磁阻元件和磁存储器的制作方法

本发明涉及磁阻元件和磁存储器。

背景技术：

1、例如，在专利文献1中公开了平面形状不具有镜像对称或旋转对称的双极型电压写入型磁性存储元件。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：jp 2018-14376a

技术实现思路

1、技术问题

2、在专利文献1中公开的磁性存储元件由于形状的较大变化等原因而难以制造。

3、本发明的一方面提供一种磁阻元件和磁存储器，其能够实现双极电压写入并且易于制造。

4、问题的解决方案

5、根据本公开的一方面的磁阻元件包括：第一磁性层；第二磁性层，在垂直磁各向异性能量为正的垂直磁化层与所述垂直磁各向异性能量为负的平面内磁化层之间改变，所述垂直磁各向异性能量基于在层的平面方向上被磁化时的磁能与在垂直于所述层的平面方向的方向上被磁化时的磁能之间的差来确定；以及非磁性层，布置在所述第一磁性层与所述第二磁性层之间，其中，该第二磁性层是当未向磁阻元件施加电压时的垂直磁化层；当向所述磁阻元件施加第一电压时，从所述垂直磁化层改变为所述平面内磁化层；以及当向所述磁阻元件施加第二电压时，从所述垂直磁化层改变为所述平面内磁化层，所述第二磁性层的磁化：在向所述磁阻元件施加第三电压达第一时间段之后，改变到垂直于与所述层的平面的方向的第一方向；以及在向所述磁阻元件施加第四电压达第二时间段之后，改变到垂直于所述层的平面的方向的第二方向，所述第一电压和所述第二电压互为反向，以及所述第三电压和所述第四电压互为反向。

6、根据本公开的一方面的磁存储器包括：多个磁阻元件，其中，所述多个磁阻元件中的每一个包括：第一磁性层；第二磁性层，在垂直磁各向异性能量为正的垂直磁化层与该垂直磁各向异性能量为负的平面内磁化层之间改变，所述垂直磁各向异性能量是通过从当在层的平面方向上被磁化时的磁能减去当在层叠方向上被磁化时的磁能而获得的；以及布置在所述第一磁性层与所述第二磁性层之间的非磁性层，所述第二磁性层：是当未向所述磁阻元件施加电压时的垂直磁化层；当向所述磁阻元件施加第一电压时，从所述垂直磁化层改变为所述平面内磁化层；以及当向所述磁阻元件施加第二电压时，从所述垂直磁化层改变为所述平面内磁化层，所述第二磁性层的磁化：在向所述磁阻元件施加第三电压的同时，改变到所述层的平面上的第一方向；以及在向所述磁阻元件施加第四电压的同时，改变到所述层的平面上的第二方向，所述第一电压和所述第二电压互为反向，以及第三电压和第四电压互为反向。

技术特征：

1.一种磁阻元件，包括：

2.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，

3.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，

4.根据权利要求3所述的磁阻元件，其中，

5.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，

6.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，

7.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，

8.根据权利要求1所述的磁阻元件，其中，

9.根据权利要求8所述的磁阻元件，其中，

10.一种磁存储器，包括：

技术总结磁阻元件(100)的第二磁性层(13)，在未对磁阻元件(100)施加电压(V)时，为垂直磁化层，在对磁阻元件(100)施加第一电压(V<subgt;1</subgt;)时，从垂直磁化层改变为平面内磁化层，在对磁阻元件(100)施加第二电压(V<subgt;2</subgt;)时，从垂直磁化层改变为平面内磁化层。仅在向磁阻元件(100)施加第三电压(V<subgt;3</subgt;)达第一时间段之后，第二磁性层(13)的磁化改变到垂直于该层的平面的方向的第一方向，并且仅在向磁阻元件(100)施加第四电压(V<subgt;4</subgt;)达第二时间段内之后，第二磁性层(13)的磁化向垂直于该层的平面的方向中的第二方向改变。第一电压(V<subgt;1</subgt;)和第二电压(V<subgt;2</subgt;)互为反向。第三电压(V<subgt;3</subgt;)和第四电压(V<subgt;4</subgt;)互为反向。技术研发人员：肥后豊,阪井垒,远藤将起,平贺启三,细见政功受保护的技术使用者：索尼半导体解决方案公司技术研发日：技术公布日：2024/9/26