一种存储器及其数据处理方法与流程

本发明涉及静态存储，特别是涉及一种存储器及其数据处理方法。

背景技术：

1、nand闪存是一种电可擦除可编程的只读存储器，具有非易失、读写速度快、体积小等优点，目前被广泛应用于存储领域。nand闪存内部用存储电荷的方式来表征数据，在其使用过程中会受到如擦除次数、环境温度等其他因素的影响，使得内部存储的电荷数量发生变化，继而导致使用默认的读取电压无法正确读出nand闪存中的数据。此时就需要改变读取电压对nand闪存进行重新读取，从而将nand闪存中存储的数据正确读出来，通常这一过程称之为重读（read retry）。

2、现有技术中，nand生产厂商会给定一些重读电压（read retry vt），然而在实际的使用过程中，会出现使用nand闪存厂商提供的重读电压对其重读也无法成功读取的现象，导致无法正确的获取存储在nand闪存中的数据的问题。因此，存在待改进之处。

技术实现思路

1、本发明提供一种存储器及其数据处理方法，以解决现有技术中使用闪存厂商提供的重读电压无法正确获取存储数据的技术问题。

2、本发明提供的一种存储器，包括：

3、多个闪存芯片，所述闪存芯片的存储单元具有多个逻辑页，每个所述逻辑页预设有重读电压可行域；以及

4、主控芯片，与所述闪存芯片电性连接，用于响应于主机的读取指令，以识别目标逻辑页的类型；

5、所述主控芯片还用于遍历所述目标逻辑页的重读电压可行域，以对所述目标逻辑页进行读取操作，并对每次读取操作成功所生成的错误比特数量进行记录与排序；

6、所述主控芯片还用于将值最小的错误比特数量对应的电压档位保存为所述目标逻辑页的最佳重读电压。

7、在本发明的一个实施例中，所述存储单元包括低电平页、中电平页以及高电平页中的至少一种逻辑页，其中，所述低电平页设有1个读取电压，所述中电平页设有3个读取电压，所述高电平页设有3个读取电压。

8、在本发明的一个实施例中，所述中电平页或高电平页的读取电压被区分为第一电压、第二电压和第三电压，所述主控芯片用于将第二电压和第三电压固定为初始电压，遍历所述目标逻辑页的第一电压的可行域，以生成所述第一电压的最优值p；

9、所述主控芯片还用于将所述第一电压固定为p，将所述第三电压固定为初始电压，并遍历所述第二电压的可行域，以生成所述第二电压的最优值q；

10、所述主控芯片还用于将所述第一电压固定为p，将所述第二电压固定为q，并遍历所述第三电压的可行域，以生成所述第三电压的最优值m；

11、所述主控芯片还用于将电压{p、q、m}保存为所述目标逻辑页的最佳重读电压。

12、在本发明的一个实施例中，当所述目标逻辑页为低电平页时，所述主控芯片用于遍历低电平页的重读电压可行域，并记录每个电压档位对应生成的错误比特数量。

13、在本发明的一个实施例中，所述主控芯片用于根据所述读取指令，设定所述目标逻辑页的读取参数，所述读取参数包括访问模式、所述目标逻辑页所在的块索引、页索引以及平面号的信息。

14、在本发明的一个实施例中，所述主控芯片还用于根据所述页索引信息，识别所述目标逻辑页的类型。

15、本发明还提供一种存储器的数据处理方法，包括：

16、获取闪存芯片不同逻辑页的重读电压可行域；

17、响应于主机的读取指令，以识别目标逻辑页的类型；

18、遍历所述目标逻辑页的重读电压可行域，以对所述目标逻辑页进行读取操作，并对每次读取操作成功所生成的错误比特数量进行记录与排序；

19、将值最小的错误比特数量对应的电压档位保存为所述目标逻辑页的最佳重读电压。

20、在本发明的一个实施例中，所述遍历所述目标逻辑页的重读电压可行域，以对所述目标逻辑页进行读取操作，并对每次读取操作成功所生成的错误比特数量进行记录与排序的步骤包括：

21、当所述目标逻辑页为中电平页或高电平页时，将中电平页或高电平页的读取电压区分为第一电压、第二电压和第三电压，并将第二电压和第三电压固定为初始电压，遍历所述目标逻辑页的第一电压的可行域，以生成所述第一电压的最优值p；

22、将所述第一电压固定为p，将所述第三电压固定为初始电压，并遍历所述第二电压的可行域，以生成所述第二电压的最优值q；

23、将所述第一电压固定为p，将所述第二电压固定为q，并遍历所述第三电压的可行域，以生成所述第三电压的最优值m。

24、在本发明的一个实施例中，所述响应于主机的读取指令，以识别目标逻辑页的类型的步骤包括：

25、根据所述读取指令，设定所述目标逻辑页的读取参数，所述读取参数包括访问模式、所述目标逻辑页所在的块索引、页索引以及平面号的信息；

26、根据所述页索引信息，识别所述目标逻辑页的类型。

27、在本发明的一个实施例中，所述遍历所述目标逻辑页的重读电压可行域，以对所述目标逻辑页进行读取操作，并对每次读取操作成功所生成的错误比特数量进行记录与排序的步骤还包括：

28、当所述目标逻辑页为低电平页时，遍历低电平页的重读电压可行域，并记录每个电压档位对应生成的错误比特数量。

29、如上所述，本发明的一种存储器及其数据处理方法，具有以下有益效果：本发明解决了存储器的重读电压无法成功读取数据的问题，且提高了存储器的重读效率。

技术特征：

1.一种存储器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储单元包括低电平页、中电平页以及高电平页中的至少一种逻辑页，其中，所述低电平页设有1个读取电压，所述中电平页设有3个读取电压，所述高电平页设有3个读取电压。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述中电平页或高电平页的读取电压被区分为第一电压、第二电压和第三电压，所述主控芯片用于将第二电压和第三电压固定为初始电压，遍历所述目标逻辑页的第一电压的可行域，以生成所述第一电压的最优值p；

4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，当所述目标逻辑页为低电平页时，所述主控芯片用于遍历低电平页的重读电压可行域，并记录每个电压档位对应生成的错误比特数量。

5.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述主控芯片用于根据所述读取指令，设定所述目标逻辑页的读取参数，所述读取参数包括访问模式、所述目标逻辑页所在的块索引、页索引以及平面号的信息。

6.根据权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述主控芯片还用于根据所述页索引信息，识别所述目标逻辑页的类型。

7.一种存储器的数据处理方法，其特征在于，包括：

8.根据权利要求7所述的存储器的数据处理方法，其特征在于，所述遍历所述目标逻辑页的重读电压可行域，以对所述目标逻辑页进行读取操作，并对每次读取操作成功所生成的错误比特数量进行记录与排序的步骤包括：

9.根据权利要求7所述的存储器的数据处理方法，其特征在于，所述响应于主机的读取指令，以识别目标逻辑页的类型的步骤包括：

10.根据权利要求7所述的存储器的数据处理方法，其特征在于，所述遍历所述目标逻辑页的重读电压可行域，以对所述目标逻辑页进行读取操作，并对每次读取操作成功所生成的错误比特数量进行记录与排序的步骤还包括：

技术总结本发明提供一种存储器及其数据处理方法，涉及静态存储技术领域，所述存储器包括：多个闪存芯片，所述闪存芯片的存储单元具有多个逻辑页，每个所述逻辑页预设有重读电压可行域；以及主控芯片，与所述闪存芯片电性连接，用于响应于主机的读取指令，以识别目标逻辑页的类型；所述主控芯片还用于遍历所述目标逻辑页的重读电压可行域，以对所述目标逻辑页进行读取操作，并对每次读取操作成功所生成的错误比特数量进行记录与排序；所述主控芯片还用于将值最小的错误比特数量对应的电压档位保存为所述目标逻辑页的最佳重读电压。本发明解决了存储器的重读电压无法成功读取数据的问题，且提高了存储器的重读效率。技术研发人员：许建强,陈文涛受保护的技术使用者：合肥康芯威存储技术有限公司技术研发日：技术公布日：2024/9/17