感应放大器性能仿真测试方法与电子设备与流程

本公开涉及集成电路测试，具体而言，涉及一种感应放大器性能仿真测试方法与电子设备。

背景技术：

1、感应放大器(sense amplifier，sa)是存储器中的重要模块，用于放大位线上的微小电压差，以实现对存储单元的写入和读取。感应放大器能够检测到的最小电压差称为感应放大器的感应边界(sense margin，sm)，感应边界较大的感应放大器的读写成功率越高。

2、在存储器制造过程中，制造工艺会导致不同的感应放大器的感应边界基于设计值上下浮动，同时，电路中电压(例如电源电压、接地电压、均衡电压)的波动、晶体管的制造工艺(例如晶体管的阈值电压)也会影响不同感应放大器的感应边界。在相关技术中，通常对同一个存储器的感应放大器均设置相同的电参数，这就导致不同的感应放大器的表现不用，严重时可能导致部分存储单元读写失败。

3、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种感应放大器性能仿真测试方法与电子设备，用于测量不同感应放大器的最佳配置参数，从而优化不同感应放大器的感应边界。

2、根据本公开的第一方面，提供一种感应放大器性能仿真测试方法，包括：确定目标位线连接的至少一个目标存储单元以及所述至少一个目标存储单元相邻的第一数量个环境存储单元；对所述目标存储单元和所述环境存储单元按照多个数据图谱中的至少一个数据图谱进行赋值；按照目标阈值电压参数组设置所述目标位线连接的目标感应放大器中的各晶体管的阈值电压，所述目标阈值电压参数组为多个阈值电压参数组中的一个阈值电压参数组；读取所述目标存储单元，并在读取数据错误时，记录所述目标存储单元当前对应的数据图谱和目标阈值电压参数组。

3、在本公开的一种示例性实施例中，所述目标存储单元的数量为多个，所述第一数量个环境存储单元包括与所述目标位线距离最近的预设值条位线连接的存储单元。

4、在本公开的一种示例性实施例中，所述目标存储单元的数量为一个，所述第一数量个环境存储单元包括所述目标存储单元对应的目标字线连接的所述存储单元。

5、在本公开的一种示例性实施例中，所述对所述目标存储单元和所述环境存储单元按照多个数据图谱中的一个数据图谱进行赋值包括：对所述目标存储单元写入第一值，对所述环境存储单元写入第二值。

6、在本公开的一种示例性实施例中，所述对所述目标存储单元和所述环境存储单元按照多个数据图谱中的一个数据图谱进行赋值包括：确定所述目标存储单元连接的目标字线；对同一条所述目标字线连接的所述目标存储单元和所述环境存储单元，按照字线连接顺序间隔写入第一值和第二值。

7、在本公开的一种示例性实施例中，所述按照字线连接顺序间隔写入第一值和第二值包括：按照字线连接顺序，对多组相邻存储单元间隔写入所述第一值和所述第二值，其中，所述多组相邻存储单元按照字线连接顺序排列，每组相邻存储单元均包括第二数量个相邻的存储单元。

8、在本公开的一种示例性实施例中，一个阈值电压参数组包括：将所述目标感应放大器的第一p型晶体管的阈值电压设置为第一值；将所述目标感应放大器的第二p型晶体管的阈值电压设置为第二值；将所述目标感应放大器的第一n型晶体管的阈值电压设置为第三值；将所述目标感应放大器的第二n型晶体管的阈值电压设置为第四值。

9、在本公开的一种示例性实施例中，所述多个阈值电压参数组至少包括以下阈值电压参数组：第一阈值电压参数组，所述第一值大于第一预设值，所述第二值小于所述第一预设值，所述第三值大于第二预设值，所述第四值小于所述第二预设值；第二阈值电压参数组，所述第一值大于第一预设值，所述第二值大于所述第一预设值，所述第三值小于第二预设值，所述第四值小于所述第二预设值；第三阈值电压参数组，所述第一值小于第一预设值，所述第二值大于所述第一预设值，所述第三值小于第二预设值，所述第四值大于所述第二预设值；第四阈值电压参数组，所述第一值小于第一预设值，所述第二值小于所述第一预设值，所述第三值大于第二预设值，所述第四值大于所述第二预设值；第五阈值电压参数组，所述第一值大于第一预设值，所述第二值小于所述第一预设值，所述第三值小于第二预设值，所述第四值大于所述第二预设值；第六阈值电压参数组，所述第一值小于第一预设值，所述第二值大于所述第一预设值，所述第三值大于第二预设值，所述第四值小于所述第二预设值。

10、在本公开的一种示例性实施例中，在所述第一值大于所述第一预设值时，所述第一值等于第一目标值，在所述第二值大于所述第一预设值时，所述第二值等于所述第一目标值；在所述第一值小于所述第一预设值时，所述第一值等于第二目标值，在所述第二值小于所述第一预设值时，所述第二值等于所述第二目标值；在所述第三值大于所述第二预设值时，所述第三值等于第三目标值，在所述第四值大于所述第二预设值时，所述第四值等于所述第三目标值；在所述第三值小于所述第二预设值时，所述第三值等于第四目标值，在所述第四值小于所述第二预设值时，所述第四值等于所述第四目标值。

11、在本公开的一种示例性实施例中，所述按照目标阈值电压参数组设置所述目标位线连接的目标感应放大器中的各晶体管的阈值电压包括：通过设置所述目标感应放大器中各晶体管的晶体管参数，将每个所述晶体管的阈值电压设置为所述目标阈值电压参数组中该晶体管对应的阈值电压。

12、在本公开的一种示例性实施例中，所述晶体管参数包括沟道长度和沟道宽度。

13、在本公开的一种示例性实施例中，还包括：确定所述目标存储单元和所述环境存储单元对应一个所述数据图谱时，所述目标感应放大器对应每个所述阈值电压参数组时的读取结果；确定所述目标存储单元和所述环境存储单元对应每个所述数据图谱时，所述目标感应放大器对应每个所述阈值电压参数组时的读取结果；确定多个目标位线对应的目标存储单元和环境存储单元，在对应每个所述数据图谱时，每个目标感应放大器对应每个所述阈值电压参数组时的读取结果。

14、根据本公开的第二方面，提供一种电子设备，包括：存储器，用于存储代码；处理器，用于执行所述存储器存储的代码，以实现如上任一项所述的感应放大器性能仿真测试方法。

15、本公开实施例通过在不同的存储数据环境下，测试目标感应放大器在不同的晶体管阈值电压设置方案下的读写表现，可以得到使目标感应放大器在不同的存储数据环境下读取成功的最优晶体管阈值电压设置方案，从而根据该最优晶体管阈值电压设置方案生成感应放大器的制造参数，优化感应放大器性能。

16、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

技术特征：

1.一种感应放大器性能仿真测试方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述目标存储单元的数量为多个，所述第一数量个环境存储单元包括与所述目标位线距离最近的预设值条位线连接的存储单元。

3.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述目标存储单元的数量为一个，所述第一数量个环境存储单元包括所述目标存储单元对应的目标字线连接的所述存储单元。

4.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述对所述目标存储单元和所述环境存储单元按照多个数据图谱中的一个数据图谱进行赋值包括：

5.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，所述对所述目标存储单元和所述环境存储单元按照多个数据图谱中的一个数据图谱进行赋值包括：

6.如权利要求5所述的测试方法，其特征在于，所述按照字线连接顺序间隔写入第一值和第二值包括：

7.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，一个阈值电压参数组包括：

8.如权利要求7所述的测试方法，其特征在于，所述多个阈值电压参数组至少包括以下阈值电压参数组：

9.如权利要求8所述的测试方法，其特征在于，在所述第一值大于所述第一预设值时，所述第一值等于第一目标值，在所述第二值大于所述第一预设值时，所述第二值等于所述第一目标值；在所述第一值小于所述第一预设值时，所述第一值等于第二目标值，在所述第二值小于所述第一预设值时，所述第二值等于所述第二目标值；在所述第三值大于所述第二预设值时，所述第三值等于第三目标值，在所述第四值大于所述第二预设值时，所述第四值等于所述第三目标值；在所述第三值小于所述第二预设值时，所述第三值等于第四目标值，在所述第四值小于所述第二预设值时，所述第四值等于所述第四目标值。

10.如权利要求1、7、8、9任一项所述的测试方法，其特征在于，所述按照目标阈值电压参数组设置所述目标位线连接的目标感应放大器中的各晶体管的阈值电压包括：

11.如权利要求10所述的测试方法，其特征在于，所述晶体管参数包括沟道长度和沟道宽度。

12.如权利要求1所述的测试方法，其特征在于，还包括：

13.一种电子设备，其特征在于，包括：

技术总结本公开提供一种感应放大器性能仿真测试方法及电子设备，仿真方法包括：确定目标位线连接的至少一个目标存储单元以及所述至少一个目标存储单元相邻的第一数量个环境存储单元；对所述目标存储单元和所述环境存储单元按照多个数据图谱中的至少一个数据图谱进行赋值；按照目标阈值电压参数组设置所述目标位线连接的目标感应放大器中的各晶体管的阈值电压，所述目标阈值电压参数组为多个阈值电压参数组中的一个阈值电压参数组；读取所述目标存储单元，并在读取数据错误时，记录所述目标存储单元当前对应的数据图谱和目标阈值电压参数组。本公开实施例可以测得使存储器的读写成功率最优的感应放大器设计参数。技术研发人员：韩香云,王元龙受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/5/6