v、-10v～-5v、-10v～-5v、0v～0.5v、0v～0.5v的工作电压，以实现对所述存储器单元的擦除。

22、在本发明提供的监控分栅存储器串扰性能的方法中，包括：提供监控分栅存储器串扰性能的结构，监控分栅存储器串扰性能的结构包括：多个金属焊垫，用于连接存储阵列中的多个位线、多个字线、多个第一控制线和多个第二控制线，其中，一个金属焊垫连接一个位线或一个字线或一个第一控制线或一个第二控制线；通过其中五个金属焊垫向同一个存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加工作电压，以实现对存储器单元的读操作和写操作；测试与加压存储器单元位于相同字线上的非加压存储器单元的沟道电流，以判断非加压存储器单元在加压存储器单元进行读操作后的串扰性能，以及，测试与加压存储器单元位于相同位线上的非加压存储器单元的沟道电流，以判断非加压存储器单元在加压存储器单元进行写操作后的串扰性能；其中，同时通过多个金属焊垫分别向多个存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加不同的工作电压，同时判断与多个加压存储器单元分别位于相同字线上的非加压存储器单元在加压存储器单元进行读操作后的串扰性能，以及，同时判断与多个加压存储器单元分别位于相同位线上的非加压存储器单元在加压存储器单元进行写操作后的串扰性能。本发明通过测试与加压存储器单元同一字线或同一位线的非加压存储器单元的沟道电流，可以判断非加压存储器单元的在加压存储器单元进行读操作和写操作后读串扰性能或者编程串扰性能，同时通过多个金属焊垫向多个加压存储器单元的字线、第一控制线、第二控制线、与源极连接的位线和与漏极连接的位线分别施加不同的工作电压，同时判断多个非加压存储器单元的读操作和写操作后的读串扰性能或者编程串扰性能。同时监测了多个存储器单元的串扰性能，提高了效率。