存储器装置、数据存储装置和存储器装置的擦除方法与流程

在此描述的各种示例实施例涉及半导体装置，并且更具体地，涉及三维结构的非易失性存储器装置。

背景技术：

1、存储器装置用于存储数据，并且可被分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。作为非易失性存储器装置的示例，闪存装置可用在移动电话、数码相机、便携式计算机装置、固定计算机装置和任何其他装置中的一个或多个中。如今，随着信息通信装置支持各种功能，需要或期望高容量和高度集成的存储器装置。因此，正在开发包括在垂直方向上堆叠在基底上的多条字线的三维(3d)非易失性存储器装置。如今，正在开发栅极诱导漏极泄漏(gidl，gate induced drain leakage)擦除方案作为3d非易失性存储器装置的擦除方案之一。然而，由于热载流子的生成，gidl擦除方案可导致选择晶体管的导通/截止特性的降低。

技术实现思路

1、各种示例实施例提供一种能够防止或减少gidl擦除操作中生成热载流子的可能性和/或影响的非易失性存储器装置。

2、根据一些示例实施例，一种存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块；电压生成器，被配置为生成将被提供给多个存储器块之中的目标块的擦除电压和行线电压，目标块是擦除操作将被执行的块；以及控制逻辑，被配置为控制存储器单元阵列和电压生成器。电压生成器被配置为将擦除电压提供给与目标块连接的位线和共源极线中的至少一条，并且将行线电压提供给与目标块连接的行线，并且控制逻辑被配置为改变擦除电压的斜率并且改变行线之中的至少一条行线的浮置时间，斜率的改变和浮置时间的改变根据执行的编程/擦除循环的数量。

3、可选地或附加地，根据一些示例实施例，一种数据存储装置包括：存储器装置；以及存储器控制器，被配置为控制存储器装置。存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块；电压生成器，被配置为生成将被提供给所述多个存储器块之中的目标块的擦除电压和行线电压，目标块是擦除操作将被执行的块；以及控制逻辑，被配置为控制存储器单元阵列和电压生成器。存储器控制器被配置为控制存储器装置，使得擦除电压的斜率和行线之中的至少一条行线的浮置时间中的至少一个被改变。

4、可选地或附加地，根据一些示例实施例，一种非易失性存储器装置的擦除方法，非易失性存储器装置包括垂直在基底上的至少一个串，所述方法包括：从多个存储器块之中选择擦除操作将被执行的目标块；基于目标块的执行的编程/擦除循环的数量来改变擦除条件；以及基于改变后的擦除条件对目标块执行擦除操作。

技术特征：

1.一种存储器装置，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，响应于目标块的执行的编程/擦除循环的数量等于计数，控制逻辑被配置为减小擦除电压的斜率。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中，

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，响应于目标块的执行的编程/擦除循环的数量等于计数，控制逻辑被配置为将所述多条行线之中的所述至少一条行线的浮置时间从第一浮置时间改变为比第一浮置时间早的第二浮置时间。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中，所述多条行线包括：

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中，响应于目标块的执行的编程/擦除循环的数量等于所述计数，地选择线的浮置时间从第五浮置时间被改变为比第五浮置时间早的第六浮置时间。

7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中，地选择线的第五浮置时间和第六浮置时间分别早于虚设字线的第三浮置时间和第四浮置时间。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中，控制逻辑被配置为：基于根据目标块的编程/擦除循环的执行的晶体管的阈值电压的变化，改变擦除电压的斜率和所述多条行线之中的所述至少一条行线的浮置时间中的至少一个。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，控制逻辑被配置为：基于将与共源极线连接的栅极诱导漏极泄漏gidl晶体管的阈值电压与参考电压进行比较的结果，改变擦除电压的斜率和所述多条行线之中的所述至少一条行线的浮置时间中的至少一个。

10.根据权利要求8所述的存储器装置，其中，控制逻辑被配置为：在擦除操作之后将与共源极线连接的栅极诱导漏极泄漏gidl晶体管的阈值电压与参考电压进行比较，并且基于比较结果来改变将被施加到下一编程/擦除循环的擦除电压的斜率和所述多条行线之中的所述至少一条行线的浮置时间中的至少一个。

11.根据权利要求1至10中的任一项所述的存储器装置，还包括：

12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中，存储器控制器被配置为：进行操作，使得存储器控制器对安全数据之中的除了关于擦除电压的斜率的数据和关于所述至少一条行线的浮置时间的数据之外的剩余安全数据的访问被阻止。

13.一种数据存储装置，包括：

14.根据权利要求13所述的数据存储装置，其中，存储器控制器包括：

15.根据权利要求13所述的数据存储装置，其中，存储器控制器包括：

16.根据权利要求13所述的数据存储装置，其中，存储器装置还包括：

17.根据权利要求16所述的数据存储装置，其中，存储器控制器被配置为基于uib地址表管理器电路向存储器装置提供关于擦除电压的斜率的数据的uib地址或者关于所述至少一条行线的浮置时间的数据的uib地址。

18.一种非易失性存储器装置的擦除方法，非易失性存储器装置包括垂直布置在基底上的至少一个串，所述方法包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，改变擦除条件的步骤包括：

20.根据权利要求18所述的方法，其中，改变擦除条件的步骤包括：

技术总结公开了存储器装置、数据存储装置和存储器装置的擦除方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器块；电压生成器，被配置为生成将被提供给所述多个存储器块之中的擦除操作将被执行的目标块的擦除电压和行线电压；以及控制逻辑，被配置为控制存储器单元阵列和电压生成器。电压生成器被配置为将擦除电压提供给与目标块连接的位线和共源极线中的至少一条，并且将行线电压提供给与目标块连接的行线，并且控制逻辑被配置为根据编程/擦除循环来改变擦除电压的斜率和行线之中的至少一条行线的浮置时间。技术研发人员：咸大植,孙溶完,朱相炫受保护的技术使用者：三星电子株式会社技术研发日：技术公布日：2024/5/6