存储器装置及其操作方法与流程

本发明的各种实施方式涉及非易失性存储器装置的读操作。

背景技术：

1、存储器装置可被分类为易失性存储器装置和非易失性存储器装置。

2、非易失性存储器装置以比易失性存储器装置相对低的速度执行读/写操作，但是即使当电源被切断时也保留所存储的数据。因此，非易失性存储器装置经常用在便携式电子装置中以用于存储不管是否向装置供电均需要保留的数据。

3、非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(rom)、掩模rom(mrom)、可编程rom(prom)、可擦除可编程rom(eprom)、电可擦除可编程rom(eeprom)、闪存、相变随机存取存储器(pram)、磁性ram(mram)、电阻ram(rram)、铁电ram(fram)等。

4、闪存可在一个存储器单元中存储一比特数据，或者可存储两比特或更多比特数据。通常，存储一比特数据的存储器单元被称为单级单元，存储两比特或更多比特数据的存储器单元被称为多级单元。单级单元根据阈值电压而具有擦除状态和编程状态。多级单元根据阈值电压而具有擦除状态和多个编程状态。

5、最近，已尝试各种方法来降低多个读操作期间的电流消耗以确定闪存的多级单元的编程状态。

技术实现思路

1、本发明的实施方式涉及提供一种能够在读操作或编程验证操作期间施加到所选字线的读电压改变时选择性地调节位线的电压电平的存储器装置。

2、根据本发明的实施方式，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；行控制电路，其通过多条字线联接到存储器单元，并且被配置为在读操作期间向所选字线施加具有不同电平的相应读电压；页缓冲器电路，其通过多条位线联接到存储器单元，并且被配置为在各个读操作期间根据感测控制信号调节流过位线的电流量以感测调节的电流量；以及读控制电路，其被配置为在读操作当中的第一读操作之后的第二读操作期间当与第二读操作对应的第二读电压的电压电平不同于与第一读操作对应的第一读电压的电平时调节感测控制信号的电压电平。

3、根据本发明的实施方式，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括编程为多个编程状态的多个存储器单元；外围电路，其通过多条字线和多条位线联接到存储器单元阵列，并且被配置为对存储器单元当中的所选存储器单元执行多个读操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路在读操作中的当前读操作期间在当前读操作期间施加到所选字线的读电压的电平不同于先前读操作期间的读电压的电平时调节位线的电压电平。

4、根据本发明的实施方式，一种存储器装置的操作方法包括以下步骤：执行第一读操作，其包括：将第一读电压施加到从多条字线选择的字线；以及根据感测控制信号感测流过多条位线的电流量；以及执行第二读操作，其包括：将第二读电压施加到所选字线；当第二读电压的电平不同于第一读电压的电平时，调节感测控制信号的电压电平；以及根据感测控制信号感测流过位线的电流量。

5、根据本发明的实施方式，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；外围电路，其通过多条字线和多条位线联接到存储器单元阵列，并且被配置为对存储器单元当中的所选存储器单元执行多个编程循环，各个编程循环包括编程电压施加操作和编程验证操作；以及控制逻辑，其被配置为控制外围电路在当前编程验证操作期间在当前编程验证操作期间施加到所选字线的验证电压的电平不同于在先前编程验证操作期间施加的验证电压的电平时调节位线的电压电平。

6、根据本发明的实施方式，一种存储器装置的操作方法包括以下步骤：执行第一验证操作，其包括：将第一验证电压施加到从多条字线选择的字线；以及根据感测控制信号感测流过多条位线的电流量；以及执行第二验证操作，其包括：将第二验证电压施加到所选字线；当第二验证电压的电平不同于第一验证电压的电平时调节感测控制信号的电压电平；以及根据感测控制信号感测流过位线的电流量。

7、根据本发明的实施方式，一种存储器装置的操作方法包括以下步骤：在当前读操作期间将当前读电压施加到存储器单元阵列内的所选行；以及在当前读操作期间通过在当前读电压大于先前读电压时减小流过阵列内的列的电流量并且在当前读电压小于先前读电压时增大流过阵列内的列的电流量来感测流过阵列内的列的电流量，其中，先前读电压与对所选行的先前读操作对应，并且其中，先前读操作和当前读操作是多个读操作当中的连续读操作。

技术特征：

1.一种存储器装置，该存储器装置包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当所述第二读电压的电平大于所述第一读电压的电平时，所述读控制电路减小所述感测控制信号的电压电平。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，当所述第二读电压的电平低于所述第一读电压的电平时，所述读控制电路增大所述感测控制信号的电压电平。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器单元包括各自在其中存储两比特或更多比特数据的单元。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，所述存储器单元被编程为多个编程状态，并且所述读操作被执行多次以用于确定所述编程状态。

6.一种存储器装置，该存储器装置包括：

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述外围电路包括：

8.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当在所述当前读操作期间施加的所述读电压的电平大于在所述先前读操作期间施加的所述读电压的电平时，所述控制逻辑减小所述感测控制信号的电压电平。

9.根据权利要求7所述的存储器装置，其中，当在所述当前读操作期间施加的所述读电压的电平低于在所述先前读操作期间施加的所述读电压的电平时，所述控制逻辑增大所述感测控制信号的电压电平。

10.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述存储器单元包括各自在其中存储两比特或更多比特数据的单元。

11.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，所述读操作被执行多次以用于确定所述编程状态。

12.一种存储器装置的操作方法，该操作方法包括以下步骤：

13.根据权利要求12所述的操作方法，其中，调节所述感测控制信号的电压电平的步骤包括以下步骤：当所述第二读电压的电平大于所述第一读电压的电平时，减小所述感测控制信号的电压电平。

14.根据权利要求12所述的操作方法，其中，调节所述感测控制信号的电压电平的步骤包括以下步骤：当所述第二读电压的电平低于所述第一读电压的电平时，增大所述感测控制信号的电压电平。

15.一种存储器装置，该存储器装置包括：

16.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，当在所述当前编程验证操作期间施加的所述验证电压的电平大于在所述先前编程验证操作期间施加的所述验证电压的电平时，所述控制逻辑减小所述位线的电压电平。

17.根据权利要求15所述的存储器装置，其中，当在所述当前编程验证操作期间施加的所述验证电压的电平低于在所述先前编程验证操作期间施加的所述验证电压的电平时，所述控制逻辑增大所述位线的电压电平。

18.一种存储器装置的操作方法，该操作方法包括以下步骤：

19.根据权利要求18所述的操作方法，其中，调节所述感测控制信号的电压电平的步骤包括以下步骤：当所述第二验证电压的电平大于所述第一验证电压的电平时，减小所述感测控制信号的电压电平。

20.根据权利要求18所述的操作方法，其中，调节所述感测控制信号的电压电平的步骤包括以下步骤：当所述第二验证电压的电平低于所述第一验证电压的电平时，增大所述感测控制信号的电压电平。

技术总结本申请涉及存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括：存储器单元阵列，其包括存储器单元；行控制电路，其通过字线联接到存储器单元，并且被配置为在读操作期间向所选字线施加具有不同电平的相应读电压；页缓冲器电路，其通过位线联接到存储器单元，并且被配置为在各个读操作期间根据感测控制信号调节流过位线的电流量以感测所调节的电流量；以及读控制电路，其被配置为在读操作当中的第一读操作之后的第二读操作期间当与第二读操作对应的第二读电压的电压电平不同于与第一读操作对应的第一读电压的电平时调节感测控制信号的电压电平。技术研发人员：崔亨进受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/6