感应放大器运行参数设置方法与电子设备与流程

所属的技术人员能够理解，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施方式、完全的软件实施方式(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施方式，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。此外，上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本技术旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和构思由权利要求指出。

背景技术：

1、感应放大器是动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)中的重要电路模块，用于将位线上的微小电压变化放大，以对存储单元写入数据或从存储单元读取数据。

2、在位线数据放大过程中，位线与存储单元之间进行数据传输的过程(即位线的电压变化过程)称为电荷分享过程，电荷分享过程中，电压偏置、阵列噪声、时序等负面因素均会消耗参与传输的电荷，电荷分享过程的剩余电荷称为感应放大器的感应裕度(sensemargin)。增大感应裕度是dram电路设计中的重要目标。

3、在dram产品测试过程中，通常将全部芯片的感应放大器运行参数均设置为默认值。但是，由于制造工艺差异，位于不同芯片和不同晶圆上的感应放大器的电路性能存在严重的差异，例如不同工艺角的芯片的晶体管开关速度不同，相同的参数设置会导致不同芯片上的感应放大器的感应裕度不同，降低工艺参数相对较差的角晶圆的成品率。

4、因此，需要制定一种新的感应放大器运行参数动态调整方案，以使不同工艺角的芯片就能够具有足够的感应裕度，提高芯片制造的良率。

5、需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种感应放大器运行参数设置方法与电子设备，用于至少在一定程度上克服由于设置统一的感应放大器运行参数导致的不同工艺角的芯片的感应裕度无法最大化问题。

2、根据本公开实施例的第一方面，提供一种感应放大器运行参数设置方法，包括：获取样本芯片在多组测试条件参数下的多组测试结果数据；根据每组所述测试结果数据确定每组所述测试条件参数对应的第一参数值，并根据所述第一参数值选取与所述样本芯片对应的候选测试条件参数；在所述多组测试条件参数下获取多个样本芯片对应的所述候选测试条件参数，根据所述多个样本芯片对应的所述候选测试条件参数确定多组候选感应放大器运行参数；使用所述多组候选感应放大器运行参数分别对目标芯片进行线上测试，以获取与每组所述候选感应放大器运行参数对应的线上测试结果数据；计算每个所述线上测试结果数据对应的损失函数值，将所述损失函数值最小的所述线上测试结果数据对应的一组感应放大器运行参数设置为所述目标芯片的感应放大器运行参数。

3、在本公开的一种示例性实施例中，所述测试条件参数包括第一电平、第二电平、偏移消除时长，所述根据每组所述测试结果数据确定每组所述测试条件参数对应的第一参数值包括：根据所述多组测试条件参数构建第一虚拟立方体，所述第一虚拟立方体由多个第二虚拟立方体构成，一个所述第二虚拟立方体对应一组所述测试条件参数，在所述第一虚拟立方体中相邻的两个所述第二虚拟立方体对应的两组测试条件参数中有两个参数相同；根据每个所述第二虚拟立方体对应的测试结果数据计算每个所述第二虚拟立方体的第二参数值，根据每个所述第二虚拟立方体的第二参数值及其相邻的多个第二虚拟立方体的第二参数值确定每个所述第二虚拟立方体的第一参数值，即所述第二虚拟立方体对应的一组测试条件参数的第一参数值。

4、在本公开的一种示例性实施例中，所述根据每个所述第二虚拟立方体的第二参数值及其相邻的多个第二虚拟立方体的第二参数值确定每个所述第二虚拟立方体的第一参数值包括：确定一个待测第二虚拟立方体；确定所述待测第二虚拟立方体在所述第一虚拟立方体中的多个相邻第二虚拟立方体；根据所述待测第二虚拟立方体的第二参数值和所述多个相邻第二虚拟立方体的第二参数值确定所述待测第二虚拟立方体的第一参数值。

5、在本公开的一种示例性实施例中，所述根据每个所述第二虚拟立方体的第二参数值及其相邻的多个第二虚拟立方体的第二参数值确定每个所述第二虚拟立方体的第一参数值包括：确定一个待测第二虚拟立方体；确定所述待测第二虚拟立方体在所述第一虚拟立方体中的多个相邻第二虚拟立方体；将所述相邻第二虚拟立方体在所述相邻第二虚拟立方体和所述待测第二虚拟立方体的连线方向上相邻的另一个第二虚拟立方体设置为所述待测第二虚拟立方体的外围第二虚拟立方体；根据所述待测第二虚拟立方体的所述第二参数值、所述相邻第二虚拟立方体的第二参数值、所述外围第二虚拟立方体的第二参数值确定所述待测第二虚拟立方体的第一参数值。

6、在本公开的一种示例性实施例中，所述多组测试条件参数中，共包含7个第一电平、7个第二电平、16个偏移消除时长，不同的所述测试条件参数中的第一电平、第二电平、偏移消除时长不完全相同。

7、在本公开的一种示例性实施例中，所述第一虚拟立方体的第一轴方向对应所述7个第一电平，所述第一虚拟立方体的第二轴方向对应所述7个第二电平，所述第一虚拟立方体的第三轴方向对应所述16个偏移消除时长，所述第一轴、所述第二轴、所述第三轴相互正交。

8、在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述第一参数值选取与所述样本芯片对应的候选测试条件参数包括：将所述第一参数值最小的预设比例组测试条件参数设置为所述样本芯片对应的候选测试条件参数。

9、在本公开的一种示例性实施例中，所述根据所述多个样本芯片对应的所述候选测试条件参数确定多组候选感应放大器运行参数包括：根据所述多个样本芯片对应的所述候选测试条件参数确定多个电源参数组和与每个所述电源参数组对应的偏移消除时长，每个所述电源参数组包括所述第一电平和所述第二电平；将每个所述电源参数组对应的所述候选测试条件参数的数量确定为所述电源参数组的第一评估值，将所述第一评估值最大的第一预设值个所述电源参数组确定为优选电源参数组；确定所述优选电源参数组对应的偏移消除时长中，将每个所述偏移消除时长对应的优选电源参数组的数量确定为所述偏移消除时长的第二评估值，将所述第一评估值最大的第二预设值个偏移消除时长确定为中选偏移消除时长；根据所述中选偏移消除时长和所述中选偏移消除时长对应的所述优选电源参数组确定所述第一预设值组感应放大器运行参数。

10、在本公开的一种示例性实施例中，所述在所述多组测试条件参数下获取多个样本芯片对应的所述候选测试条件参数包括：定期重新选取多个样本芯片，所述多个样本芯片属于多个样本晶圆，每个所述样本晶圆对应多个所述样本芯片。

11、在本公开的一种示例性实施例中，所述使用所述多组候选感应放大器运行参数分别对目标芯片进行线上测试，以获取与每组所述候选感应放大器运行参数对应的线上测试结果数据包括：使用所述多组候选感应放大器运行参数分别对目标芯片进行线上测试，以获取与每组所述候选感应放大器运行参数对应的线上测试结果数据；获取所述目标芯片所属晶圆的标准感应放大器运行参数；使用所述标准感应放大器运行参数对所述目标芯片进行所述线上测试，以获取所述标准感应放大器运行参数对应的线上测试结果数据。

12、在本公开的一种示例性实施例中，所述计算每个所述线上测试结果数据对应的损失函数值，将所述损失函数值最小的所述线上测试结果数据对应的所述候选感应放大器运行参数设置为所述目标芯片的感应放大器运行参数包括：计算所述多组候选感应放大器运行参数对应的多个线上测试结果数据的多个第一损失函数值；计算所述标准感应放大器运行参数对应的线上测试结果数据的第二损失函数值；将多个所述第一损失函数值和所述第二损失函数值中的最小值对应的所述候选感应放大器运行参数或所述标准感应放大器运行参数设置为所述目标芯片的感应放大器运行参数。

13、在本公开的一种示例性实施例中，所述根据每个所述第二虚拟立方体对应的测试结果数据计算每个所述第二虚拟立方体的第二参数值包括根据以下公式计算所述第二虚拟立方体的第二参数值：f＝α×(λfr1+fr0)+(1-a)×|λfr1-fr0|，其中，f是所述第二参数值，fr1是所述第二虚拟立方体对应的测试结果数据中的数据1读取失效位元比例，fr0是所述第二虚拟立方体对应的测试结果数据中的数据0读取失效位元比例，a是和差调整参数，λ是零一偏向参数。

14、在本公开的一种示例性实施例中，根据所述待测第二虚拟立方体的第二参数值和所述多个相邻第二虚拟立方体的第二参数值确定所述待测第二虚拟立方体的第一参数值包括根据以下公式计算：其中，ω是所述待测第二虚拟立方体的第一参数值，f(cb)是所述待测第二虚拟立方体的第二参数值，f(sb)是所述相邻第二虚拟立方体的第二参数值，n是所述相邻第二虚拟立方体的数量。

15、在本公开的一种示例性实施例中，所述外围第二虚拟立方体根据与所述待测第二虚拟立方体在所述第一虚拟立方体中的距离分为多个种类，所述根据所述待测第二虚拟立方体的所述第二参数值、所述相邻第二虚拟立方体的第二参数值、所述外围第二虚拟立方体的第二参数值确定所述待测第二虚拟立方体的第一参数值包括根据以下公式计算：其中，ω是所述第一参数值，f(cb)是所述待测第二虚拟立方体的第二参数值，f(sb)是所述相邻第二虚拟立方体的第二参数值，n是所述相邻第二虚拟立方体的数量，i是所述外围第二虚拟立方体的种类序号，mi是第i类所述外围第二虚拟立方体的数量，wi是第i类所述外围第二虚拟立方体的计算权重，f(obi)是第i类外围第二虚拟立方体的第二参数值。

16、在本公开的一种示例性实施例中，所述计算每个所述线上测试结果数据对应的损失函数值包括根据以下公式计算：其中，g是所述损失函数值，a是和差调整参数，λ是零一偏向参数，fr1是所述线上测试结果数据中的数据1读取失效位元比例，fr0是所述线上测试结果数据中的数据0读取失效位元比例，fr1por是所述标准感应放大器运行参数对应的线上测试结果数据中的数据1读取失效位元比例，fr0por是所述标准感应放大器运行参数对应的线上测试结果数据中的数据0读取失效位元比例。

17、根据本公开的第二方面，提供一种电子设备，包括：存储器；以及耦合到所述存储器的处理器，所述处理器被配置为基于存储在所述存储器中的指令，执行如上述任意一项所述的方法。

18、本公开实施例通过获取多个样本芯片的测试条件参数以及对应的测试结果数据，能够对每种感应放大器运行参数对感应裕度指标的影响进行评估，进而选择能够使大多数芯片的感应裕度最大化的多组候选感应放大器运行参数，在对目标芯片进行生产时，使用该候选感应放大器运行参数对目标芯片进行测试，以选择能够使目标芯片的感应裕度最大化的感应放大器运行参数。因此，可以克服相关技术中将全部芯片的感应放大器运行参数均设置为默认值导致的部分芯片无法实现感应裕度最大化的问题，单独为每个芯片设置其对应的能够实现感应裕度最大化的感应放大器运行参数，提高芯片生产的良率。

19、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。