一种芯片及电子设备的制作方法

本申请涉及电子，尤其涉及一种芯片及电子设备。

背景技术：

1、目前，efuse(一次性可编程存储器)是用来记录一些dram(随机存储器)中的相关信息的一种器件。通过高压来击穿efuse的器件来烧录信息。然而现有的efuse的容易发生误击穿，进而发生信息的误烧录，会容易引起在dram的访问或测试过程中发生报错。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种芯片及电子设备，能够降低相关信息的误烧录，进而避免引起在dram的访问过程中发生报错。

2、本申请实施例的第一方面，提供一种芯片，包括：

3、存储阵列，包括多个阵列排布的存储单元；

4、至少一个修复信息存储模块，所述修复信息存储模块包括第一存储模块，所述第一存储模块包括至少两个一次性可编程存储器，所述第一存储模块的所述至少两个一次性可编程存储器的组合用于存储标志数据；

5、所述标志数据关联有所述存储单元的修复信息。

6、在一些实施方式中，所述修复存储信息包括标志位单元对应的所述至少两个一次性可编程存储器关联的冗余存储单元的信息，以及被所述冗余存储单元替换的存储单元的修复信息。

7、在一些实施方式中，所述至少两个一次性可编程存储器关联一个所述冗余存储单元。

8、在一些实施方式中，所述芯片还包括：

9、地址位单元，所述地址位单元用于存储被所述冗余存储单元替换的存储单元的所述修复信息的修复地址信息；

10、所述地址位单元的每个地址位对应至少一个一次性可编程存储器。

11、在一些实施方式中，所述标志位单元包括第一逻辑电路，所述第一逻辑电路用于对所述标志位单元的所述至少两个一次性可编程存储器的状态值进行逻辑运算，得到所述存储标志数据；

12、响应于所述至少两个一次性可编程存储器的所述状态值的组合与第一设定组合相匹配，得到的所述存储标志数据是有效的，有效的所述存储标志数据用于控制关联的所述冗余存储单元替换所述修复地址信息对应的所述存储单元。

13、在一些实施方式中，在所述地址位单元的至少一个所述地址位对应至少两个一次性可编程存储器的情况下，所述地址位单元包括第二逻辑电路，每个所述第二逻辑电路对应一个所述地址位单元的至少两个一次性可编程存储器；

14、所述第二逻辑电路用于对电连接的所述至少两个一次性可编程存储器的状态值进行逻辑运算，得到所述地址位单元对应的地址数据。

15、在一些实施方式中，所述芯片还包括：

16、控制电路，与所述一次性可编程存储器电连接，所述控制电路用于控制电连接的所述一次性可编程存储器的所述状态值；

17、锁存电路，所述锁存电路的输入端与所述一次性可编程存储器电连接，所述锁存电路用于上电后放大和锁存所述一次性可编程存储器存储的所述状态值；

18、所述标志位单元对应的所述锁存电路的输出端与所述第一逻辑电路的输入端电连接。

19、在一些实施方式中，所述一次性可编程存储器的状态包括击穿状态和未击穿状态，所述击穿状态和所述未击穿状态对应不同的所述状态值。

20、在一些实施方式中，所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路均包括与门、非门、与非门和或门中的至少一种。

21、在一些实施方式中，所述芯片为三维芯片，所述三维芯片包括存储芯片；

22、所述存储阵列和/或所述至少两个一次性可编程存储器设置于所述存储芯片。

23、在一些实施方式中，所述三维芯片还包括逻辑芯片；

24、所述一次性可编程存储器、所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路中的至少一者设置于所述逻辑芯片。

25、本申请实施例的第二方面，提供一种电子设备，包括：

26、如第一方面所述的芯片。

27、本申请实施例提供的芯片及电子设备，通过设置第一存储模块的至少两个一次性可编程存储器的组合用于存储标志数据；标志数据关联有存储单元的修复信息。可以理解为至少两个一次性可编程存储器的组合对应存储标志位的标志数据，则当用于存储标志位的标志数据的至少两个一次性可编程存储器均被误击穿的情况下，才会导致表示数据发生错误，因此，设置至少两个一次性可编程存储器的组合用于存储标志数据，可以减少标志位的标志数据发生错误的概率，进而减少存储单元被误修复的情况，能够减少的访问或测试过程中发生报错。

技术特征：

1.一种芯片，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，

4.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的芯片，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的芯片，其特征在于，还包括：

8.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，

9.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，

10.根据权利要求6所述的芯片，其特征在于，

11.根据权利要求10所述的芯片，其特征在于，

12.一种电子设备，其特征在于，包括：

技术总结本申请公开一种芯片及电子设备，涉及电子技术领域，能够降低相关信息的误烧录，进而避免引起在DRAM的访问过程中发生报错。一种芯片，包括：存储阵列，包括多个阵列排布的存储单元；至少一个修复信息存储模块，所述修复信息存储模块包括第一存储模块，所述第一存储模块包括至少两个一次性可编程存储器，所述第一存储模块的所述至少两个一次性可编程存储器的组合用于存储标志数据；所述标志数据关联有所述存储单元的修复信息。技术研发人员：王嵩,谈杰,段会福受保护的技术使用者：西安紫光国芯半导体有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/27