过压保护电路和包括过压保护电路的功率放大器的制作方法

本公开涉及一种过压保护电路和包括过压保护电路的功率放大器。

背景技术：

1、在无线通信系统中使用的发射器可包括放大射频(rf)信号以增加传输距离的功率放大器。

2、可预期功率放大器具有高可靠性。可能存在功率放大器在绝对最大速率(amr)条件下不应损坏的目标。

3、在最大功率的输入信号可被施加到功率放大器的条件下，超过功率放大器的极限的过电流可能流动，因此可能发生功率放大器的元件可能损坏的情况。因此，可能需要过压保护电路来保护功率放大器。

4、上述信息仅作为背景技术信息呈现，以帮助理解本公开。上述记载不应被解释为这些内容属于本公开的现有技术。

技术实现思路

1、提供本技术实现要素：以按照简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。

2、在一个总体方面，一种过压保护电路通过从偏置电路接收偏置电流来保护放大输入射频(rf)信号的功率放大器，所述过压保护电路包括：输入信号检测器，检测所述输入rf信号的幅度；以及第一晶体管，通过所述第一晶体管的控制端子接收基于所述输入rf信号的所述幅度的电压，并且基于所述输入rf信号的所述幅度而导通，以从所述偏置电路的第一节点吸收电流。

3、所述偏置电路可包括：第二晶体管和第三晶体管，堆叠在供应参考电流的电流源与地之间；以及第四晶体管，具有连接到所述电流源的控制端子并且供应所述偏置电流，并且所述第一节点可以是所述第二晶体管与所述第三晶体管之间的结。

4、所述偏置电路可包括供应所述偏置电流的第二晶体管，并且所述第一节点可以是所述第二晶体管的控制端子。

5、所述输入信号检测器可包括第一电阻器，所述第一电阻器基于所述输入rf信号的所述幅度来调节所述第一晶体管的导通电压电平。

6、所述输入信号检测器还可包括：电容器，所述输入rf信号被输入到所述电容器的一端；二极管，连接在所述电容器的另一端与所述第一电阻器的一端之间；以及第二电阻器，连接在所述第一电阻器的所述一端与地之间，并且所述第一电阻器的另一端可连接到所述第一晶体管的所述控制端子。

7、所述输入rf信号的所述幅度可与所述输入rf信号的包络相对应。

8、所述功率放大器可包括放大所述输入rf信号的功率并输出放大的功率的功率晶体管，并且所述偏置电路可向所述功率晶体管供应所述偏置电流。

9、所述功率放大器可包括：驱动器晶体管，接收第一偏置电流并放大所述输入rf信号的电压；以及功率晶体管，接收第二偏置电流并放大所述驱动器晶体管的输出rf信号，所述偏置电路可包括：第一偏置电路，供应所述第一偏置电流；以及第二偏置电路，供应所述第二偏置电流，并且所述第一晶体管可基于所述输入rf信号的所述幅度而导通，以从所述第一偏置电路的第一节点和所述第二偏置电路的第一节点中的至少一个吸收电流。

10、所述第一偏置电路可包括：第二晶体管和第三晶体管，堆叠在供应参考电流的电流源与地之间；以及第四晶体管，具有连接到所述电流源的控制端子并且供应所述第一偏置电流，所述第二偏置电路可包括：第五晶体管和第六晶体管，堆叠在供应所述参考电流的电流源与所述地之间；以及第七晶体管，具有连接到所述电流源的控制端子并且供应所述第二偏置电流。所述第一偏置电路的所述第一节点可以是所述第二晶体管与所述第三晶体管之间的结，所述第二偏置电路的所述第一节点可以是所述第五晶体管与所述第六晶体管之间的结，并且所述第一晶体管的第一端子可连接到所述第一偏置电路的所述第一节点和所述第二偏置电路的所述第一节点中的至少一个，并且所述第一晶体管的第二端子可连接到地。

11、所述第一偏置电路可包括供应所述第一偏置电流的第二晶体管，并且所述第二偏置电路可包括供应所述第二偏置电流的第三晶体管。所述第一偏置电路的所述第一节点可以是所述第二晶体管的控制端子，所述第二偏置电路的所述第一节点可以是所述第三晶体管的控制端子，并且所述第一晶体管的第一端子可连接到所述第一偏置电路的所述第一节点和所述第二偏置电路的所述第一节点中的至少一个，并且所述第一晶体管的第二端子可连接到地。

12、在另一总体方面，一种功率放大器包括：第一晶体管，放大输入射频(rf)信号；第一偏置电路，将第一偏置电流供应到所述第一晶体管；以及过压保护电路，检测所述输入rf信号的幅度，并且当所述输入rf信号的所述幅度是设定值或更大时，通过吸收来自所述第一偏置电路的电流来减小所述第一偏置电流。

13、所述过压保护电路可包括：输入信号检测器，检测所述输入rf信号的所述幅度；以及第二晶体管，通过所述第二晶体管的控制端子接收基于所述输入rf信号的所述幅度的电压，并且在导通时吸收来自所述第一偏置电路的电流。

14、所述第一偏置电路可包括：第三晶体管和第四晶体管，堆叠在供应参考电流的电流源与地之间；以及第五晶体管，具有连接到所述电流源的控制端子并且供应所述第一偏置电流，并且所述第二晶体管的第一端子可连接到所述第三晶体管与所述第四晶体管之间的结，并且所述第二晶体管的第二端子可连接到地。

15、所述第一偏置电路可包括供应所述第一偏置电流的第三晶体管，并且所述第二晶体管的第一端子可连接到所述第三晶体管的控制端子，并且所述第二晶体管的第二端子可连接到地。

16、所述功率放大器还可包括：第三晶体管，放大所述第一晶体管的输出rf信号；以及第二偏置电路，向所述第三晶体管供应第二偏置电流。

17、当所述输入rf信号的所述幅度是设定值或更大时，所述过压保护电路可吸收来自所述第二偏置电路的电流。

18、所述输入rf信号的所述幅度可与所述输入rf信号的包络相对应。

19、在另一总体方面，一种功率放大器包括：一个或更多个晶体管，被配置为放大输入射频(rf)信号并且各自接收一个或更多个偏置电流中的偏置电流；以及过压保护电路，被配置为检测所述输入rf信号的幅度，并且响应于检测到的所述输入rf信号的所述幅度是设定值或更大而减小所述一个或更多个偏置电流中的至少一个偏置电流。

20、所述功率放大器还可包括被配置为供应所述一个或更多个偏置电流的一个或更多个偏置电路，其中，所述过压保护电路还可被配置为从所述一个或更多个偏置电路吸收偏置电流，以减小所述一个或更多个偏置电流中的所述至少一个偏置电流。

21、所述过压保护电路可包括：吸收晶体管，被配置为导通以减小所述一个或更多个偏置电流中的所述至少一个偏置电流；以及电阻器，被配置为调节所述吸收晶体管的导通电压。

22、通过以下具体实施方式和附图，其他特征和方面将是易于理解的。

技术特征：

1.一种过压保护电路，所述过压保护电路通过从偏置电路接收偏置电流来保护放大输入射频信号的功率放大器，所述过压保护电路包括：

2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中，

3.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中，

4.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中，

5.根据权利要求4所述的过压保护电路，其中，

6.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中，

7.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中，

8.根据权利要求1所述的过压保护电路，其中，

9.根据权利要求8所述的过压保护电路，其中，

10.根据权利要求8所述的过压保护电路，其中，

11.一种功率放大器，包括：

12.根据权利要求11所述的功率放大器，其中，

13.根据权利要求12所述的功率放大器，其中，

14.根据权利要求12所述的功率放大器，其中，

15.根据权利要求12所述的功率放大器，所述功率放大器还包括：

16.根据权利要求15所述的功率放大器，其中，

17.根据权利要求11所述的功率放大器，其中，

18.一种功率放大器，包括：

19.根据权利要求18所述的功率放大器，所述功率放大器还包括被配置为供应所述一个或更多个偏置电流的一个或更多个偏置电路，

20.根据权利要求19所述的功率放大器，其中，所述过压保护电路包括：

技术总结本公开提供一种过压保护电路和包括过压保护电路的功率放大器。所述过压保护电路通过从偏置电路接收偏置电流来保护放大输入射频(RF)信号的功率放大器。所述过压保护电路包括：输入信号检测器，检测所述输入RF信号的幅度；以及第一晶体管，通过所述第一晶体管的控制端子接收基于所述输入RF信号的所述幅度的电压，并且基于所述输入RF信号的所述幅度而导通，以从所述偏置电路的第一节点吸收电流。技术研发人员：利波良幸,李建龙,崔圭珍,表昇彻,韩秀沇,洪敬憙受保护的技术使用者：三星电机株式会社技术研发日：技术公布日：2024/7/23