一种声表面波滤波器的制作方法

本发明属于通信，尤其涉及一种声表面波滤波器。

背景技术：

1、声表面波(surface acoustic wave, saw)滤波器拥有较为出色的频带选择性、高q值、低插入损耗等特点，被广泛应用于现代通信设备领域。而随着无线通讯设备支持的频段的增加，使得无线通讯设备使用的频段越来越密集，为了提高通信质量，减少各频段之间的干扰，提高通信质量，势必对saw滤波器性能以及尺寸提出更高的要求。因此近些年，越来越多的saw滤波器在使用poi（piezo-on-insulator）衬底，因其出色的品质因子（q值）、低温漂系数、大带宽、高功率等。

2、poi衬底是一种由压电层、高声速层和低声速层等组成的复合衬底，这种衬底固有的横向传播的模态（横模），在滤波器实际使用过程之中会被激发出来，干扰滤波器正常的使用。传统的用于消除idt的横模的方法，是使idt倾斜。这种方法对于poi衬底上saw滤波器耦合剪切波抑制没有作用，特别是滤波器膜厚比（h/λ）超过9%的情况下，该模式会导致idt的串联谐振频率右侧固有位置出现一个凹坑，反映到滤波器中就会导致通带右边缘出现塌陷或较大的凹坑。正常双工器中，可以通过选择适当的idt金属膜厚，减弱该凹坑，从而减弱滤波器通带右侧的抖动；然而在所用器件为band 66双工器中（tx滤波器通带频率：1710-1780 mhz; rx滤波器通带频率:2110-2200 mhz），由于tx滤波器与rx滤波器通带离的较远，在兼顾tx滤波器损耗的情况下，rx滤波器膜厚比必然超过9%，也就是说，在此情况下，rx滤波器通带右边缘必然会出现塌陷或者较大的凹坑，从而影响双工器的性能。

3、因此在不对器件其他性能造成影响且不增加其尺寸的前提下，减弱poi衬底上saw滤波器耦合剪切波带来的滤波器性能恶化仍是亟待解决的问题。

技术实现思路

1、针对现有技术中的上述不足，本发明提供的一种声表面波滤波器，有效减弱poi衬底上saw滤波器耦合剪切波带来的滤波器性能恶化，消除在tx滤波器和rx滤波器通带较远的双工器中，频率较高的滤波器通带右边缘塌陷或者出现较大的凹坑的情况，以及减小通带的损耗，优化器件性能。

2、为了达到以上目的，本发明采用的技术方案为：一种声表面波滤波器，包括位于复合衬底上的叉指换能器idt结构；

3、所述叉指换能器idt结构包括第一短路反射栅和第二短路反射栅，所述第一短路反射栅和第二短路反射栅对称的设置在叉指换能器的两端。

4、进一步地，所述叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条、第一电极指、第二电极指、第一电极假指以及第二电极假指；

5、所述第一汇流条和第二汇流条对称倾斜设置，所述第一电极指和第一电极假指均设置在第一汇流条上，所述第二电极指和第二电极假指均设置在第二汇流条上，所述第一电极指和第一电极假指之间间隔交替设置，所述第二电极指和第二电极假指之间间隔交替设置，所述第一电极指和第二电极指的指条末端以及第一电极假指和第二电极假指的指条末端设置有一对榔头，该一对榔头间隔有间隙。

6、再进一步地，所述第一电极指和第二电极指从弹性波传播方向观察时的重复电极指长度为一对梳齿状电极的交叉宽度；

7、相邻两根第一电极指的间隔构成谐振器的波长；或相邻两根第二电极指的间隔构成谐振器的波长；

8、所述第一电极指和相邻的第二电极指间间距为波长的；

9、所述第一电极指的线宽占有率和第二电极指的线宽占有率均为谐振器的电极占空比；

10、所述第一电极指的膜厚比为，其中，表示第一电极指的膜厚；

11、所述第二电极指的膜厚比为，其中，表示第二电极指的膜厚。

12、本发明的有益效果：

13、（1）本发明提出了一种声表面波滤波器，包括位于复合衬底上的idt电极结构，本发明首次关注到poi衬底上耦合剪切波模式，造成谐振器串联谐振频率右侧出现小凹坑，也针对性的提出了改善，既解决了rx滤波器通带右边缘的波动，也不会对双工器其他性能造成恶化，极大的改善了双工器的性能。

14、（2）本发明用于抑制poi衬底上saw滤波器耦合剪切波，可以有效消除在tx滤波器和rx滤波器通带较远的双工器中，频率较高的滤波器通带右边缘塌陷或者出现较大的凹坑的情况，以及减小通带的损耗，优化器件性能。

技术特征：

1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括位于复合衬底上的叉指换能器idt结构（1）；

2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述叉指换能器包括第一汇流条（4）、第二汇流条（5）、第一电极指（6）、第二电极指（7）、第一电极假指（8）以及第二电极假指（9）；

3.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一电极指（6）和第二电极指（7）从弹性波传播方向观察时的重复电极指长度为一对梳齿状电极的交叉宽度；

技术总结本发明提供了一种声表面波滤波器，属于通信技术领域。包括位于复合衬底上的叉指换能器IDT结构；所述叉指换能器IDT结构包括第一短路反射栅和第二短路反射栅，所述第一短路反射栅和第二短路反射栅对称的设置在叉指换能器的两端。本发明可以有效减弱POI衬底上SAW滤波器耦合剪切波带来的滤波器性能恶化，消除在TX滤波器和RX滤波器通带较远的双工器中，频率较高的滤波器通带右边缘塌陷或者出现较大的凹坑的情况，以及减小通带的损耗，优化器件性能。技术研发人员：请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名受保护的技术使用者：成都频岢微电子有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15