显示装置和制造显示装置的方法与流程

实施例涉及显示装置以及制造显示装置的方法，并且更具体地，涉及能够最小化由光学谐振结构引起的光效率的降低的显示装置以及制造显示装置的方法。

背景技术：

1、显示装置接收关于图像的信息并且显示图像。显示装置用于诸如移动电话的相对小型的产品或者诸如电视的相对大型的产品。

2、显示装置包括通过接收电信号来发射光以向外部显示图像的多个像素。每个像素包括发光器件。例如，有机发光显示装置包括有机发光二极管(“oled”)作为发光器件。通常，在有机发光显示装置中，薄膜晶体管和有机发光二极管形成在衬底上，并且有机发光二极管自身发射光。

3、用于通过使用有机发光二极管来显示全色图像的显示装置采用其中从具有不同颜色的各个像素的发射层发射的各个波长的光学长度被改变的光学谐振结构。

技术实现思路

1、实施例包括能够最小化由光学谐振结构引起的光效率的降低的显示装置和制造显示装置的方法。然而，实施例为示例，并且不限制本公开的范围。

2、额外的特征将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述而显而易见，或者可通过所呈现的实施例的实践而习得。

3、在本公开的实施例中，显示装置包括衬底、第一像素电极、相对电极、第一发射层和第一氧化物半导体层，第一像素电极设置在衬底上并且包括在预定波长下具有第一消光系数的透明电极层，相对电极设置在第一像素电极上，第一发射层设置在第一像素电极与相对电极之间，第一氧化物半导体层设置在第一像素电极与第一发射层之间并且在预定波长下具有小于第一消光系数的第二消光系数。

4、在实施例中，在550纳米的波长下，第二消光系数可为0.0001或更小的正数。

5、在实施例中，透明电极层可包括氧化铟锡(“ito”)，并且第一氧化物半导体层可包括氧化铟镓锌(“igzo”)。

6、在实施例中，第一氧化物半导体层的厚度可大于透明电极层的厚度。

7、在实施例中，显示装置还可包括设置在第一氧化物半导体层与第一发射层之间的金属氧化物层。

8、在实施例中，金属氧化物层可包括钨氧化物(wox)。

9、在实施例中，金属氧化物层的厚度可小于第一氧化物半导体层的厚度。

10、在实施例中，金属氧化物层可接触第一氧化物半导体层的顶表面。

11、在实施例中，透明电极层可包括设置在衬底上的第1-1透明电极层、设置在第1-1透明电极层上的第一反射层以及设置在第一反射层上并且包括与第1-1透明电极层的材料相同的材料的第2-1透明电极层。

12、在实施例中，显示装置还可包括第二像素电极和第二发射层，第二像素电极设置在衬底上，在平行于衬底的顶表面的方向上与第一像素电极间隔开并且设置在相对电极下面，第二发射层设置在第二像素电极与相对电极之间。

13、在实施例中，金属氧化物层可设置在第二像素电极与第二发射层之间。

14、在实施例中，第一发射层与衬底的顶表面之间的距离可大于第二发射层与衬底的顶表面之间的距离。

15、在实施例中，金属氧化物层可接触第二像素电极的顶表面。

16、在实施例中，显示装置还可包括覆盖第一像素电极和第二像素电极中的每个的边缘的像素限定膜。

17、在实施例中，金属氧化物层可覆盖像素限定膜的顶表面。

18、在本公开的实施例中，制造显示装置的方法包括：在衬底上形成包括至少一个薄膜晶体管的像素电路层；在像素电路层上形成包括在预定波长下具有第一消光系数的透明电极层的像素电极层；在像素电极层上形成在预定波长下具有小于第一消光系数的第二消光系数的氧化物半导体层；以及通过对像素电极层和氧化物半导体层执行蚀刻工艺，形成至少包括第一像素电极和第二像素电极的多个像素电极，并且形成覆盖第一像素电极的顶表面的第一氧化物半导体层。

19、在实施例中，该方法还可包括形成覆盖第二像素电极的边缘和第一氧化物半导体层的边缘并且暴露第一氧化物半导体层的至少中心部分和第二像素电极的至少中心部分的像素限定膜。

20、在实施例中，该方法还可包括形成覆盖第一氧化物半导体层的至少中心部分、第二像素电极的至少中心部分和像素限定膜的顶表面的金属氧化物层。

21、在实施例中，形成氧化物半导体层可包括将包括铟、镓和锌的靶材定位在腔室中以及使用包括惰性气体和氧气的溅射气体对靶材执行溅射工艺。

22、在实施例中，注入腔室中的氧气与惰性气体的体积比可在从约1∶9至约2∶8的范围内。

技术特征：

1.一种显示装置，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二消光系数在550纳米的波长下为0.0001或更小的正数。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述透明电极层包括氧化铟锡，并且所述第一氧化物半导体层包括氧化铟镓锌。

4.根据权利要求1至3中的任一项所述的显示装置，其中，所述第一氧化物半导体层的厚度大于所述透明电极层的厚度。

5.根据权利要求1至3中的任一项所述的显示装置，还包括金属氧化物层，所述金属氧化物层设置在所述第一氧化物半导体层与所述第一发射层之间。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层包括钨氧化物。

7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层的厚度小于所述第一氧化物半导体层的厚度。

8.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层与所述第一氧化物半导体层的顶表面接触。

9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明电极层包括：

10.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层设置在所述第二像素电极与所述第二发射层之间。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第一发射层与所述衬底的所述顶表面之间的距离大于所述第二发射层与所述衬底的所述顶表面之间的距离。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层与所述第二像素电极的顶表面接触。

14.根据权利要求10所述的显示装置，还包括像素限定膜，所述像素限定膜覆盖所述第一像素电极和所述第二像素电极中的每个的边缘。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，所述金属氧化物层覆盖所述像素限定膜的顶表面。

16.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

17.根据权利要求16所述的制造显示装置的方法，还包括：形成覆盖所述第二像素电极的边缘和所述第一氧化物半导体层的边缘并且暴露所述第一氧化物半导体层的至少中心部分和所述第二像素电极的至少中心部分的像素限定膜。

18.根据权利要求17所述的制造显示装置的方法，还包括：形成覆盖所述第一氧化物半导体层的至少所述中心部分、所述第二像素电极的至少所述中心部分以及所述像素限定膜的顶表面的金属氧化物层。

19.根据权利要求16至18中的任一项所述的制造显示装置的方法，其中，形成所述氧化物半导体层包括：将包括铟、镓和锌的靶材定位在腔室中并且使用包括惰性气体和氧气的溅射气体对所述靶材执行溅射工艺。

20.根据权利要求19所述的制造显示装置的方法，其中，注入所述腔室中的所述氧气与所述惰性气体的体积比在从1∶9至2∶8的范围内。

技术总结提供了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、设置在衬底上并且包括在预定波长下具有第一消光系数的透明电极层的第一像素电极、设置在第一像素电极上的相对电极、设置在第一像素电极与相对电极之间的第一发射层以及设置在第一像素电极与第一发射层之间并且在预定波长下具有小于第一消光系数的第二消光系数的第一氧化物半导体层。技术研发人员：申铉亿,李周炫,朴俊龙受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/15