阵列基板及其制备方法和显示装置与流程

本申请涉及，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。

背景技术：

1、薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display，tft-lcd)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

2、相关技术中，在薄膜晶体管液晶显示器进行制作时，各膜层需要参照对位标记。对位标记可以设置于显示区或者非显示区。而随着窄边框显示面板的发展，非显示区没有足够的空间容纳对位标记；将对位标记设置在显示区内，又会导致像素开口率下降以及显示器的显示画面不均匀的问题。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种阵列基板及其制备方法和显示装置，以解决或部分解决上述问题。

2、基于上述目的，本申请提供了一种阵列基板，包括显示区，所述阵列基板包括：

3、衬底基板；

4、多条栅线和多条数据线，多条栅线与多条数据线在所述衬底基板上绝缘交叠围设形成多个子像素单元，所述子像素单元包括开口区；

5、至少一对位标记，所述对位标记位在所述衬底基板上的正投影位于所述显示区在所述衬底基板上的正投影之中，以及所述对位标记在所述衬底基板的正投影与所述开口区在所述衬底基板上的正投影不重叠。

6、可选地，所述对位标记与有源层同层设置。

7、可选地，所述对位标记的数量小于所述子像素单元的数量。

8、可选地，所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影中。

9、可选地，所述子像素单元还包括栅极子单元，所述栅极子单元与所述栅线同层设置且与所述栅线连接，所述栅极子单元在所述衬底基板上的正投影轮廓与所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影轮廓之间的距离大于零。

10、可选地，所述衬底基板还包括漏极子单元，所述漏极子单元与所述数据线同层设置，所述漏极子单元在衬底基板上的正投影轮廓与所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影轮廓之间的距离大于零。

11、可选地，所述衬底基板还包括漏极子单元，所述漏极子单元包括连接部，所述连接部用于形成过孔与目标导电层连接，所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影位于所述过孔区在所述衬底基板上的正投影中。

12、可选地，与所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影重叠的所述连接部的形状不同于其他所述连接部的形状。

13、基于同一发明构思，本申请还提供了一种阵列基板制备方法，所述阵列基板包括显示区，所述方法，包括：

14、提供衬底基板；

15、在所述衬底基板上形成多条栅线和多条数据线，且多条栅线与多条数据线绝缘交叠围设形成多个子像素单元；

16、形成至少一个对位标记，所述对位标记位在所述衬底基板上的正投影位于所述显示区在所述衬底基板上的正投影之中，以及所述对位标记在所述衬底基板的正投影与所述开口区在所述衬底基板上的正投影不重叠；

17、基于所述对位标记，确定所述对位标记的偏移量；

18、利用所述偏移量进行对位。

19、可选地，所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影中，所述偏移量包括第一偏移量；所述方法，还包括：

20、在所述衬底基板上形成栅极子单元，所述栅极子单元与所述栅线同层设置且与所述栅线连接；

21、基于所述对位标记与所述栅极子单元之间的位置关系确定所述第一偏移量。

22、可选地，所述方法，还包括：

23、在所述衬底基板上形成漏极子单元，所述漏极子单元与所述数据线同层设置，所述漏极子单元包括连接部，所述连接部用于形成过孔与目标导电层连接；

24、其中，所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影位于所述过孔区在所述衬底基板上的正投影中。

25、可选地，所述偏移量包括第二偏移量，与所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影重叠的所述连接部的形状不同于其他所述连接部的形状；所述方法，还包括：

26、基于所述对位标标记，确定所述连接部的形状；

27、基于所述连接部的形状的轮廓，确定所述第二偏移量。

28、基于同一发明构思，本申请还提供了一种显示装置，包括如上述任一项所述的阵列基板。

29、从上面所述可以看出，本申请提供的一种阵列基板及其制备方法和显示装置，所述阵列基板包括显示区域，所述阵列基板包括衬底基板，多条栅线和多条数据线，多条栅线与多条数据线绝缘交叠围设形成多个子像素单元，子像素单元包括开口区；至少一对位标记，对位标记在衬底基板上的正投影位于所述显示区在衬底基板上的正投影之中，以及对位标记在衬底基板上的正投影与开口区在衬底基板上的正投影不重叠，也就可以理解为对位标记设置在开口区以外的区域，这样，对位标记不会导致像素开口率下降，从而避免了显示器显示不均匀的问题。

技术特征：

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区，所述阵列基板包括：

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述对位标记与有源层同层设置。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述对位标记的数量小于所述子像素单元的数量。

4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影中。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述子像素单元还包括栅极子单元，所述栅极子单元与所述栅线同层设置且与所述栅线连接，所述栅极子单元在所述衬底基板上的正投影轮廓与所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影轮廓之间的距离大于零。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板还包括漏极子单元，所述漏极子单元与所述数据线同层设置，所述漏极子单元在衬底基板上的正投影轮廓与所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影轮廓之间的距离大于零。

7.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板还包括漏极子单元，所述漏极子单元包括连接部，所述连接部用于形成过孔与目标导电层连接，所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影位于所述过孔区在所述衬底基板上的正投影中。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，与所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影重叠的所述连接部的形状不同于其他所述连接部的形状。

9.一种阵列基板制备方法，其特征在于，所述阵列基板包括显示区，所述方法，包括：

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影位于所述栅线在所述衬底基板上的正投影中，所述偏移量包括第一偏移量；所述方法，还包括：

11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法，还包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述偏移量包括第二偏移量，与所述至少一对位标记在所述衬底基板上的正投影重叠的所述连接部的形状不同于其他所述连接部的形状；所述方法，还包括：

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的阵列基板。

技术总结本申请提供本申请提供的一种阵列基板及其制备方法和显示装置，所述阵列基板包括显示区域，所述阵列基板包括衬底基板，多条栅线和多条数据线，多条栅线与多条数据线在衬底基板上绝缘交叠围设形成多个子像素单元，子像素单元包括开口区；至少一对位标记，对位标记在衬底基板上的正投影位于所述显示区在衬底基板上的正投影之中，以及对位标记在衬底基板上的正投影与开口区在衬底基板上的正投影不重叠，也就可以理解为对位标记设置在开口区以外的区域，这样，对位标记不会导致像素开口率下降，从而避免了显示器显示不均匀的问题。技术研发人员：叶纯,林子洋受保护的技术使用者：南京京东方显示技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1