发光元件和制造该发光元件的方法与流程

各种实施例涉及发光元件和制造发光元件的方法。

背景技术：

1、近来，随着对信息显示的兴趣的增加，对显示装置的研究和开发已经不断进行。

技术实现思路

1、技术问题

2、各种实施例涉及具有改善的效率和可靠性的发光元件以及制造该发光元件的方法。

3、公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员将根据说明书和所附权利要求清楚地理解其他目的。

4、技术方案

5、根据实施例的发光元件可以包括：第一半导体层；第一绝缘膜，设置在第一半导体层上，第一绝缘膜包括纳米图案；活性层，设置在第一绝缘膜的纳米图案中；以及第二半导体层，在第一绝缘膜的纳米图案中设置在活性层上。

6、第一绝缘膜的纳米图案的直径可以小于第一半导体层的直径。

7、第一绝缘膜的纳米图案可以暴露第一半导体层。

8、第一绝缘膜也可以覆盖活性层和第二半导体层。

9、活性层可以设置在第一半导体层与第二半导体层之间。

10、发光元件还可以包括设置在第一绝缘膜上的第二绝缘膜。

11、第二绝缘膜可以覆盖由第一绝缘膜暴露的第一半导体层。

12、活性层可以发射红光。

13、发光元件还可以包括：电极层，设置在第二半导体层上。

14、发光元件还可以包括：超晶格层，设置在第一绝缘膜的纳米图案中。

15、根据实施例的制造发光元件的方法可以包括：在堆叠基底上形成第一半导体层；在第一半导体层上形成第一绝缘膜；通过对第一绝缘膜进行蚀刻来形成纳米图案；在第一绝缘膜的纳米图案中形成活性层和第二半导体层；以及对第一绝缘膜和第一半导体层进行部分蚀刻，并且形成发光图案。

16、在对第一绝缘膜和第一半导体层进行部分蚀刻的步骤中，可以通过第一绝缘膜保护活性层和第二半导体层。

17、第一绝缘膜的纳米图案可以穿过第一绝缘膜并且暴露第一半导体层的顶表面。

18、该方法还可以包括：在第二半导体层上形成电极层。

19、该方法还可以包括：在电极层上形成掩模。

20、在平面图中，掩模可以与第一绝缘膜的纳米图案叠置。

21、形成发光图案的步骤可以包括：对于由掩模暴露的电极层、第一绝缘膜和第一半导体层进行蚀刻。

22、该方法还可以包括：在发光图案上形成第二绝缘膜。

23、第二绝缘膜可以覆盖第一绝缘膜和第一半导体层。

24、该方法还可以包括：将发光图案与堆叠基底分离。

25、各种实施例的细节包括在详细描述和附图中。

26、有益效果

27、在公开的实施例中，活性层和/或第二半导体层可以形成在绝缘膜的纳米图案中，使得可以减轻由于铟(in)与镓(ga)之间的晶格常数的差异引起的应变。因此，可以制造高效率的发光元件。

28、此外，在制造发光元件的工艺期间，可以在活性层被绝缘膜保护的同时执行蚀刻操作，使得可以防止活性层的侧壁被损坏，由此可以提高发光元件的效率和可靠性。

29、公开的效果不受前述内容的限制，并且在这里预期其他各种效果。

技术特征：

1.一种发光元件，所述发光元件包括：

2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一绝缘膜的所述纳米图案的直径小于所述第一半导体层的直径。

3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一绝缘膜的所述纳米图案暴露所述第一半导体层。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一绝缘膜覆盖所述活性层和所述第二半导体层。

5.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述活性层设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间。

6.根据权利要求1所述的发光元件，所述发光元件还包括：

7.根据权利要求6所述的发光元件，其中，所述第二绝缘膜覆盖由所述第一绝缘膜暴露的所述第一半导体层。

8.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述活性层发射红光。

9.根据权利要求1所述的发光元件，所述发光元件还包括：

10.根据权利要求1所述的发光元件，所述发光元件还包括：

11.一种制造发光元件的方法，所述方法包括：

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在对所述第一绝缘膜和所述第一半导体层进行部分蚀刻的步骤中，通过所述第一绝缘膜保护所述活性层和所述第二半导体层。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一绝缘膜的所述纳米图案穿过所述第一绝缘膜并且暴露所述第一半导体层的顶表面。

14.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：

15.根据权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在平面图中，所述掩模与所述第一绝缘膜的所述纳米图案叠置。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成所述发光图案的步骤包括：对由所述掩模暴露的所述电极层、所述第一绝缘膜和所述第一半导体层进行蚀刻。

18.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：

19.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第二绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜和所述第一半导体层。

20.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括：

技术总结提供了一种发光元件和制造该发光元件的方法。所述发光元件包括：第一半导体层；第一绝缘膜，设置在第一半导体层上并且包括纳米图案；活性层，设置在第一绝缘膜的纳米图案内；以及第二半导体层，在第一绝缘膜的纳米图案内设置在活性层上。技术研发人员：朴后根,金鎭完,李承根受保护的技术使用者：三星显示有限公司技术研发日：技术公布日：2024/8/1