等离子体处理装置、电源系统、控制方法、程序和存储介质与流程

本发明的例示性的实施方式涉及等离子体处理装置、电源系统、控制方法、程序和存储介质。

背景技术：

1、在对基片的等离子体处理中使用等离子体处理装置。在等离子体处理装置中，为了从在腔室内生成的等离子体向基片引入离子，使用偏置高频电功率。下述的专利文献1公开了能够使偏置高频电功率的功率水平的脉冲调制与偏置高频电功率的频率的脉冲调制同步的等离子体处理装置。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2009-246091号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明提供一种能够与处理的进展相应地改变偏置频率、并且使源高频电功率的反射的程度降低的技术。

3、用于解决技术问题的手段

4、在一个例示性的实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、偏置电源和高频电源。基片支承部设置在腔室内。偏置电源与基片支承部电耦合，能够产生电偏置能量。高频电源与高频电极电连接，能够产生源高频电功率以在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源构成为能够在处理中至少改变一次电偏置能量的偏置频率。高频电源构成为能够在该处理中使源高频电功率的源频率变化，以使得在具有作为偏置频率的倒数的时间长度的电偏置能量的波形周期内，降低源高频电功率的反射的程度。

5、发明效果

6、根据一个例示性的实施方式，能够与处理的进展相应地改变偏置频率，并且使源高频电功率的反射的程度降低。

技术特征：

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

3.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

4.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

5.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

7.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于：

8.如权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

9.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

10.如权利要求8所述的等离子体处理装置，其特征在于：

11.一种电源系统，其特征在于，包括：

12.一种控制方法，其特征在于，包括：

13.一种程序，其特征在于：

14.一种存储介质，其特征在于：

技术总结本发明的等离子体处理装置包括腔室、基片支承部、偏置电源和高频电源。偏置电源与基片支承部电耦合，能够产生电偏置能量。高频电源与高频电极电连接，能够产生源高频电功率以在腔室内从气体生成等离子体。偏置电源能够在处理中至少改变一次电偏置能量的偏置频率。高频电源能够在该处理中改变源高频电功率的源频率，以使得在电偏置能量的波形周期内，降低源高频电功率的反射的程度。技术研发人员：舆水地盐受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社技术研发日：技术公布日：2024/8/1