太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制造方法与流程

本申请主要涉及光伏，尤其涉及一种太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制造方法。

背景技术：

1、ibc电池的正负极均位于电池的背面，在同等面积下可以达到更高的转换效率。在现有ibc电池的基础上引入topcon技术的tbc电池进一步提高了电池的效率。但tbc电池存在p区与n区之间存在短路、电极与掺杂多晶硅层之间接触电阻大的问题，如何解决上述问题是本领域内的重要研究方向之一。

技术实现思路

1、本申请要解决的技术问题是提供一种太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制造方法，该太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制造方法能够避免p区与n区之间的短路，降低电极与多晶硅层之间的接触电阻。

2、为解决上述技术问题，本申请提供了一种太阳能电池，包括：硅基底；第一钝化结构和第二钝化结构，相邻设置在所述硅基底的背面，所述第一钝化结构包括第一隧穿层和第一多晶硅层，所述第二钝化结构包括第二隧穿层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的掺杂类型与所述第二多晶硅层的掺杂类型相反；透明导电层，覆盖所述第一钝化结构的背面和侧面，部分所述透明导电层在第一方向上位于所述第一钝化结构与第二钝化结构之间；电介质层，在所述第一方向上位于所述透明导电层与所述第二多晶硅层之间，所述电介质层的第一侧面与所述透明导电层接触，所述电介质层的第二侧面与所述第二多晶硅层接触，所述第一侧面与所述第二侧面在所述第一方向上相对；以及第一电极和第二电极，所述第一电极与所述透明导电层接触，所述第二电极与所述第二多晶硅层接触。

3、在本申请的一实施中，部分所述透明导电层与所述硅基底的背面接触，且在所述第一方向上位于所述第一隧穿层与所述第二隧穿层之间。

4、在本申请的一实施中，所述电介质层为l型。

5、在本申请的一实施中，所述电介质层包括氧化硅，所述电介质层的厚度为10nm~15nm。

6、在本申请的一实施中，太阳能电池还包括氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述透明导电层的背面和所述第二多晶硅层的背面，其中，所述氮化硅层含有氢元素。

7、在本申请的一实施中，所述硅基底为p型掺杂，所述第一多晶硅层为n型掺杂，所述第二多晶硅层为p型掺杂。

8、在本申请的一实施中，位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层之间的透明导电层的厚度为10nm~30nm。

9、本申请另一方面还提出一种光伏组件，包括如前文所述的太阳能电池。

10、本申请另一方面还提出一种太阳能电池的制备方法，包括：提供硅基底；在所述硅基底的背面上形成第一钝化结构和第二钝化结构，所述第一钝化结构包括第一隧穿层和第一多晶硅层，所述第二钝化结构包括第二隧穿层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层的掺杂类型与所述第二多晶硅层的掺杂类型相反；形成覆盖所述第一钝化结构背面和侧面的透明导电层，部分的透明导电层在第一方向上位于所述第一钝化结构与第二钝化结构之间；形成在所述第一方向上位于所述透明导电层与所述第二多晶硅层之间的电介质层，所述电介质层的第一侧面与所述透明导电层接触，所述电介质层的第二侧面与所述第二多晶硅层接触，所述第一侧面与所述第二侧面在所述第一方向上相对；以及形成第一电极和第二电极，所述第一电极与所述透明导电层接触，所述第二电极与所述第二多晶硅层接触。

11、在本申请的一实施中，形成所述透明导电层的步骤包括：形成初始透明导电层，所述初始透明导电层覆盖暴露出的硅基底的背面、所述第一钝化结构背面和侧面；去除部分所述初始透明导电层，以形成所述透明导电层。

12、在本申请的一实施中，形成所述电介质层的步骤包括：形成初始电介质层，所述初始电介质层覆盖所述初始透明导电层；去除部分所述初始电介质层，以形成所述电介质层。

13、在本申请的一实施中，形成所述第二钝化结构的步骤包括：在暴露出的硅基底的背面上依次形成所述第二隧穿层和所述第二多晶硅层。

14、与现有技术相比，本申请具有以下优点：

15、（1）电介质层位于透明导电层与第二多晶硅层之间，电介质层可以防止p区与n区之间出现短路。

16、（2）在制备第一电极的过程中，透明导电层易与用于制备第一电极的浆料形成良好的基础，进而可以提高太阳能电池的填充因子，降低接触电阻。

17、（3）与现有技术中n区与p区直接接触的太阳能电池相比，本申请通过电介质层实现对n区和p区的电隔离，太阳能电池的背面无扩散区，这增加了太阳能电池用于产生载流子的面积，进而提升了电池的效率。

技术特征：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，部分所述透明导电层与所述硅基底的背面接触，且在所述第一方向上位于所述第一隧穿层与所述第二隧穿层之间。

3.如权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述电介质层为l型。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述电介质层包括氧化硅，所述电介质层的厚度为10nm~15nm。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，还包括氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述透明导电层的背面和所述第二多晶硅层的背面，其中，所述氮化硅层含有氢元素。

6.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硅基底为p型掺杂，所述第一多晶硅层为n型掺杂，所述第二多晶硅层为p型掺杂。

7.如权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，位于所述第一多晶硅层与所述第二多晶硅层之间的透明导电层的厚度为10nm~30nm。

8.一种光伏组件，其特征在于，包括：如权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池。

9.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

10.如权利要求9所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述透明导电层的步骤包括：

11.如权利要求10所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述电介质层的步骤包括：

12.如权利要求10所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，形成所述第二钝化结构的步骤包括：在暴露出的硅基底的背面上依次形成所述第二隧穿层和所述第二多晶硅层。

技术总结本申请提供了一种太阳能电池、光伏组件和太阳能电池的制造方法，该太阳能电池包括：硅基底；第一钝化结构和第二钝化结构，相邻设置在硅基底的背面，第一钝化结构包括第一隧穿层和第一多晶硅层，第二钝化结构包括第二隧穿层和第二多晶硅层，第一多晶硅层的掺杂类型与第二多晶硅层的掺杂类型相反；透明导电层，覆盖第一钝化结构的背面和侧面，部分的透明导电层在第一方向上位于第一钝化结构与第二钝化结构之间；电介质层，在第一方向上位于透明导电层与第二多晶硅层之间；与透明导电层接触的第一电极，与第二多晶硅层接触的第二电极。本申请的太阳能电池和光伏组件能够避免P区与N区之间的短路，降低电极与掺杂多晶硅层之间接触电阻。技术研发人员：韩秉伦,王昭,胡匀匀,柳伟,陈达明受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1