筛选栅介质层可靠性的良率测试方法与流程

本发明涉及半导体，特别是涉及一种筛选栅介质层可靠性的良率测试方法。

背景技术：

1、对于双栅工艺的制造，先要完成高压氧化膜的生长，然后利用光刻胶对高压区进行保护，用湿法刻蚀完成低压区氧化膜的去除，此时由于光刻胶收缩或者劣化，极易发生翘曲，导致高压器件栅氧的侧边被酸液侧掏，栅氧变薄，影响到器件性能或者可靠性；

2、高压电容为pump电路中的核心器件之一，当其栅介质层例如栅氧被侧掏变薄后，其tddb(经时绝缘击穿，time dependent dielectric breakdown)性能及能承受的最大电压下降，栅氧厚度变薄到一定程度后在高压下极易发生击穿。

3、但栅介质层侧掏变薄的风险die经正常良率测试无法完全筛除。

4、为解决上述问题，需要提出一种新型的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，用于解决现有技术中但栅介质层侧掏变薄的风险die经正常良率测试无法完全筛除的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，包括：

3、步骤一、提供晶圆，在所述晶圆上形成有多个die，每个die具有对应的芯片分组编号，每个所述die上至少形成有一个pump电路，每个所述pump电路中具有至少一个电容结构，所述电容结构包括依次形成于所述衬底上的所述栅介质层和栅极层；

4、步骤二、选择待测试的所述pump电路，设置其高压模拟量和测试模式；

5、步骤三、对各待测试的所述pump电路施加电压值至对应所述高压模拟量的最大值，并持续预设时间；

6、步骤四、获取待测试所述pump电路的测试结果，判断所述测试结果是否超过卡控规格；若是，则标记其具有可靠性风险并输出对应的所述芯片分组编号。

7、优选地，步骤一中的所述die的制造工艺包括双栅工艺。

8、优选地，步骤一中的所述栅介质层的形成方法包括：在所述晶圆上形成目标器件区的栅介质层；在所述栅介质层上形成光刻胶层；光刻打开所述光刻胶层以定义出所述栅介质层的去除区域；刻蚀去除裸露的所述栅介质层。

9、优选地，步骤一中的所述晶圆上包括高压器件区和低压器件区，所述目标器件区为高压器件区。

10、优选地，步骤一中的所述刻蚀的方法为湿法刻蚀。

11、优选地，步骤一中的所述栅介质层的材料为二氧化硅。

12、优选地，步骤一中的所述栅极层的材料多晶硅。

13、优选地，步骤二中的所述高压模拟量包括字线电压和位线电压。

14、优选地，步骤二中的所述高压模拟量为5.5～8v。

15、优选地，步骤三中的所述预设时间为5至10s。

16、优选地，步骤四中根据所述高压模拟量是否发生漂移或所述die功能是否异常来判断所述测试结果是否超过卡控规格。

17、优选地，所述方法还包括步骤五、对所有的所述die进行功能测试，判断其功能是否异常，若是，则标记功能异常的所述die具有可靠性风险并输出对应的所述芯片分组编号。

18、如上所述，本发明的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，具有以下有益效果：

19、本发明能够筛选出栅介质层侧掏变薄导致的风险die，解决了经正常cp测试无法完全筛除风险die的问题。

技术特征：

1.一种筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于，至少包括：

2.根据权利要求1所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：步骤一中的所述die的制造工艺包括双栅工艺。

3.根据权利要求1或2所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：步骤一中的所述栅介质层的形成方法包括：在所述晶圆上形成目标器件区的栅介质层；在所述栅介质层上形成光刻胶层；光刻打开所述光刻胶层以定义出所述栅介质层的去除区域；刻蚀去除裸露的所述栅介质层。

4.根据权利要求3所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：步骤一中的所述晶圆上包括高压器件区和低压器件区，所述目标器件区为高压器件区。

5.根据权利要求3所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：步骤一中的所述刻蚀的方法为湿法刻蚀。

6.根据权利要求1所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：步骤一中的所述栅介质层的材料为二氧化硅。

7.根据权利要求1所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：步骤一中的所述栅极层的材料多晶硅。

8.根据权利要求1所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：步骤二中的所述高压模拟量包括字线电压和位线电压。

9.根据权利要求1所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：步骤二中的所述高压模拟量为5.5～8v。

10.根据权利要求1所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：步骤三中的所述预设时间为5至10s。

11.根据权利要求1所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：步骤四中根据所述高压模拟量是否发生漂移或所述die功能是否异常来判断所述测试结果是否超过卡控规格。

12.根据权利要求1所述的筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，其特征在于：所述方法还包括步骤五、对所有的所述die进行功能测试，判断其功能是否异常，若是，则标记功能异常的所述die具有可靠性风险并输出对应的所述芯片分组编号。

技术总结本发明提供一种筛选栅介质层可靠性的良率测试方法，提供晶圆，在晶圆上形成有多个die，每个die具有对应的芯片分组编号，每个die上至少形成有一个PUMP电路，每个PUMP电路中具有至少一个电容结构，电容结构包括依次形成于衬底上的栅介质层和栅极层；选择待测试的PUMP电路，设置其高压模拟量和测试模式；对各待测试的PUMP电路施加电压值至对应高压模拟量的最大值，并持续预设时间；获取待测试PUMP电路的测试结果，判断测试结果是否超过卡控规格；若是，则标记其具有可靠性风险并输出对应的芯片分组编号。本发明能够筛选出栅介质层侧掏变薄导致的风险die，解决了经正常CP测试无法完全筛除风险die的问题。技术研发人员：陈灿,周桂喜,吴苑,冯叶受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/2