传感器芯片和电子设备的制作方法

本公开涉及传感器芯片和电子设备，且更具体地涉及能够以更高的速度进行控制的传感器芯片和电子设备。

背景技术：

1、近年来，要求互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器、飞行时间(tof)传感器、荧光发射检测传感器等的传感器芯片高速地执行控制。例如，在被要求执行超过1mfps的帧速率的高速驱动的传感器芯片中，需要以亚微秒或10纳秒的级别对控制信号的脉冲进行控制。

2、例如，在专利文献1中公开了一种tof传感器，该tof传感器能够通过随机地输出测量信息来立即执行用于跟踪三维图像等中的测量物体的信号处理。

3、引用列表

4、专利文献

5、专利文献1：jp 2012-049547 a

技术实现思路

1、技术问题

2、然而，在如上所述的用于驱动传感器芯片中包括的传感器元件的驱动元件布置成远离传感器元件的情况下，由于用于驱动传感器元件的控制信号的延迟、压摆率(slewrate)等的影响，难以执行高速控制。

3、本公开是在考虑到这种状态的情况下作出的，并能高速地进行控制。

4、解决问题的方案

5、本公开的一个方面的传感器芯片包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元具有矩形区域，在所述矩形区域中，多个传感器元件以阵列模式布置；和全局控制电路，在所述全局控制电路中，用于同时驱动所述传感器元件的驱动元件布置在一个方向上，并且所述驱动元件分别连接到针对每一列所述传感器元件设置的控制线，所述全局控制电路的纵向方向沿着所述像素阵列单元的长边布置。

6、本公开的一个方面的电子设备包括传感器芯片，所述传感器芯片包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元具有矩形区域，在所述矩形区域中，多个传感器元件以阵列模式布置；和全局控制电路，在所述全局控制电路中，用于同时驱动所述传感器元件的驱动元件布置在一个方向上，并且所述驱动元件分别连接到针对每一列所述传感器元件设置的控制线，所述全局控制电路的纵向方向沿着所述像素阵列单元的长边布置。

7、根据本公开的一个方面，像素阵列单元具有矩形区域，在该矩形区域中，多个传感器元件以阵列模式布置，并且在全局控制电路中，用于同时驱动传感器元件的驱动元件布置在一个方向上，驱动元件的纵向方向沿着像素阵列单元的长边布置，并且驱动元件分别连接到针对每一列传感器元件设置的控制线。

8、发明的有益效果

9、根据本公开的一个方面，可以执行高速控制。

10、注意，这里说明的效果不必是限制性的，且可以获得本公开说明的任何一个效果中。

技术特征：

1.一种传感器芯片，所述传感器芯片包括：

2.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中，

3.根据权利要求2所述的传感器芯片，其中，

4.根据权利要求1所述的传感器芯片，其中，所述传感器芯片具有堆叠结构，布置有所述像素阵列单元的传感器基板和布置有所述全局控制电路的逻辑基板堆叠在所述堆叠结构中。

5.根据权利要求4所述的传感器芯片，其中，

6.根据权利要求4所述的传感器芯片，其中，

7.根据权利要求4所述的传感器芯片，其中，

8.根据权利要求4所述的传感器芯片，其中，

9.根据权利要求4至8中任一项所述的传感器芯片，其中，

10.一种包括根据权利要求1至9中任一项所述的传感器芯片的电子设备。

技术总结本发明涉及允许更快速地执行控制的传感器芯片和电子设备。本发明包括：像素阵列单元，像素阵列单元具有矩形区域，在矩形区域中多，个传感器元件以阵列模式布置；和全局控制电路，在全局控制电路中，用于同时驱动传感器元件的驱动元件布置在一个方向上，并且每个驱动元件连接到针对每一列传感器元件设置的控制线，全局控制电路的纵向方向沿着像素阵列单元的长边布置。例如，本技术可以应用于ToF传感器。技术研发人员：安阳太郎,半泽克彦受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司技术研发日：技术公布日：2024/9/2