发光器件和包括其的电子设备的制作方法

本公开的一个或更多个实施例涉及一种发光器件和包括该发光器件的电子设备。

背景技术：

1、发光器件是将电能转换为光能的器件。这种发光器件的示例包括其中发光材料为有机材料的有机发光器件和其中发光材料为量子点的量子点发光器件。

2、在发光器件中，第一电极在基底上，并且空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极顺序地在第一电极上。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在这种发射层区域中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。

技术实现思路

1、技术问题

2、提供一种包括包含第一金属氧化物和第二金属颗粒的功能层的发光器件和电子设备。例如，提供通过引入能够减少第一金属氧化物的表面上的氧缺陷的第二金属颗粒而具有改善的特性的发光器件以及包括该发光器件的电子设备。

3、技术方案

4、根据一个或更多个实施例，提供了一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；

5、第二电极，面向第一电极；

6、发射层，在第一电极与第二电极之间；以及

7、功能层，在发射层与第二电极之间，

8、其中，功能层包括第一金属氧化物和第二金属颗粒，并且

9、第二金属颗粒的第二金属是mg、au、ag、cu、fe或其任何组合。

10、根据一个或更多个实施例，提供了一种包括该发光器件的电子设备。

11、有益效果

12、根据本公开的实施例，发光器件包括包含第一金属氧化物和第二金属颗粒的功能层，因此，可以实现具有优异的电子迁移率并且通过防止或减少激子猝灭而具有低驱动电压、高效率和长寿命的发光器件。

技术特征：

1.一种发光器件，所述发光器件包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一金属氧化物的第一金属是zn、mg、ti、si、sn、w、zr、hf、ta、ba、al、y或它们的任何组合。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一金属氧化物由式1表示：

4.根据权利要求3所述的发光器件，其中m1是zn，并且x满足0≤x≤0.5。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一金属氧化物的平均粒径d50在8nm至15nm的范围内。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第二金属颗粒的平均粒径d50在4nm至12nm的范围内。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述功能层与所述发射层彼此直接接触。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述发射层包括量子点。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述量子点包括ii-vi族半导体化合物、iii-v族半导体化合物、iii-vi族半导体化合物、i-iii-vi族半导体化合物、iv-vi族半导体化合物、iv族元素或化合物或者它们的任何组合。

10.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述量子点具有核-壳结构。

11.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一电极是阳极，

12.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述功能层包括所述第一金属氧化物和所述第二金属颗粒的混合物。

13.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述功能层包括n个第一功能层和m个第二功能层，

14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述n个第一功能层中的相应第一功能层的厚度与所述m个第二功能层中的相应第二功能层的厚度的比为10:1至100:1。

15.根据权利要求13所述的发光器件，其中，n和m均为1。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述m个第二功能层中的相应第二功能层在所述n个第一功能层中的相应第一功能层与所述发射层之间，或者

17.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述n个第一功能层中的相应第一功能层和所述m个第二功能层中的相应第二功能层彼此直接接触。

18.一种电子设备，所述电子设备包括根据权利要求1至17中任一项所述的发光器件。

19.根据权利要求18所述的电子设备，所述电子设备还包括薄膜晶体管，其中：

20.根据权利要求18所述的电子设备，所述电子设备还包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或它们的任何组合。

技术总结公开了发光器件和电子设备，所述发光器件包括设置在发光层与第一电极之间并包括第一金属氧化物和第二金属颗粒的功能层，具体地，根据一个实施例的发光器件包括：第一电极；第二电极，与第一电极相对；发光层，设置在第一电极与第二电极之间；以及功能层，设置在发光层与第二电极之间，其中，功能层包括第一金属氧化物和第二金属颗粒，并且第二金属包括Mg、Au、Ag、Cu、Fe或其任何组合。技术研发人员：宋垠澔,金德起,金世勳,朴元俊,辛锺雨,李相烨,河在国受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15