一种放大器电路及多级高增益运放装置的制作方法

本申请涉及电子电路，具体而言，涉及一种放大器电路及多级高增益运放装置。

背景技术：

1、目前，对于高精度的电阻串数模转换器(r-string dac)，其输出缓冲器(buffer电路)通常需要高增益(>120db)且能驱动微法(μf)级的大电容的运放。一般地，在buffer电路的输入电压值发生较大的变化时，该运放由于压摆率(slew rate，sr)的限制，会导致结点上变化缓慢，从而导致整个buffer电路输出产生较大的过冲。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种放大器电路及多级高增益运放装置，可以实现压摆率增强，避免电路过冲的技术效果。

2、第一方面，本申请提供了一种放大器电路，包括输入模块、放大器模块、补偿模块和压摆率增强模块；

3、所述输入模块与所述放大器模块的输入端连接；

4、所述放大器模块包括多个放大器晶体管，所述多个放大器晶体管连接设置为折叠共源共栅结构，其中，所述放大器模块设置有第一检测结点和第二检测结点；

5、所述压摆率增强模块包括第一压摆率增强模块和第二压摆率增强模块，所述第一压摆率增强模块连接于所述第一检测结点、所述第二压摆率增强模块连接于所述第二检测结点；

6、所述补偿模块的一端接地，所述补偿模块的另一端连接所述放大器模块的输出端。

7、在上述实现过程中，该放大器电路通过设置压摆率增强模块，该压摆率增强模块中第一压摆率增强模块和第二压摆率增强模块分别连接于放大器模块的第一检测结点、第二检测结点，根据放大器模块的第一检测结点、第二检测结点处的电压状态实现第一压摆率增强模块或第二压摆率增强模块的工作激活，从而实现提高运放的压摆率；从而，该放大器电路可以实现压摆率增强，避免电路过冲的技术效果。

8、进一步地，所述输入模块包括第一输入晶体管和第二输入晶体管，所述第一输入晶体管和第二输入晶体管对称设置。

9、进一步地，所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管为pmos管。

10、在上述实现过程中，第一输入晶体管和第二输入晶体管组成为一个为pmos输入对管，用于接收输入信号。

11、进一步地，所述放大器模块包括第一折叠共源共栅单元和第二折叠共源共栅单元，所述第一折叠共源共栅单元包括多个第一共源共栅晶体管，所述第二折叠共源共栅单元包括多个第二共源共栅晶体管，所述第一共源共栅晶体管的数量与所述第二共源共栅晶体管的数量相同。

12、进一步地，所述第一共源共栅晶体管为pmos管，所述第二共源共栅晶体管为nmos管。

13、进一步地，所述第一检测结点设置于所述第一折叠共源共栅单元，所述第二检测结点设置于所述第二折叠共源共栅单元。

14、进一步地，所述第一压摆率增强模块包括多个第一增强晶体管，所述第一压摆率增强模块的输入端连接于所述第一检测结点，所述第一压摆率增强模块的输出端连接于放大器模块的输出端；

15、在所述输入模块输入向下的阶跃信号时，所述第一压摆率增强模块工作，所述第一压摆率增强模块向所述放大器模块的输出端注入电流。

16、进一步地，所述第二压摆率增强模块包括多个第二增强晶体管，所述第二压摆率增强模块的输入端连接于所述第二检测结点，所述第二压摆率增强模块的输出端连接于放大器模块的输出端；

17、在所述输入模块输入向上的阶跃信号时，所述第二压摆率增强模块工作，所述第二压摆率增强模块从所述放大器模块的输出端抽出电流。

18、进一步地，所述补偿模块包括补偿电阻和补偿电容，所述补偿电阻、所述补偿电容并联。

19、第二方面，本申请提供了一种多级高增益运放装置，包括第一方面任一项所述的放大器电路。

20、本申请公开的其他特征和优点将在随后的说明书中阐述，或者，部分特征和优点可以从说明书推知或毫无疑义地确定，或者通过实施本申请公开的上述技术即可得知。

21、为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。

技术特征：

1.一种放大器电路，其特征在于，包括输入模块、放大器模块、补偿模块和压摆率增强模块；

2.根据权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，所述输入模块包括第一输入晶体管和第二输入晶体管，所述第一输入晶体管和第二输入晶体管对称设置。

3.根据权利要求2所述的放大器电路，其特征在于，所述第一输入晶体管和所述第二输入晶体管为pmos管。

4.根据权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，所述放大器模块包括第一折叠共源共栅单元和第二折叠共源共栅单元，所述第一折叠共源共栅单元包括多个第一共源共栅晶体管，所述第二折叠共源共栅单元包括多个第二共源共栅晶体管，所述第一共源共栅晶体管的数量与所述第二共源共栅晶体管的数量相同。

5.根据权利要求4所述的放大器电路，其特征在于，所述第一共源共栅晶体管为pmos管，所述第二共源共栅晶体管为nmos管。

6.根据权利要求4所述的放大器电路，其特征在于，所述第一检测结点设置于所述第一折叠共源共栅单元，所述第二检测结点设置于所述第二折叠共源共栅单元。

7.根据权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，所述第一压摆率增强模块包括多个第一增强晶体管，所述第一压摆率增强模块的输入端连接于所述第一检测结点，所述第一压摆率增强模块的输出端连接于放大器模块的输出端；

8.根据权利要求1或7所述的放大器电路，其特征在于，所述第二压摆率增强模块包括多个第二增强晶体管，所述第二压摆率增强模块的输入端连接于所述第二检测结点，所述第二压摆率增强模块的输出端连接于放大器模块的输出端；

9.根据权利要求1所述的放大器电路，其特征在于，所述补偿模块包括补偿电阻和补偿电容，所述补偿电阻、所述补偿电容并联。

10.一种多级高增益运放装置，其特征在于，包括如权利要求1至权利要求9任一项所述的放大器电路。

技术总结本申请提供一种放大器电路及多级高增益运放装置，涉及电子电路技术领域。该放大器电路包括输入模块、放大器模块、补偿模块和压摆率增强模块；所述输入模块与所述放大器模块的输入端连接；所述放大器模块包括多个放大器晶体管，所述多个放大器晶体管连接设置为折叠共源共栅结构，其中，所述放大器模块设置有第一检测结点和第二检测结点；所述压摆率增强模块包括第一压摆率增强模块和第二压摆率增强模块，所述第一压摆率增强模块连接于所述第一检测结点、所述第二压摆率增强模块连接于所述第二检测结点；所述补偿模块的一端接地，所述补偿模块的另一端连接所述放大器模块的输出端。该放大器电路可以实现压摆率增强，避免电路过冲的技术效果。技术研发人员：朱凯,朱明瑞,揣东旭,张聪聪受保护的技术使用者：昆腾微电子股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/7/18