一种散热性好的石墨片的制作方法

本技术涉及石墨片，具体为一种散热性好的石墨片。

背景技术：

1、石墨片是一种全新的导热散热材料，具有独特的晶粒取向，沿两个方向均匀导热，片层状结构可很好地适应任何表面，屏蔽热源与组件的同时改进消费类电子产品的性能。这种全新的天然石墨解决方案，散热效率高、占用空间小、重量轻，沿两个方向均匀导热，消除“热点”区域，屏蔽热源与组件的同时改进消费类电子产品的性能，现有的石墨片具有良好的散热性能，但是还同样存在不足之处；

2、如，申请号：cn201220224050.4本实用新型公开了一种石墨片，单片大尺寸石墨片可达到一般大尺寸产品散热导热的要求，使其无需拼接，而由一整片完成，使其散热导热效果更显著；大尺寸的石墨片，可以剪裁出更多的小尺寸石墨片，还可以更合理的设计出余料最少的方案，节约生产的成本，减少了不必要的损失和浪费；上述的石墨片虽然设计出余料最少的方案，节约生产的成本，减少了不必要的损失和浪，可是由于石墨材料在高温、腐蚀性气体环境下会发生腐蚀掉粉现象，从而将粉体杂质引入到单晶材料中，因此，涂覆高纯度、均匀致密的保护涂层是解决该问题的唯一方法；

3、于是，有鉴于此，针对现有的结构及缺失予以研究改良，提出一种散热性好的石墨片。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种散热性好的石墨片，以解决上述背景技术中提出的问题。

2、为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种散热性好的石墨片，包括：石墨基体、第一涂层、第二涂层和保护膜，所述石墨基体两侧涂有第一涂层，所述第一涂层侧面涂有第二涂层，所述第二涂层侧面粘合有保护膜，所述第一涂层为碳化硅涂层，且第一涂层的厚度为0.01-0.03mm，第一涂层纯度高、均匀、致密、颗粒细、无缺陷，所述第一涂层具有电磁导电性能，且第一涂层采用化学气相沉积技术，第一涂层经化学气相沉积碳化硅涂层后的石墨盘具有耐高温、抗氧化、纯度高、耐酸碱盐及有机试剂等特性。

3、进一步的，所述第二涂层为氧化物涂层，通过第二涂层可以在使用过程中能有效阻止环境中的氧向石墨基体表面扩散。

4、进一步的，所述第二涂层厚度为0.03-0.08mm，第二涂层具有耐磨、耐腐蚀，抗热震性和耐高温氧化性能良好。

5、进一步的，所述保护膜为pet材料，且pet材料的保护膜以聚酯薄膜为基材，保护膜易贴合、易剥离、可提高自动化组装的效率，降低不良率。

6、与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

7、1.本实用新型通过第一涂层经化学气相沉积碳化硅涂层后的石墨盘具有耐高温、抗氧化、纯度高、耐酸碱盐及有机试剂等特性，满足高纯度单晶生长环境的需要，从而可以解决石墨基体腐蚀掉粉现象，在石墨基体上制备了结构致密第二涂层，通过第二涂层可以在使用过程中能有效阻止环境中的氧向石墨基体表面扩散，第二涂层具有耐磨、耐腐蚀，抗热震性和耐高温氧化性能良好，最后通过保护膜应用于石墨基体个段制程及运输过程避免刮伤，达到保护效果；

8、2.本实用新型通过增碳剂专用粘合剂，可以使石墨基体具有稳定的粘结性，无毒无害，高分子聚合反应而生成的，在增碳剂接触后，通过物理作用粘结在一起，而不会发生化学反应，使增碳剂成型后硬度加强，从而可以提高石墨基体的硬度。

技术特征：

1.一种散热性好的石墨片，包括：石墨基体(1)、第一涂层(2)、第二涂层(3)和保护膜(4)，其特征在于，所述石墨基体(1)两侧涂有第一涂层(2)，所述第一涂层(2)侧面涂有第二涂层(3)，所述第二涂层(3)侧面粘合有保护膜(4)，所述第一涂层(2)为碳化硅涂层，且第一涂层(2)的厚度为0.01-0.03mm，所述第一涂层(2)具有电磁导电性能，且第一涂层(2)采用化学气相沉积技术。

2.根据权利要求1所述的一种散热性好的石墨片，其特征在于，所述第二涂层(3)为氧化物涂层。

3.根据权利要求1所述的一种散热性好的石墨片，其特征在于，所述第二涂层(3)厚度为0.03-0.08mm。

4.根据权利要求1所述的一种散热性好的石墨片，其特征在于，所述保护膜(4)为pet材料，且pet材料的保护膜(4)以聚酯薄膜为基材。

技术总结本技术公开了一种散热性好的石墨片，本技术涉及石墨片技术领域，包括：石墨基体、第一涂层、第二涂层和保护膜，所述石墨基体两侧涂有第一涂层，所述第一涂层侧面涂有第二涂层，所述第二涂层侧面粘合有保护膜；所述第一涂层为碳化硅涂层，且第一涂层的厚度为0.01‑0.03mm；所述保护膜为Pet材料，且Pet材料的保护膜以聚酯薄膜为基材。该散热性好的石墨片，通过第一涂层经化学气相沉积碳化硅涂层后的石墨盘具有耐高温、抗氧化、纯度高、耐酸碱盐及有机试剂等特性，满足高纯度单晶生长环境的需要，从而可以解决石墨基体腐蚀掉粉现象，在石墨基体上制备了结构致密第二涂层，通过第二涂层可以在使用过程中能有效阻止环境中的氧向石墨基体表面扩散。技术研发人员：吴绍云受保护的技术使用者：苏州上展电子有限公司技术研发日：20230904技术公布日：2024/6/23