显示面板及显示装置的制作方法

本公开涉及显示，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术：

1、有机发光二极管(英文：organic light emitting diode，简称：oled)，因具有自发光、驱动电压低、发光效率高、响应速度快以及可柔性显示等优点，已在显示领域得到广泛应用。

技术实现思路

1、本公开的实施例的目的在于提供一种显示面板及显示装置，用于提高显示面板的亮度均一性。

2、为达到上述目的，本公开的实施例提供了如下技术方案：

3、一方面，提供一种显示面板。所述显示面板包括阵列基板和阴极层。所述显示面板具有显示区，所述显示面板包括阵列基板和阴极层。所述阴极层设于所述阵列基板上。所述阴极层包括第一子部以及围绕所述第一子部的第二子部，所述第一子部和所述第二子部均位于所述显示区；其中，所述第一子部的单位长度电阻小于所述第二子部的单位长度电阻。

4、第一子部的单位长度电阻小于第二子部的单位长度电阻，能够减小第一子部和第二子部的电压差，从而提高显示面板的亮度均一性。

5、在一些实施例中，所述第一子部的厚度大于所述第二子部的厚度。

6、在一些实施例中，所述阴极层包括第一导电层和第二导电层。所述第一导电层设于所述阵列基板上，所述第一导电层位于所述显示区；所述第一导电层包括所述第三子部和围绕所述第三子部的第二子部。所述第二导电层设于所述第一导电层远离所述阵列基板的一侧；所述第二导电层在所述阵列基板上的正投影，与所述第三子部在所述阵列基板上的正投影重合。其中，所述第二导电层和所述第三子部形成所述第一子部。

7、在一些实施例中，所述显示面板还包括多个发光器件。所述多个发光器件设于所述阵列基板上。沿垂直于所述阵列基板且远离所述阵列基板的方向，发光器件包括层叠设置的发光功能层和阴极，所述阴极位于所述阴极层，所述第二导电层在所述阵列基板上的正投影，与多个所述发光功能层在所述阵列基板上的正投影部分重合。

8、在一些实施例中，从所述显示区的中心到所述显示区的边界，所述阴极层的厚度逐渐降低。

9、在一些实施例中，所述第一子部的材料包括铝、铁、锡、镁、铜、银和金中的至少一者，和/或，所述第二子部的材料包括铝、铁、锡、镁、铜、银和金中的至少一者。

10、在一些实施例中，所述第一子部的电导率大于所述第二子部的电导率。

11、在一些实施例中，所述第一子部的材料包括铜、银和金中的至少一者，所述第二子部的材料包括铝、铁、锡和镁中的至少一者。

12、在一些实施例中，从所述显示区的中心到所述显示区的边界，所述阴极层的电导率逐渐降低。

13、在一些实施例中，所述阴极层的材料包括主体材料和掺杂材料。所述主体材料的电导率大于所述掺杂材料的电导率，从所述显示区的中心到所述显示区的边界，所述主体材料与所述掺杂材料的比值减小。或者，所述主体材料的电导率小于所述掺杂材料的电导率，从所述显示区的中心到所述显示区的边界，所述主体材料与所述掺杂材料的比值增大。

14、在一些实施例中，所述第一子部的厚度大于或者等于所述第二子部的厚度。

15、另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括：如上述任一实施例所述的显示面板。

16、上述显示装置具有与上述一些实施例中提供的显示面板相同的结构和有益技术效果，在此不再赘述。

17、又一方面，提供一种显示面板的制备方法。所述显示面板具有显示区。所述制备方法包括：提供一阵列基板；所述阵列基板包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域，所述第一区域和所述第二区域均位于所述显示区；在所述第一区域形成第一子部，并在所述第二区域形成第二子部；所述第二子部与所述第一子部连接，形成阴极层；其中，所述第一子部的单位长度电阻小于所述第二子部的单位长度电阻。

18、上述显示面板的制备方法具有与上述一些实施例中提供的显示面板相同的结构和有益技术效果，在此不再赘述。

19、在一些实施例中，所述在所述第一区域形成第一子部，并在所述第二区域形成第二子部包括：在所述阵列基板上形成第一导电层；所述第一导电层包括位于所述第一区域的所述第三子部，和位于所述第二区域的所述第二子部；在所述第一导电层远离所述阵列基板的一侧形成第二导电层；所述第二导电层在所述阵列基板上的正投影，与所述第三子部在所述阵列基板上的正投影重合，所述第二导电层和所述第三子部形成所述第一子部。

20、在一些实施例中，所述在所述阵列基板上形成第一导电层包括：将第一掩膜板放置在所述阵列基板的一侧；所述第一掩膜板的第一开口在所述阵列基板上的正投影，覆盖所述第一区域和所述第二区域；通过所述第一开口形成所述第一导电层。

21、在一些实施例中，所述在所述第一导电层远离所述阵列基板的一侧形成第二导电层包括：将第一掩膜板的第一开口的边缘区域遮挡；将遮挡所述边缘区域的所述第一掩膜板放置在所述第一导电层远离所述阵列基板的一侧；所述第一开口在所述阵列基板上的正投影，覆盖所述第一区域和所述第二区域，且所述边缘区域在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第二区域，且暴露所述第一区域；通过所述第一开口形成所述第二导电层。

22、在一些实施例中，所述在所述第一导电层远离所述阵列基板的一侧形成第二导电层包括：在所述第一导电层远离所述阵列基板一侧形成第一金属抑制层；所述第一金属抑制层在所述阵列基板上的正投影，覆盖所述第二区域，且暴露所述第一区域；将所述第一掩膜板放置在所述第一导电层远离所述阵列基板的一侧；所述第一开口在阵列基板上的正投影覆盖所述第一区域和所述第二区域；通过所述第一开口和所述第一金属抑制层形成第二导电层；去除所述第一金属抑制层。

23、在一些实施例中，所述在所述第一导电层远离所述阵列基板的一侧形成第二导电层包括：在所述第一导电层上形成金属促进层；所述金属促进层在阵列基板上的正投影，覆盖所述第一区域，且暴露所述第二区域；将所述第一掩膜板放置在所述第一导电层和所述金属促进层远离所述阵列基板的一侧；所述第一开口在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第一区域和所述第二区域；通过所述第一开口和所述金属促进层形成第二导电层；所述金属促进层被配置为使第二导电层在所述阵列基板上的正投影，位于所述第一区域，且暴露所述第二区域。

24、在一些实施例中，所述在所述第一导电层远离所述阵列基板的一侧形成第二导电层包括：将第二掩膜板放置在所述第一导电层远离所述阵列基板的一侧；所述第二掩膜板的第二开口在所述阵列基板上的正投影，覆盖所述第一区域，且暴露所述第二区域；通过所述第二开口形成所述第二导电层。

25、在一些实施例中，所述在所述第一区域形成第一子部包括：将第三掩膜板放置在所述阵列基板的一侧；所述第三掩膜板具有第三开口区，所述第三开口区在所述阵列基板上的正投影，覆盖所述第一区域，且暴露所述第二区域；通过所述第三开口区形成所述第一子部。

26、在一些实施例中，所述在所述第一区域形成第一子部包括：在所述阵列基板上形成第二金属抑制层；所述第二金属抑制层在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第二区域，且暴露所述第一区域；通过所述第二金属抑制层形成第一子部；去除所述第二金属抑制层。

27、在一些实施例中，所述在所述第二区域形成第二子部包括：将第四掩膜板放置在所述阵列基板的一侧；所述第四掩膜板具有第四开口区，所述第四开口区在所述阵列基板上的正投影，覆盖所述第二区域，且暴露所述第一区域；通过所述第四开口区形成所述第二子部；其中，所述第一子部的厚度大于所述第二子部的厚度，和/或，所述第一子部的电导率大于所述第一子部的电导率。

28、在一些实施例中，所述在所述第二区域形成第二子部包括：在所述阵列基板上形成第三金属抑制层；所述第三金属抑制层在所述阵列基板上的正投影覆盖所述第一区域，且暴露所述第二区域；通过所述第三金属抑制层形成第二子部；其中，所述第一子部的厚度大于所述第二子部的厚度，和/或，所述第一子部的电导率大于所述第一子部的电导率；去除所述第三金属抑制层。

29、在一些实施例中，所述在所述第一区域形成第一子部，并在所述第二区域形成第二子部包括：将第五掩膜板放置在所述阵列基板的一侧；所述第五掩膜板具有第五开口区，所述第五开口区位于所述显示区；逐渐增大所述第五开口区的面积，并通过所述第五开口区向所述阵列基板上蒸镀阴极材料，形成阴极层；其中，从所述显示区的中心到所述显示区的边界，所述阴极层的厚度逐渐降低。

30、在一些实施例中，在所述增大所述第五开口区的面积的同时，所述制备方法还包括：逐渐减小蒸镀阴极材料的电导率；其中，所述阴极材料包括主体材料和掺杂材料，在所述主体材料电导率大于所述掺杂材料的电导率情况下，逐渐减小所述主体材料与所述掺杂材料的比值；在所述主体材料的电导率小于所述掺杂材料的电导率的情况下，逐渐增大主体材料与所述掺杂材料的比值。