存储器装置的制作方法

本公开涉及存储器装置。

背景技术：

1、设置有存储器单元的存储器装置是已知的。存储器单元包括存储晶体管。一些存储晶体管具有(例如)控制栅极和浮置栅极，并且将高电压施加到控制栅极允许相对于浮置栅极注入和提取电子，从而实现删除(擦除)和写入(编程)(参见例如下面识别的专利文献1)。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2017-174485号公报

技术实现思路

1、发明要解决的课题

2、现今，存储器装置不断地经受小型化和容量提高。如上所述的存储器单元连接到位线。随着存储器装置被赋予更高的容量，连接到位线的存储器单元的数量增加，导致在高温下通过存储器单元的漏电流增加。此外，随着存储器装置被赋予更高的容量，位线的布线长度增加，导致位线上的寄生电容增加。漏电流和寄生电容的这些增加影响从存储器单元读取数据方面的数据读取特性。另一方面，随着存储器装置被制造得更小，布线空间变得越来越难以确保。

3、鉴于上述情况，本公开的目的是提供一种允许小型化和容量提高同时提供增强的数据读取特性的存储器装置。

4、解决课题的手段

5、例如，根据本公开的一个方面，一种存储器装置包括：

6、上存储器阵列，所述上存储器阵列构成为具有沿着相互正交的x方向和y方向以矩阵方式布置的存储器单元；

7、下存储器阵列，所述下存储器阵列构成为具有沿着所述x方向和所述y方向以矩阵方式布置的存储器单元，并且所述下存储器阵列沿着所述y方向布置在所述上存储器阵列的另一侧；

8、y解码器，所述y解码器构成为布置成俯视时沿着y方向位于所述上存储器阵列与所述下存储器阵列之间；

9、感测放大器；以及

10、开关电路。

11、连接到所述上存储器阵列中的所述存储器单元的上位线在所述上存储器阵列和所述y解码器中沿着所述y方向延伸。

12、连接到所述下存储器阵列中的所述存储器单元的下位线在所述下存储器阵列和所述y解码器中沿着所述y方向延伸。

13、所述y解码器包括：

14、上y线选择开关，所述上y线选择开关连接到所述上位线；以及

15、下y线选择开关，所述下y线选择开关连接到所述下位线，并且所述下y线选择开关沿着所述y方向布置在所述上y线选择开关的另一侧。

16、所述开关电路构成为能够切换从而允许所述感测放大器与所述上y线选择开关之间的导通或所述感测放大器与所述下y线选择开关之间的导通。

17、发明效果

18、根据本公开的存储器装置允许小型化和容量提高，同时提供增强的数据读取特性。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，还包括：

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中

4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中

5.根据权利要求2到4中任一权利要求所述的存储器装置，其中

6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的存储器装置，其中

技术总结上位线(BL_A)在上存储器阵列(1A)和Y解码器(3)中沿着Y方向延伸。下位线(BL_B)在下存储器阵列(1B)和Y解码器中沿着Y方向延伸。所述Y解码器包括上Y线选择开关(YS_A)和下Y线选择开关(YS_B)，所述上Y线选择开关(YS_A)连接到所述上位线，所述下Y线选择开关(YS_B)连接到所述下位线，并且所述下Y线选择开关(YS_B)沿着所述Y方向布置在所述上Y线选择开关的另一侧。开关电路(SWC)构成为能够切换从而允许感测放大器(SA)与所述上Y线选择开关之间的导通或所述感测放大器与所述下Y线选择开关之间的导通。技术研发人员：今井丈晴,久保天外受保护的技术使用者：罗姆股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/6