一种存储器及其坏块纠错方法与流程

本发明涉及存储领域，特别涉及一种存储器及其坏块纠错方法。

背景技术：

1、内嵌式存储器（embedded multi media card，emmc）是一种内置存储系统，其可包括mmc(多媒体卡)接口、快闪存储器(nand-flash)及emmc主控器。emmc主控器是以硬件形式实现的，用于执行在主机设备中的闪存管理功能。快闪存储器中可以包括多个存储块（block），存储块可用于存储数据。

2、存储器在正常使用过程中，其内部固件在运行是可能会产生不可用块（badblock），导致可用块（good block）的数量逐渐减少。尤其是当存储器在特殊环境下时，可能会出现误判的情况，将可用块标记为不可用块。对于这一部分不可用块而言，主控器的纠错能力有限。目前针对可用块的误判进行纠错时，效率较低。因此，存在待改进之处。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种存储器及其坏块纠错方法，以对问题块进行纠错，防止误判。

2、为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

3、本发明提供了一种存储器，包括：

4、存储块，其包括问题块与可用块；以及

5、主控器，用以对所述问题块进行有效数据搬移处理，以将其内部数据搬移至所述可用块后，暂存于校验清单中；

6、其中，所述主控器确定存储器处于空闲状态时，执行的动作为依次对所述校验清单中的问题块进行校验处理；

7、所述主控器用以生成校验数据，并根据所述校验数据对问题块进行串行块校验处理；

8、所述主控器确定问题块不属于被误判的存储块时，执行的动作为确认所述问题块为坏块，并丢弃；

9、所述主控器确定问题块属于被误判的存储块时，执行的动作为确认所述问题块为可用块，并重新放入可用列表中。

10、在本发明一实施例中，所述校验数据包括全0数据与全1数据，所述主控器依次根据全0数据、全1数据对问题块进行串行块校验处理。

11、在本发明一实施例中，所述主控器根据全0数据对问题块进行串行块校验处理时，确定所述问题块不属于被误判的存储块时，执行的动作为确认该问题块为坏块，并丢弃，确定所述问题块属于被误判的存储块时，执行的动作为根据所述全1数据对该问题块进行串行块校验。

12、在本发明一实施例中，所述主控器用以在单层存储模式下，擦除问题块中的数据，并将全0数据写到问题块中；

13、所述主控器还用以在单层存储模式下，读取问题块中的全0数据，所述主控器确认问题块不存在问题时，执行的动作为擦除问题块中的数据。

14、在本发明一实施例中，所述主控器还用以在多层存储模式下，将所述全0数据写到问题块中；

15、所述主控器还用以在多层存储模式下，读取问题块中的全0数据，所述主控器确认问题块不存在问题时，执行的动作为擦除问题块中的数据。

16、在本发明一实施例中，所述主控器还用以在单层存储模式下，将所述全0数据写到问题块中；

17、所述主控器还用以在单层存储模式下，读取问题块中的全0数据，所述主控器确认问题块不存在问题时，执行的动作为在多层存储模式下，擦除问题块中的数据。

18、在本发明一实施例中，所述主控器还用以在多层存储模式下，将所述全0数据写到问题块中；

19、所述主控器还用以在多层存储模式下，读取问题块中的全0数据，所述主控器确认问题块不存在问题时，执行的动作为根据全1数据对问题块进行串行块校验。

20、在本发明一实施例中，所述主控器还用以：

21、在单层存储模式下，擦除问题块中的数据，并将所述全1数据写到问题块中；

22、在单层存储模式下，读取问题块中的全1数据，所述主控器确认问题块不存在问题时，执行的动作为擦除问题块中的数据；

23、在多层存储模式下，将所述全1数据写到问题块中；

24、在多层存储模式下，读取所述问题块中的全1数据，所述主控器确认问题块不存在问题时，执行的动作为擦除问题块中的数据；

25、在单层存储模式下，将所述全1数据写到问题块中；

26、在单层存储模式下，读取问题块中的全1数据，所述主控器确认问题块不存在问题时，执行的动作为在多层存储模式下擦除问题块中的数据；

27、在多层存储模式下，将所述全1数据写到问题块中；

28、在多层存储模式下，读取问题块中的全1数据，所述主控器确认问题块不存在问题时，执行的动作为确定问题坏为可用块，并重新放入到可用列表中。

29、在本发明一实施例中，在所述主控器读取问题块中的全0数据或全1数据时，不启用重读取功能，且对判断条件进行调整，当出现错误位的数量达到预设条件时，表示为该问题块为坏块，其中，所述预设条件表示为出现错误位的数量是原先预设错误位的数量的一半。

30、本发明还提供了一种存储器的坏块纠错方法，包括：

31、获取存储器运行时出现错误的存储块，标记为问题块；

32、对所述问题块进行有效数据搬移处理，以将其内部数据搬移至其他可用块后，暂存于校验清单中；

33、判断存储器当前是否处于空闲状态，若未处于空闲状态，则进行等待，直至处于空闲状态为止，若处于空闲状态，则依次对所述校验清单中的问题块进行校验处理；

34、生成校验数据，并根据所述校验数据对问题块进行串行块校验处理，以判断所述问题块是否属于被误判的存储块，若所述问题块不属于被误判的存储块，则所述问题坏为坏块，并丢弃，若所述问题块属于被误判的存储块，则所述问题坏为可用块，并重新放入到可用列表中。

35、如上所述，本发明提供一种存储器及其坏块纠错方法，当存储器在运行过程中出现问题存储块时，通过输入全0数据与全1数据依次对其进行校验，且在校验过程中采用串行块校验方式进行校验，即通过单层存储模式与多层存储模式的相互配合，完成数据的擦除、写入、读取，进而高效完成问题存储块的校验，能够对问题存储块重新利用。

36、当然，实施本发明的任一产品并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。

技术特征：

1.一种存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述校验数据包括全0数据与全1数据，所述主控器依次根据全0数据、全1数据对问题块进行串行块校验处理。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述主控器根据全0数据对问题块进行串行块校验处理时，确定所述问题块不属于被误判的存储块时，执行的动作为确认该问题块为坏块，并丢弃，确定所述问题块属于被误判的存储块时，执行的动作为根据所述全1数据对该问题块进行串行块校验。

4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述主控器用以在单层存储模式下，擦除问题块中的数据，并将全0数据写到问题块中；

5.根据权利要求4所述的存储器，其特征在于，所述主控器还用以在多层存储模式下，将所述全0数据写到问题块中；

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述主控器还用以在单层存储模式下，将所述全0数据写到问题块中；

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述主控器还用以在多层存储模式下，将所述全0数据写到问题块中；

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述主控器还用以：

9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，在所述主控器读取问题块中的全0数据或全1数据时，不启用重读取功能，且对判断条件进行调整，当出现错误位的数量达到预设条件时，表示为该问题块为坏块，其中，所述预设条件表示为出现错误位的数量是原先预设错误位的数量的一半。

10.一种存储器的坏块纠错方法，其特征在于，包括：

技术总结本发明提供了一种存储器及其坏块纠错方法，包括：存储块，其包括问题块与可用块；以及主控器，用以对问题块进行有效数据搬移处理，以将其内部数据搬移至可用块后，暂存于校验清单中；其中，主控器确定存储器处于空闲状态时，执行的动作为依次对校验清单中的问题块进行校验处理；主控器用以生成校验数据，并根据校验数据对问题块进行串行块校验处理；主控器确定问题块不属于被误判的存储块时，执行的动作为确认问题块为坏块，并丢弃；主控器确定问题块属于被误判的存储块时，执行的动作为确认问题块为可用块，并重新放入可用列表中。通过本发明提供的一种存储器及其坏块纠错方法，能够对问题块进行纠错，防止误判。技术研发人员：张烊瑞,王守磊受保护的技术使用者：合肥康芯威存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/3/31