电子装置及包括该电子装置的电子设备的制作方法

一个或更多个实施例涉及一种包括有机光电二极管和有机发光器件的电子装置。

背景技术：

1、有机光电二极管(opd)使用有机半导体来吸收入射光并将其转换成电流。由于有机材料的特性，opd在易于加工、成本降低、应用于柔性装置和大规模生产方面优于无机光电二极管(诸如硅光电探测器)。此外，通过具有高的消光系数并且能够根据分子结构选择性地吸收特定波长的光，有机材料在灵敏度提高、波长选择性和高集成方面是有利的。

2、opd的结构类似于有机发光器件(oled)的结构。在这两种器件中，光敏层或发射层可以包括在布置在电极之间的空穴传输层与电子传输层之间。使用这种结构的相似性，opd可以集成到oled中并用于指纹识别。

技术实现思路

1、一个或更多个实施例包括一种电子装置，电子装置包括具有提高的外部量子效率(eqe)的有机光电二极管和有机发光器件。

2、另外的方面将部分地在以下描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过实践公开的所呈现的实施例而获知。

3、在一个方面，公开涉及一种包括有机光电二极管和有机发光器件的电子装置，所述电子装置包括：

4、基底，

5、第一光电二极管电极，在基底上；

6、第一子像素电极，在基底上与第一光电二极管电极间隔开；

7、第二电极，覆盖第一光电二极管电极和第一子像素电极；

8、发射层，在第一子像素电极与第二电极之间并且在有机发光器件中；

9、光敏层，在第一光电二极管电极与第二电极之间并且在有机光电二极管中；

10、第一公共层，在第一子像素电极与发射层之间以及在第一光电二极管电极与光敏层之间；

11、第二公共层，布置在发射层与第二电极之间以及在光敏层与第二电极之间；以及

12、第一光学辅助电极，布置在第一光电二极管电极与第一公共层之间并且在有机光电二极管中，

13、其中，第一光学辅助电极可以包括透明导电金属氧化物。

14、根据一个或更多个实施例，有机发光器件的第一子像素还可以包括在第一公共层与发射层之间的第一光学辅助层。

15、有机光电二极管可以接收与由第一子像素发射的光的波长相同的波长的光。

16、第一子像素可以发射绿光、红光或近红外光。

17、有机发光器件还可以包括至少一个附加子像素，并且

18、附加子像素还可以包括布置在第一公共层与发射层之间的附加光学辅助层。

19、第一光学辅助层的厚度和附加光学辅助层的厚度可以分别与由包括第一光学辅助层的第一子像素和包括附加光学辅助层的附加子像素发射的光的波长成比例。

20、在实施例中，有机发光器件的第一子像素还可以包括布置在第一子像素电极与第一公共层之间的第二光学辅助电极。

21、有机发光器件还可以包括至少一个附加子像素，并且

22、附加子像素还可以包括布置在第一公共层与发射层之间的附加光学辅助层。

23、附加子像素可以包括第二子像素和第三子像素，并且

24、第二子像素和第三子像素可以均独立地发射绿光、红光或蓝光。

25、附加子像素可以包括第二子像素、第三子像素和第四子像素，并且

26、第二子像素、第三子像素和第四子像素可以均独立地发射绿光、红光或蓝光。

27、第一光学辅助电极可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铝锌(azo)、in2o3、氧化铟镓锌(igzo)、氧化铟锡锌(itzo)、氧化锌锡(zto)、掺杂氟的氧化锡(fto)、氧化镓锡(gto)、掺杂镓的氧化锌(gzo)、zno、tio、氧化钨、氧化钼或它们的组合。

28、第一光学辅助电极可以具有在约至约的范围内的厚度。

29、光敏层可以具有在约至约的范围内的厚度。

30、发射层可以具有在约至约的范围内的厚度。

31、有机光电二极管具有与第一子像素的谐振距离相同的谐振距离。

32、第一光学辅助电极具有与第二光学辅助电极的厚度相同的厚度。

33、第二光学辅助电极的厚度和附加光学辅助电极的厚度可以分别与由包括第二光学辅助电极的第一子像素和包括附加光学辅助电极的附加子像素发射的光的波长成比例。

34、第一光学辅助电极具有与第二光学辅助电极的厚度相同的厚度。

35、根据一个或更多个实施例，

36、电子设备包括电子装置。

技术特征：

1.一种电子装置，所述电子装置包括有机光电二极管和有机发光器件，所述有机发光器件包括第一子像素，所述电子装置包括：

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述有机发光器件的所述第一子像素还包括在所述第一公共层与所述发射层之间的第一光学辅助层。

3.根据权利要求2所述的电子装置，其中

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述有机发光器件的所述第一子像素还包括布置在所述第一子像素电极与所述第一公共层之间的第二光学辅助电极。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中

6.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述有机光电二极管接收与由所述第一子像素发射的光的波长相同的波长的光。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一子像素发射绿光、红光或近红外光。

8.根据权利要求3所述的电子装置，其中，所述第一光学辅助层的厚度和所述附加光学辅助层的厚度分别与由包括所述第一光学辅助层的所述第一子像素和包括所述附加光学辅助层的所述附加子像素发射的光的波长成比例。

9.根据权利要求5所述的电子装置，其中

10.根据权利要求8所述的电子装置，其中

11.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一光学辅助电极包括氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铝锌、in2o3、氧化铟镓锌、氧化铟锡锌、氧化锌锡、掺杂氟的氧化锡、氧化镓锡、掺杂镓的氧化锌、zno、tio、氧化钨、氧化钼或它们的组合。

12.根据权利要求2所述的电子装置，其中，所述第一光学辅助层包括空穴传输材料。

13.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述第一光学辅助电极具有在至的范围内的厚度。

14.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述光敏层具有在至的范围内的厚度。

15.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述发射层具有在至的范围内的厚度。

16.根据权利要求1所述的电子装置，其中，所述有机光电二极管具有与所述第一子像素的谐振距离相同的谐振距离。

17.根据权利要求4所述的电子装置，其中，所述第一光学辅助电极具有与所述第二光学辅助电极的厚度相同的厚度。

18.根据权利要求5所述的电子装置，其中

19.一种电子设备，所述电子设备包括电子装置，所述电子装置包括：

20.根据权利要求19所述的电子设备，所述电子设备还包括薄膜晶体管，其中

技术总结提供了一种电子装置和包括该电子装置的电子设备，所述电子装置包括有机光电二极管和有机发光器件，有机发光器件包括第一子像素。电子装置包括：基底；第一光电二极管电极和第一子像素电极，在基底上；第二电极，覆盖第一光电二极管电极和第一子像素电极；发射层，在第一子像素电极与第二电极之间；光敏层，在第一光电二极管电极与第二电极之间；第一公共层，在第一子像素电极与发射层之间以及在第一光电二极管电极与光敏层之间；第二公共层，在发射层与第二电极之间以及在光敏层与第二电极之间；以及第一光学辅助电极，在第一光电二极管电极与第一公共层之间并且在有机光电二极管中，其中，第一光学辅助电极可以包括透明导电金属氧化物。技术研发人员：金成昱,尹锡奎,郑进秀,曺尙焕受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18