一种太阳能电池片、电池串、电池组件和光伏系统的制作方法

本申请属于太阳能电池，尤其涉及一种太阳能电池片、电池串、电池组件和光伏系统。

背景技术：

1、太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。目前，多个太阳能电池板组合安装形成电池组件，电池组件封装为光伏组件。然而，现有topcon太阳电池正面发射极（p+）与背面场(n-topcon)通过中间的硅片隔离，两者电学连接的唯一介质是硅片。该结构的topcon太阳电池几乎不存在漏电，做成组件后如果组件出现局部遮挡，容易产生热斑，影响组件发电性能，严重甚至可能会引发安全事故。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种太阳能电池，旨在解决电池片组成组件时出现局部遮挡，容易产生热斑，进而影响电池组件发电性能，严重甚至可能会引发安全事故的问题。

2、本申请实施例是这样实现的，本申请提供一种太阳能电池片，所述太阳能电池片包括硅片、第一掺杂层和第二掺杂层，所述硅片包括向光的第一侧和背光的第二侧以及连通所述第一侧和所述第二侧的多个侧面，所述硅片还包括形成在所述侧面上的若干导电通道，所述第一掺杂层设置在所述第一侧，所述第二掺杂层设置在所述第二侧，所述第一掺层与所述第二掺杂层的极性相反，所述第一掺杂层与所述第二掺杂层通过所述导电通道释放电流，其中，在-12 v或小于-12 v反向偏压下，所述太阳能电池片的电流密度小于或等于1.5 ma/cm2。

3、更进一步地，所述导电通道通过在所述硅片的所述侧面上保留少量的n型多晶硅或p型多晶硅形成。

4、更进一步地，所述导电通道的面积与所述导电通道所在的侧面的面积之比小于0.5%。

5、更进一步地，所述导电通道的数量小于3个。

6、更进一步地，所述导电通道的面积与所述导电通道所在的侧面的面积之比小于1%。

7、更进一步地，所述导电通道的数量小于5个。

8、更进一步地，通过控制刻蚀的速率和/或控制刻蚀的时间和/或控制添加剂类型实现所述硅片侧面的多晶硅的部分去除，以保留少量n型多晶硅或p型多晶硅形成所述导电通道。

9、更进一步地，每个所述导电通道的面积小于1cm2或全部所述导电通道的总面积小于5cm2。

10、本申请实施方式还提供电池串包括上述任一项实施方式所述的太阳能电池片。

11、本申请实施方式还提供一种电池组件包括上述实施方式所述的电池串。

12、本申请实施方式还提供一种光伏系统，所述光伏系统包括上述实施方式所述的电池组件。

13、在本申请实施方式的太阳能电池片、电池串、电池组件和光伏系统中，太阳能电池片包括硅片、第一掺杂层和第二掺杂层，硅片包括向光的第一侧和背光的第二侧以及连通第一侧和第二侧的多个侧面，硅片还包括形成在侧面上的若干导电通道，第一掺杂层设置在第一侧，第二掺杂层设置在第二侧，第一掺层与第二掺杂层的极性相反，第一掺杂层与第二掺杂层通过导电通道释放电流，其中，在-12 v或小于-12 v反向偏压下，太阳能电池片的电流密度小于或等于1.5 ma/cm2。如此，第一掺杂层和第二掺杂层之间可以通过导电通道释放电能量，不会对太阳能电池片性能产生影响。在太阳能电池片被阴影遮挡产生局部热斑时，导电通道可以作为散热点，减少甚至消除热斑的影响，提高太阳能电池片的发电效率和安全性。

技术特征：

1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，所述导电通道通过在所述硅片的所述侧面上保留少量的n型多晶硅或p型多晶硅形成。

3.如权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述导电通道的面积与所述导电通道所在的侧面的面积之比小于0.5%。

4.如权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述导电通道的数量小于3个。

5.如权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述导电通道的面积与所述导电通道所在的侧面的面积之比小于1%。

6.如权利要求2所述的太阳能电池片，其特征在于，所述导电通道的数量小于5个。

7.如权利要求2-6任一项所述的太阳能电池片，其特征在于，通过控制刻蚀的速率和/或控制刻蚀的时间和/或控制添加剂类型实现所述硅片侧面的多晶硅的部分去除，以保留少量n型多晶硅或p型多晶硅形成所述导电通道。

8.如权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，每个所述导电通道的面积小于1cm2或全部所述导电通道的总面积小于5cm2。

9.一种电池串，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的太阳能电池片。

10.一种电池组件，其特征在于，包括如权利要求9所述的电池串。

11.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求10所述的电池组件。

技术总结本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池片、电池串、电池组件和光伏系统。太阳能电池片包括硅片、第一掺杂层和第二掺杂层，硅片包括向光的第一侧和背光的第二侧以及连通第一侧和第二侧的多个侧面，硅片还包括形成在侧面上的若干导电通道，第一掺杂层设置在第一侧，第二掺杂设置在第二侧，第一掺层与第二掺杂层的极性相反，第一掺杂层与第二掺杂层通过导电通道释放电流，其中，在‑12 V或小于‑12 V反向偏压下，太阳能电池片的电流密度小于或等于1.5 mA/cm<supgt;2</supgt;。如此，在太阳能电池片被阴影遮挡产生局部热斑时，导电通道可以作为散热点，减少甚至消除热斑的影响，提高太阳能电池片的发电效率和安全性。技术研发人员：邱开富,楼俊杰,陈刚受保护的技术使用者：浙江爱旭太阳能科技有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1